- 东芝(Toshiba)9日公布财报，受惠于存储器需求畅旺，营益飙升将近80%。该公司并宣布将加码投资存储器。
法新社、路透社、金融时报报导，东芝发布本财年第二季(7~9月)财报，营收年增2.4%至1.24万亿日圆，营益飙升76%至1,351亿日圆(12亿美元)，高于路透访调估计的1,245日圆。不过该季仍呈现亏损，净损1,001亿日圆。
东芝营益大增，主因存储器表现强劲，不过东芝已经同意出售半导体事业子公司“东芝存储器”(TMC)给予贝恩资本和SK海力士等集团，代价
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东芝 Flash
- 11月9日消息，据国外媒体报道，日本东芝公司今天公布财报显示，由于受到旗下内存芯片业务强劲业绩的驱动，该公司本财年第二季度运营利润增长了76%。最近，该公司同意将旗下内存芯片业务以180亿美元对外出售。
处于困境状况的这家日本工业巨头表示，本财年7至9月份这个第二季度运营利润从上年同期的768.8亿日元增长至1250,8亿日元(约合12亿美元)。
这个业绩好于分析师预期，汤森路透StarMine SmartEstimate此前根据5位分析师预估，东芝本财年第二季度运营利润是1244.7亿日
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东芝 NAND
- 美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后，开始拓展旗下产品线广度，日前耕耘工业领域有成，将推出影像监控边缘储存解决方案，32GB和64GB版microSD卡抢先问世，预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样，同年第2季量产。
美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产，除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域，也积极推动工业领域应用，日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合，以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。
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美光 3D NAND
- 随着信息技术的发展，信息的载体-芯片的使用也越来越多了，随之而来的芯片安全性的要求也越来越高了，各个芯片厂商对芯片保密性要求越来越高，芯片的加密，保证了芯片中的信息的安全性。经常有客户打电话过来问，这个芯片加密了还能不能用啊。本文通过对芯片的加密的介绍来看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果。 一、Flash类型芯片的加密 Flash类芯片(包括SPI FLASH ,并行FLASH，NAND FLASH等)加密后一般情况下都是禁止“写”以及“擦除”操作，通过
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芯片 Flash
- 美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后，开始拓展旗下产品线广度，日前耕耘工业领域有成，将推出影像监控边缘储存解决方案，32GB和64GB版microSD卡抢先问世，预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样，同年第2季量产。
美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产，除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域，也积极推动工业领域应用，日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合，以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。
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美光 NAND
- 据IC Insights预测，2017年的IC市场增长率有望提高到22%，较今年年中预期的16%再提升6个百分点，出货量增长率预测也从年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市场预测是由于DRAM和NAND闪存市场的激增。
此外，IC Insights同时调稿对O-S-D(光电子，传感器/执行器和分立器件)市场的预测。总体而言，2017年半导体产业整体预计增长达20%，比年中预期调高5个百分点。
2017年，IC Insights预测DRAM的平均售价将大涨77%，预计今年将推动DRAM
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DRAM NAND
- CAM350不可不知的两大应用技巧-有些资料的文字层有很多文字框，且文字框到线路PAD 间距不满足制程能力时；当资料有大面积铜箔覆盖，线路或PAD与铜皮的距离不在制作要求之内，且外型尺寸又较大时...可借鉴本文的处理方法
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Flash CAM350 PAD
- DRAM/NAND都是啥？科普内存和硬盘的区别-现如今随着手机的不断推广和普及，已掩盖电脑时代的辉煌，很多新生代的用户都与手机的存储就陷入了茫然。
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DRAM NAND 存储器
- 援引DigiTimes报道，东芝的NAND部门近日遭受了非常严重的恶意攻击，被迫关闭NAND生产线数周时间，这将导致近阶段公司NAND闪存的供应比较紧张。
DigiTimes消息称为了清除恶意程序，东芝公司的NAND生产线将停工3-6周时间才能恢复正常供应，预估将减少10万个wafers产量。PCGamesN网站预估假设这段停产时间正常生产，能够带来5000万个芯片或者40万TB的NAND闪存。
近年来由于智能手机和服务器的需求不断增大，NAND的售价也水涨船高。但是由于NAND厂商在生产
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东芝 NAND
- DRAM供货吃紧的情况下，其再次出现价格疯涨现象，在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的这场角逐中，也许大家都是赢家。
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DRAM NAND
- 摘要：NAND FLASH在电子行业已经得到了广泛的应用，然而在生产过程中出现坏块和在使用过程中会出现坏块增长的情况，针对这种情况，本文介绍了一种基于magnum II 测试机的速测试的方法，实验结果表明，此方法能够有效提高FLASH的全空间测试效率。另外，针对NAND FLASH的关键时序参数，如tREA(读信号低电平到数据输出时间)和tBERS(块擦除时间)等，使用测试系统为器件施加适当的控制激励，完成NAND FLASH的时序配合，从而达到器件性
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NAND magnum
- DRAM与NAND的区别及工作原理-本文就DRAM与NAND在工作原理上做比较，弄清两者的区别
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DRAM NAND RAM
- Nand Flash存储器是flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。 1989年，东芝公司发表了Nand Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。经过十几年的发展，NAND应用越来越广泛，但是大多数工程师却仍然不知道关于NAND应用的一些难点：分区、ECC纠错、坏块管理等。只有真正了
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Nand Flash 东芝
- 随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...
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3D NAND 摩尔定律
- 一招教你如何使用嵌入式参数代码，入门必懂知识-如果有几个设置参数需要存储到Flash中，我们一般会怎么存储呢？将不同的参数都存储到不同的页中，还是将这几个参数捆绑成一种结构体，每次修改都同时写入一次呢？将参数存储到固定的地址，则每个参数都将占用Flash的一个块。而将全部参数捆绑一起存入Flash块中，那么只有一个参数修改时，也需要将全部参数一起存一遍。那么有什么更好的方法吗？
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ram flash 源代码
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