- 随着近段时间以来，固态硬盘、内存条甚至优盘等存储设备的大幅度一致性涨价，影响着存储设备涨价的背后关键性元件闪存颗粒，开始浮出水面，被越来越多的业内人士，反复解读。
那么，在价格上起着关键性因素的闪存颗粒到底是什么?闪存颗粒和存储设备的价格上涨又有什么关系?2D NAND和3D NAND闪存颗粒之间又有哪些区别?下面，我们一起来聊聊NAND闪存颗粒这些年。
闪存颗粒的释义及厂商
闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单
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NAND 存储器
- 随着嵌入式系统产品的发展，对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00为例，阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法
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Flash NAND 02A 1FT
- 一、内存测试中的难点内存广泛应用于各类电子产品中，内存测试也是产品测试中的热点和难点。内存测试中最为关键的测试项目为DQ/DQS/CLK之间的时序关系。JEDEC规范规定测量这几个信号之间的时序时测试点需要选择在靠
- 关键字：
虚拟探测 DDR 信号去嵌测试
- 摘要：由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工，整个项目预
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SSD 3D NAND
- 被广泛应用于手机、平板等数码设备中的Nand Flash由于工艺原因无法避免坏块的存在，但是我们可以凭借高科技变废为宝，将“坏块”进行有效的利用，从而满足我们的应用需求，让坏块不“坏”。
要想变废为宝，有效利用坏块。我们首先要弄明白什么是“坏块”，做到知己知彼，才能为我所用。坏块的特点是当编程或者擦除这个块时，不能将某些位拉高，从而造成编程和块擦除操作时的错误，这种错误可以通过状态寄存器的值反映出来。这些无效块无法确定编程时
- 关键字：
Nand Flash 寄存器
- 由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆
- 关键字：
3D NAND
- 大陆发展3D NAND、DRAM、NOR Flash存储器大计正如火如荼地展开，初步分工将由长江存储负责3D NAND及DRAM生产，武汉新芯则专职NOR Flash和逻辑代工。2016年底长江存储将兴建首座12吋厂，最快2017年底生产自制32层堆叠3D NAND芯片，尽管落后目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)技术约2个世代，然大陆终于将全面进军NAND Flash领域。
尽管大陆并未赶上NAND Flash存储器世代，但在存储器技术改朝换代之际，大
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存储器 NAND
- 实现数据的高速大容量存储是数据采集系统中的一项关键技术。本设计采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成了对DDR SDRAM 的控制，以状态机来描述对DDR SDRAM 的各种时序操作，设计了DDR SDRAM 的数据与命令接口。用控
- 关键字：
SDRAM FPGA DDR 控制器
- 引言：DDR4 等存储技术的发展带动存储器速度与功率效率空前提升，仅仅停留在一致性测试阶段，已经不能满足日益深入的调试和评估需求。DDR 存储器的测试项目涵盖了电气特性和时序关系，由JEDEC明确定义，JEDEC 规范并
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高速存储器 一致性测试 DDR
- 高速电路设计领域，关于布线有一种几乎是公理的认识，即“等长”走线，认为走线只要等长就一定满足时序需求，就不会存在时序问题。本文对常用高速器件的互连时序建立模型，并给出一般性的时序分析公式。为
- 关键字：
PCB DDR SDRAM PHY芯片
- 首先需要了解NAND FLASH的结构。如图：以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例，这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page)，64个页(page)组成1个块(block)，4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区
- 关键字：
Flash NAND 扇区管理
- 全球硬盘机大厂Western Digital(WD)和日厂东芝(Toshiba)合作，打算超车三星电子，抢先生产64层3D NAND Flash。不过外资警告，要是WD和东芝真的追上三星，三星可能会扩产淹没市场，重创NAND价格。
巴伦(Barronˋs)11日报道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和东芝计划抢在三星之前，生产64层3D NAND flash，此举可能导致三星扩产还击。报告称，当前三星在业界握有主导权，将密切关注WD/闪迪(WD去年收购了
- 关键字：
西数 NAND
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange)最新调查显示，在智能手机及各种固态硬盘的强劲需求下，第四季NAND Flash缺货的情况较第三季更明显，NAND Flash wafer与卡片价格将持续上涨至年底的趋势确立，eMMC/eMCP与固态硬盘的价格也呈现上涨，预期第四季NAND Flash业者营收及利润将较第三季更为出色。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，下半年NAND Flash市况逐渐转强的主要因素来自于智能手机需求的成长。虽然iPhone 7的销售
- 关键字：
NAND 服务器
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，在智能手机及各种固态硬盘的强劲需求下，第四季NAND Flash缺货的情况较第三季更明显，NAND Flash wafer与卡片价格将持续上涨至年底的趋势确立，eMMC/eMCP与固态硬盘的价格也呈现上涨，预期第四季NAND Flash业者营收及利润将较第三季更为出色。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，下半年NAND Flash市况逐渐转强的主要因素来自于智能手机需求的成长。虽然iPh
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TrendForce NAND
- 未来半导体进入五大转折，包括逻辑芯片制程技术推进到10/7纳米;存储器推进到3D NAND Flash;因应芯片愈来愈小，制图成型依赖愈来愈高;移动设备导入OLED比重会愈来愈高以及大陆积极扶植半导体产业。
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NAND AR
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