IBM正在为Power处理器开发一种深休眠模式，该模式可以让芯片在空闲时几乎不耗费能源。IBM的Power7芯片已经有三种休眠模式，分别为 nap，sleep和heavy sleep。这三种模式是否执行或执行哪种方式由当时处理器的负载和某应用程序能容忍多大的延迟来决定。
这种新的休眠模式会几乎完整的切断处理器的电源，同理，从该模式恢复过来的时间也比较长，大约10到20毫秒。
IBM已将这种模式定名为“Winkle”。但哪款芯片将采用新的休眠模式还未可知，官方也没有更
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IBM Power 处理器
图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET 关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 (Vreset) 以上，因
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进行 缓冲 电压 关断 转换器 FET 如何
MOS-FET虽然与JFET结构不同，但特性极为相似，N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型，可在许多电路中代替J-FET，如图5.4-97所示，电路用MOS-FET代替J-FET更简单，如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
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MOS-FET 开关电路
1、简单开关控制电路图5.4-97为简单J-FET开关电路。当控制电压VC高于输入电压V1时，VGS=0，J-FET导通，传输信号至VO；当VC比V1足够负，VD导通而J-FET截止，VO=0。2、改进的J-FET开关电路图5.4-98电路是图5.4-97电路的
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J-FET 开关电路 工作原理
电路的功能场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，
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VOO 检验 VP FET 结合 使用 万用表
电路的功能定时器专用IC有NE555和C-MOS单稳态多批振荡器4538B等。然后用FET输入型OP放大器也可用途长时间定时电路。本电路采用其他模拟电路中使用的双OP放大器余下的一个来组成定时器，这样可以减少IC的数量，事先了
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FET 输入 OP放大器 模拟定时电路
电路的功能本电路是一种使用双FET的2象限乘法电路最大输入电压为10V，2象限乘法运算与幅度调制（AM）等效，可作为低频调制电路使用。电路工作原理本电路利用了FET的沟道电阻变化，以TT15、TT16特性相同为前提条件，O
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VCA FET 幅度调制 乘法运算电路
电路的功能在VCA（电压控制放大器）。由反馈环路组成电路时，通过控制反正电压来改变放大器增益。所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用CDS光耦合器。而在本电路中，是利用栅极源极之间的电压使沟道电阻发生变
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FET 结型 电压控制 放大器
Vishay在官方网站上发布Power Metal Strip®分流电阻如何应用在定制产品中的解决方案的视频介绍
宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为帮助客户了解如何将Vishay Dale电阻技术用于定制产品，满足特定用户的需求，Vishay在其网站(http://www.vishay.com)新增加了一个介绍Power Metal Stri
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Vishay Power Metal Strip 分流电阻
在近日举办的国际固态电路研讨会ISSCC上，IBM公司介绍了一种定位介于服务器处理器和网络用处理器之间的新型处理器，他们将这种处理器命名为 Wire-Speed Power处理器，这种处理器据IBM公司称是面向新的系统级产品市场推出的，其应用领域包括网络边缘设备，服务器智能化I/O以及分布式运算等。
IBM公司负责wire-speed架构设计的首席设计师Charlie Johnson表示：“我认为这款产品是IBM有史以来开发的最复杂的产品。”IBM方面展示的有关介绍文件称
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IBM 处理器 Wire-Speed Power
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
友达光电1月20日宣布， 与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下简称FET)及FET Japan Inc.(以下简称FETJ)签署资产收购技术移转协议，收购FET的场发射显示器(field emission displays;FED)技术，该公司为全球FED技术的领导者。友达在此交易中，将取得FET显示技术及材料的专利、技术、发明，以及相关设备等资产。
FED技术在快速反应时间、高效率、亮度和对比度方面不但能与传统CRT相
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友达 FED FET
台湾友达科技近日宣布，他们已经与FET公司以及FET日本公司达成了协议，友达将出资收购FET公司的部分资产，并将因此而获得FET公司的部分专利技术。FET公司目前在FED场射显示技术(Field Emission Display)领域占据领先地位，索尼公司目前拥有FET公司39.8%的股份。友达并表示，其收购的内容将包括FED场射面板相 关技术专利，FED技术实施方案，以及FED面板生产用设备等。
FED场射面板兼具CRT显示器和LCD显示器的优势，其工作原理与CRT显示器完全相同，同样采用
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友达 FED FET
XP Power 正式宣布推出超紧凑低功率绝缘隔离DC/DC 转换器JHM系列。该系列可选3W和6W的插件式安装，封装符合工业DIP-24引脚标准，并且符合国际医疗设备需要满足的UL / IEC 60601-1 和 CSA-C22.2 No 601.1安规认证。该产品提供3000VAC输入至输出绝缘一分钟，可满足BF和CF应用所需要的次级绝缘要求，5000VAC绝缘可达10毫秒，可满足心脏手术设备应用。任何病人需要接触到的医疗器械都需要提供危险电压的绝缘保护并且到达到低漏电流的标准。JHM系列漏电流仅
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XP-Power DC/DC 转换器 JHM
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