日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
友达光电1月20日宣布, 与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下简称FET)及FET Japan Inc.(以下简称FETJ)签署资产收购技术移转协议,收购FET的场发射显示器(field emission displays;FED)技术,该公司为全球FED技术的领导者。友达在此交易中,将取得FET显示技术及材料的专利、技术、发明,以及相关设备等资产。
FED技术在快速反应时间、高效率、亮度和对比度方面不但能与传统CRT相
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友达 FED FET
台湾友达科技近日宣布,他们已经与FET公司以及FET日本公司达成了协议,友达将出资收购FET公司的部分资产,并将因此而获得FET公司的部分专利技术。FET公司目前在FED场射显示技术(Field Emission Display)领域占据领先地位,索尼公司目前拥有FET公司39.8%的股份。友达并表示,其收购的内容将包括FED场射面板相 关技术专利,FED技术实施方案,以及FED面板生产用设备等。
FED场射面板兼具CRT显示器和LCD显示器的优势,其工作原理与CRT显示器完全相同,同样采用
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友达 FED FET
XP Power 正式宣布推出超紧凑低功率绝缘隔离DC/DC 转换器JHM系列。该系列可选3W和6W的插件式安装,封装符合工业DIP-24引脚标准,并且符合国际医疗设备需要满足的UL / IEC 60601-1 和 CSA-C22.2 No 601.1安规认证。该产品提供3000VAC输入至输出绝缘一分钟,可满足BF和CF应用所需要的次级绝缘要求,5000VAC绝缘可达10毫秒,可满足心脏手术设备应用。任何病人需要接触到的医疗器械都需要提供危险电压的绝缘保护并且到达到低漏电流的标准。JHM系列漏电流仅
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XP-Power DC/DC 转换器 JHM
由Power.org 主办的 Power Architecture Conference(PAC2009)盛会将再次回到中国,大会将于10月14日在北京·柏悦酒店召开。会议将聚焦多用途的Power架构技术平台以及它繁茂而充满生机的生态系统。 本次大会将亮相基于Power 架构的最新产品和解决方案以及来自Power.org的倡议,会议组织方还邀请了业界顶尖的专家做主题演讲并展开讨论和交流。
当今世界日新月异,根据需求不断创新已经成为时代发展的必然。Power Architecture
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Freescale 机顶盒 Power Architecture
Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结,2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%,但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件,以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求,半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。
一直
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GaAs 外延衬底 FET HBT
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降压转换器,该器件将宽泛的输入、轻负载效率以及更小的解决方案尺寸进行完美结合,可实现更高的电源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制机制的 1 MHz DC/DC 转换器,与同类竞争产品相比,该器件在将外部输出电容需求数量降至 32% 的同时,还可实现快速瞬态响应。该转换器充分利用自动跳过模式与 Eco-mode 轻负载控制机制,帮助设计人员满足能量之星/90Plus 标准的要求,从而可实现整个负载范围内的高
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TI FET 转换器 TPS51315
恩智浦半导体(NXP Semiconductors,由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装(无损耗封装:LFPAK)中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体,可在各种严苛应用条件下
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NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
Power Integrations为LinkSwitch-II初级侧控制离线式开关IC系列再添新品
用于高能效功率转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司宣布推出LNK632DG器件,为其广受欢迎的LinkSwitch-II产品系列再添新品。新器件针对最高输出功率3.1 W的电源应用而设计,使制造商能够满足包括能源之星â EPS v2.0在内的全球所有的低功率
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Power IC 离线式
ST(意法半导体)于2月26至27日亮相深圳IIC-China 2009,集中演示基于“Green Power”理念的系列节能产品及解决方案。三十余款产品的现场演示展示意法半导业界最领先的电源管理解决方案,体现意法半导体致力于帮助客户减少环境影响的承诺。
照片1 ST展位
其中,太阳能发光二极管(Solar LED)街灯格外引人注目,该产品是是意法半导体大中国区多元市场技术应用中心研发的独特解决方案,据该中心的高级应用工程师史建忠介绍说,该方案由两个模块构成:一个85W太阳能
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ST IIC Green Power 电源管理
快速扩展的新一代锂离子电池供应商 Boston-Power 公司宣布与金山电池国际有限公司 (GP Batteries) 结成战略合作伙伴关系。通过这项合作关系,可充电锂离子电池Sonata的批量生产将可以大幅扩展。该协议的详情并没有对外公布。
金山电池国际有限公司是大中国区领先的消费产品电池制造商,是金山工业集团 (Gold Peak Industries) 的成员,后者于1964年成立,为香港上市公司 (SEHK:40),在世界各地都设有办事处。
根据这项五年协议,金山电池将台
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Boston-Power 金山电池 可充电锂离子电池
近日,Mouser电子公司宣布它首次备有FCI的高速电缆和电源电缆组件,FCI是一家在广泛的消费电子和工业应用方面领先的设计商、制造商和创新、高品质电气和电子互连系统的供应商。FCI的互连器件包括为音频/视频连接器、cardedge连接器、背板连接器、D- Sub连接器、端子、I/O连接器、IC连接器、元器件连接器、矩形连接器、电源连接器、SMT连接器、FFC/FPC、电信连接器、以太网连接器、终端连接器、USB和火线连
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Mouser FCI USB+Power PwrBlade PwrTwin Blade Power D-sub
2009年1月22日,中国北京——Analog Devices, Inc.(纽约证券交易所代码: ADI),全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,最新推出一款业界最快的场效应晶体管(FET)运算放大器——ADA4817。这款产品工作频率高达1GHz,设计用于高性能的便携式医疗诊断设备和仪器仪表设备。与竞争器件相比,可提供两倍的带宽,同时噪声降低一半。它已被领先的医疗、测试和测量设备公司所采用,用于如CT、MRI、示波器衰减探头和其它医疗设备。与ADA4
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ADI 运算放大器 FET ADA4817
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