- LED显示屏由于其具有耗电少、使用寿命长、成本低、亮度高、故障少、视角大、可视距离远等特点，已经成为新一代的信息传播媒体工具。LED与LCD相比较最突出的特点是亮度高、成本低且屏幕尺寸可根据现场情况用标准LED单
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显示系统 应用系统 分析 LED 小型 FLASH 存储器 串行
- 引言 美国WindRiver公司的实时嵌入式系统VxWorks和美国Motorola 公司MPC860系列处理器已经广泛的应 ...
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VxWorks Flash BOOT
- TDK株式会社成功开发出Single Chip固态硬盘eSSD系列，并从4月起开始销售。eSSD系列是通过多芯片封装技术(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型闪存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。
该产品在尺寸仅为17mm×17mm的208-ball BGA封装(球栅阵列封装)面积上实现了1GByte~4GByte的闪存容量，与将闪存和SSD控制器分别进行安装的情况相比，不仅可以缩小基板的尺寸，而且还可以降低安装成本。因此，
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TDK NAND
- 日本灾害造成巨大的人员伤亡，一年后，继续给日本民众与经济留下难以磨灭的印迹。但是，在制造业方面存在一线希望，即灾害对于NAND闪存产业的影响不大而且只是暂时影响。这是日本的主要产业之一。据IHS公司的资料与分析，在日本发生灾害一年后，由于平板电脑、智能手机和固态硬盘(SSD)等需要大量存储的应用需求上升，NAND产业继续增长。
受日本灾害影响最大的NAND闪存供应商是东芝。它的两家NAND芯片厂Fab 3和Fab 4占全球NAND产能的35%，位于距离震中500英里的四日市。在地震之后，这两家工
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NAND 晶圆
- 日本灾害造成巨大的人员伤亡，一年后，继续给日本民众与经济留下难以磨灭的印迹。但是，在制造业方面存在一线希望，即灾害对于NAND闪存产业的影响不大而且只是暂时影响。这是日本的主要产业之一。据IHS公司的资料与分析，在日本发生灾害一年后，由于平板电脑、智能手机和固态硬盘(SSD)等需要大量存储的应用需求上升，NAND产业继续增长。
受日本灾害影响最大的NAND闪存供应商是东芝。它的两家NAND芯片厂Fab 3和Fab 4占全球NAND产能的35%，位于距离震中500英里的四日市。在地震之后，这两家工
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东芝 NAND
- 据IHS iSuppli公司的移动市场存储报告，由于经济形势糟糕和泰国洪灾导致PC出货量下降，2011年第四季度NOR闪存营业收入环比下降9%。
2011年第四季度NOR闪存营业收入从第三季度的10.5亿美元降至9.53亿美元。第二季度NOR营业收入略有增长，从11.6亿美元上升到11.7亿美元，如图2所示。
第四季度NOR营业收入下降的主要原因，是10月泰国发生洪灾导致PC出货量减少。洪水破坏了泰国的硬盘工厂，造成硬盘短缺，导致PC销量下降。NOR营业收入减少的其它原因包括：在全球经济黯
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NOR NAND
- 市场研究机构DIGITIMESResearch专桉经理徐康沛分析指出，全球最大记忆体製造商三星电子(SamsungElectronics)受主要客户苹果(Apple)将NANDFlash大部分订单转予海力士(Hynix)的影响，2011年第四季NANDFlash营收较前季约减少5%，DRAM营收则微增，使NANDFlash佔该公司记忆体营收比重降至38%，佔全球NANDFlash营收比重亦续降至34.6%。
反观海力士，其NANDFlash佔公司营收比重则维持在30%，佔全球NANDFlash营
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三星 NAND
- Flash的可自编程性（Self-Programmability）是指，用Flash存储器中的驻留软件或程序对Flash存储器进行擦除/编程，但是，要求运行程序代码的存储区与待编程的存储区不在同一模块中。因此，只有一个片上Flash存储器模块
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介绍 技术 编程 单片机 Flash
- 利用NAND Flash实现嵌入式系统的远程更新,引言
嵌入式系统在各个领域有着广泛的应用，嵌入式系统的维护与升级也变得日益重要。由于新技术的不断涌现和对系统功能、性能等要求的不断提高，开发者必须能够针对系统进行升级和维护，以延长系统的使用周期，
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系统 远程 更新 嵌入式 实现 NAND Flash 利用
- 1GB 1美元——这很久以来就被视为固态硬盘真正全民普及、成为大众化主流配置的一道门槛，而根据DRAMeXchange的最新报告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的价格买到固态硬盘。20nm、19nm等最新NAND闪存工艺将在今年下半年投入大规模量产，闪存芯片的成本也会进一步降低，每 GB将会不足1美元。DRAMeXchange预计，在那之后超极本、超轻薄本都会从混合硬盘过渡到纯粹的固态硬盘，而后者的主流容量也将升至 128GB。
随着Intel Ivy Bridge处
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固态硬盘 NAND
- 基于MCU内部Flash的在线仿真器设计方案,摘要：提出了一种基于MCU内部Flash的仿真器设计方法，并完成了设计和仿真。由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级，MCU应用的领域也不断扩展，因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash MCU与以往OTP/MASK MCU相
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仿真器 设计 方案 在线 Flash MCU 内部 基于
- NAND闪存存储器的自适应闪存映射层设计,闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间是由块(Block)构成，每个块又划分为固定大小的页，块是擦
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闪存 设计 映射 存储器 NAND 适应
- Am29F040是AMD公司生产的Flash存储器，主要作用是固化程序和保存历史数据，也就是开机后执行闪存的程序，并在程序执行的过程中实时地保存或修改其内部的数据单元。下面首先介绍Am29F040的特点和操作。Am29F040是采
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Flash F040 040 29F
- 基于磨损均衡思想的Nand Flash存储管理在TMS320F28x中的实现, Nand Flash作为一种安全、快速的存储体，因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点，已逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。尽管Nand Flash的每个单元块相互独
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存储 管理 TMS320F28x 实现 Flash Nand 磨损 均衡 思想
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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