- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大内存会一直缺货到明年，许多客户抢货，已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。 业界指出，未签订长约的客户，内存供货将短缺，冲击产品上市或出货时程。
集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告，强调DRAM、NAND Flash到年底都处于缺货状态;NOR Flash更因美系二大供货商淡出效应在下半年显现，缺货问题更严重。
业界表示，三大内存应用范围广，尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键组件，虽然单价远比DRAM
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NAND DRAM
- 据台湾经济日报报道，大陆积极发展内存产业，但由于仍难突破三DRAM大厂的技术防线，在政策与时间压力下，反而凸显台厂扮演关键少数的重要性，业界分析台厂未来势必成为大陆首要争取合作的对象。
大陆的内存产业，目前形成紫光集团、合肥睿力及福建晋华等三大势力，但在美光发动司法调查，紧盯三大厂窃取专利和营业秘密行为后，日前紫光已表态未来将朝自主研发前进。
另合肥睿力由前华亚科副总刘大维主导的团队，仍如火如荼进行，并宣示明年要切入19nm生产DRAM;福建晋华则和联电合作，委托联电开发DRAM相关制程技
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DRAM SK海力士
- 现在的联想丢了笔记本老大位置，而手机业务还在持续亏损，真是没法不着急啊。
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联想 PC
- 集邦咨询内存储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2017年第二季的DRAM产业营收表现再度创下新高。从价格方面来看，由于客户端已经将库存水位逐步往上提升，第二季供不应求状况虽不至于像第一季度严重，但整体仍处于供货吃紧的状况。标准型内存与服务器用内存第二季价格上涨逾一成，行动式内存则因中国品牌手机厂下修出货数量，价格仅小幅上涨5%内。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，观察市场面，受惠于平均销售单价的上扬与新制程的持续转进，大规模的扩张产能至今年年底仍未见，全球DRAM市场第二
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DRAM NOR
- 在海外并购道路障碍重重的情况下，我们通过培养积蓄人才来为中国创“芯”积攒力量，向2020年实现芯片自给率40%、2025年自给率70%的目标前进，是更为有效地打破“缺芯”现状实现自主替代的路径。
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芯片 DRAM
- 根据市场研究调查机构 IC Insights 的预估，2017 年全球 IC 市场可望成长约 16%。 其中，在DRAM将成长更将达 55%，将是 2017 年中成长幅度最大的 IC 产品。
IC Insights 表示，DRAM 市场 2013 年与 2014 年分别成长 32% 及 34%，也都是当年成长最大的 IC 产品领域。 统计过去 5 年，DRAM 市场经常是成长最大，或者衰退最大的 IC 产品项目，显示 DRAM 市场变化极端的特性。 不过，DRAM 市
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DRAM IC
- 在2016年7月16日，投资370亿元人民币、月产6万片12吋内存晶圆、年产值达12亿美元的晋华存储器集成电路生产线一期项目开工仪式。
据资料显示，晋华存储器集成电路生产项目由福建省电子信息集团和泉州、晋江两级政府共同投建，总规划面积594亩，预计于2018年9月达产。作为国家重点支持的DRAM存储器生产项目，晋华项目已纳入国家“十三五”集成电路重大生产力布局规划重大项目清单，并获得首笔30亿元国家专项建设基金支持。
此项目堪称晋江所有重
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晋华存储 DRAM
- ,世界半导体贸易统计组织(WSTS)将半导体分为33个大类。近日，市场调研机构IC Insights给出了这33类产品在2017年市场状况的预期。
33种IC产品2017年增速排名(预计)如下图所示。增速最快的是DRAM，这并不意外，2017年上半年DRAM价格异常出色，IC Insights预计2017年DRAM总销售额同比增长55%，从而成为半导体细分市场增长率冠军。问鼎增长率冠军对DRAM市场而言并不是新鲜事，2013年和2014年DRAM同样引领整个产业增长。在过去5年，DRAM要么是增长率
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半导体 DRAM
- 全球DRAM龙头韩国三星电子近期通知相关电子委托制造厂，计划调涨第4季行动式存储器(Mobile DRAM)合约价，涨幅近一成，反映DRAM供货短缺仍未纾解，涨势可望延续至今年第4季，南亚科和华邦电等同步受惠。
存储器业者强调，DRAM从去年起涨，主要受惠资料中心的服务器用DRAM需求强劲，加上网通类产品的需求随导入嵌入式多芯片封装存储器的整合架构，带动DRAM需求增加，但供给端因DRAM产业制程已接近极限，前三大厂包括三星、SK海力士和美光等也未增建新厂，造成供货紧缩，使平均销售单价居高不下，
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三星 DRAM
- DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大内存持续供货短缺，创下史上罕见同缺记录。 其中DRAM和NAND内存，更写下史上最长涨势。
内存业界表示，2008及2015年都出现过DRAM大涨，但多是因跌深或供货商发生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash产能会排挤，很少看到两大内存同涨。
这次DRAM和NAND内存两大内存缺货超乎预期且价格上涨，主要来自数据中心、移动设备及计算机三大领域应用需求强，前三大厂包括三星、SK海力士和美光等也未增建新厂，造成供货紧缩
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三星 DRAM
- 近年来，随着移动通信、物联网、智能制造等领域的快速发展，存储器产品的应用市场也随之逐步开拓，市场需求越来越大。
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存储器 DRAM
- 内存、固态盘这一年来不断涨价，但究竟上涨到了什么程度呢?统计数据那是相当的吓人。
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内存 DRAM
- 据外媒报道，据市场研究公司IDC今日发布的全球季度个人计算设备跟踪调研报告显示，在2017年第二季度，全球传统PC(台式机、笔记本电脑、工作站)的出货量为60.5万部，同比下降3.3%。这一结果略好于此前预测的3.9%降幅。
与过去的季节性增长模式不同，第二季度的环比增幅仅略高于第一季度。这一点也跟IDC之前的预测不太一样。
在过去的几个季度，影响出货量的一个重要因素是固态硬盘等关键部件短缺造成的库存增加;第二季度出货量受该因素的影响有所减弱，但在某些情况下，零部件短缺仍然对出货量增长构成
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PC 华硕
- 随着DRAM与NAND Flash市场规模大幅成长，调研机构IC Insights预估，2017年全球整体IC市场规模将较2016年大幅成长16%，创下自2010年增33%以来，最佳年增纪录。亦为2000年以来，第5度IC市场规模年增幅度达到双位数百分比。
2017年全球DRAM市场规模将会年增55%，NAND Flash年增35%。不过该机构亦指出，促使DRAM与NAND Flash市场大幅成长的最主要因素，是来自于DRAM与NAND Flash平均售价(ASP)的攀升，并不是受到DRAM与N
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IC DRAM
- 随着AMD/Intel新品的加速，PC业将迎来复苏，当然，一贯强势的Intel 处理器亮点不多，AMD算得上爆发。这样的成绩也然OEM厂商信心提振，纷纷加单。
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PC
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