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TMS320C6201DSP 处理器 Flash
- 本文设计了一个Flash控制器controller_4G08，它建立了自己的指令集，可以方便地实现FPGA对Flash的控制和读写操作。FPGA主状态机可以在系统时钟频率下对controller_4G08发送指令，然后等待controller_4G08返回的中断
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Flash 控制 FPGA 实现 方案设计 controller_4G08
- Spansion目前正准备高调卷土重来，这次能否成功，抑或再次失败？分析师对Spansion的前景众说纷纭。上个...
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Spansion 半导体 NOR 闪存
- 华邦总经理詹东义表示，NOR Flash市场供不应求的情况仍然严重，估计市场缺口约20%，第3季的NOR Flash价格仍会持续调涨，甚至对于第4季营运都相当乐观，尤其是华邦在客户策略上，逐渐集中在一线客户之后，受到全球景气波动的影响相对较小。
华邦表示，若扣除重覆下单(Double Booking)，目前NOR Flash市场缺口约20%，华邦的优势在于质量、成本和交期稳定。目前对于NOR Flash产能的规划，仍由目前的7,000片提升至年底1万片水平，但预计这样的产能水平仍无法满足客户需求
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华邦 NOR Flash
- 摘要：设计了一种能使FPGA的主状态机直接管理Flash的控制器，该控制器具有自己的指令集和中断管理方式。...
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FPGA Flash K9F4G08
- 本文对VxWorks下TFFS文件系统的层次结构和FTL层的启动过程、块映射算法、垃圾回收算法以及用FTL创建DOSFS进行了分析，给出了在M25P32 SPI Flash上创建TFFS文件系统和将TFFS挂在DOSFS的实现方法。通过对TFFS核心层FIL的分析给出的TFFS实现方法，可以从更基础的层面来认识VxWorks中的TFFS文件系统，从而给TFFS文件系统的问题定位和实现带来新的方法。
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M25P32 Flash TFFS SPI
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文件系统 Flash JFFS2 平均读写
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Francisco Partners)。
完成收购恒忆后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的记忆体晶片大厂。恒忆去年第4季营收约5.50亿美元，自由现金流量达4,200万美元。交易完成后美光/恒忆将与意法共享位于义大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
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JFFS2 JFFS3 Flash
- 相变存储技术看来终于要走出实验室，走向市场了。继Numonyx宣布出货Omneo系列相变存储芯片后，三星电子近日也宣布，推出全球首款多芯片封装(MCP)PRAM相变存储颗粒产品。
相变存储属于非易失性存储技术，可以像闪存那样在关机后继续保持数据。三星就表示，这款512Mbit容量MCP封装PRAM颗粒在软硬件功能上都和40nm级NOR闪存颗粒完全兼容，方便客户厂商在产品中加入该存储颗粒。由于相变存储技术的高写入速度特性，采用PRAM可有效提升数码设备的存储速度。
三星表示，多芯片封装PRA
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Numonyx 相变存储 NOR
- 英特尔(Intel)和美系记忆体大厂美光(Micron)所成立的合资企业IM Flash，为了赶上半导体业2010年牛气冲天的景气，决定让新加坡厂重启营运。
2005年英特尔和美光因看好NAND Flash市场，遂于2006年初合资成立IM Flash，由英特尔出钱出力，美光则提供技术，由IM Flash专门为这2家公司生产NAND Flash。但在半导体景气循环来到低点，再加上金融海啸的冲击下，IM Flash受到严重冲击，在2008年IM Flash裁员800人，花费35亿美元打造，本应于2
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三星电子 NAND Flash
- 摘要：为避免在程序运行时向单片机内置的Flash写入数据导致复位，采用调用锁定与关键码的操作方法对C2805lF35X型单片机的Flash进行擦除、写入和读取操作，并提供程序范例。该方法无需任何接口电路，使用方便，成本低
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擦写 方法 存储器 Flash 单片机 内部 C8051F35X
- Nand+Flash存储管理在DSP系统中的实现, Nand Flash作为一种安全、快速的存储体，因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点，已逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。尽管Nand Flash的每个单元块相互独
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系统 实现 DSP 管理 Flash 存储 Nand
- 嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用,当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常应用在程
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应用 原理 Nand-Flash 系统 嵌入式
- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010财年第二季度的运营成果。对于2010财年的第二季度，该公司取得了可归属于其股东的3.65亿美元，合摊薄股每股0.39美元的净收入，其净销售额达近20亿美元。相比之下，2010财年第一季度的净收入为2.04亿美元，合摊薄股每股0.23美元，净销售额为17.4亿美元，并且2009财年第二季度的净亏损为7.63亿美元，合摊薄股每股0.99美元，净销售额为10亿美元。2010财年之前各个时期的金额及
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Micron NAND Flash
nor flash介绍
NOR Flash存储器
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存 [
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