- 在本月22日召开的一次电话会议上，镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品，并对其进行取样测试。尽管镁光没有透露这种2xnm制程的具体规格数字，但外界认为他们很可能会于明年初公布有关的细节信 息。这样，镁光及其NAND技术的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用这种新制程技术，甩开对手三星和东芝，重新回到领先全球NAND制作技术的宝 座上。目前Intel和镁光两家公司合资创立有一家专门负责NAND业务的IM闪存技术公司。
除了制造闪存芯片之外，Intel和镁光还有出售基
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镁光 NAND 闪存
- 据华尔街日报(WSJ)报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)看好2010年存储器市场表现，将提升资本支出并扩张产能。
海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月为第1次DRAM合约价在11月后并未下滑，此外，预期2010年全球个人计算机(PC)市场需求将增加10%、全球DRAM存储器芯片将缺货，半导体市场已走出过去3年的谷底，前景相当稳定。
随著景气逐渐回升，海力士计划2010年提升资本支出，共投资2.3兆韩元(约20亿美元)提升技术水平，及扩张目前的NAND
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Hynix 存储器 NAND
- 基于eCos操作系统的FLASH驱动程序分析与移植,0 引 言
嵌入式系统需要支持的外部设备种类繁多，如何构造运行良好的嵌入式设备的驱动程序，对嵌入式操作系统的实际应用有重要意义。eCos是一种源代码公开的实时嵌人式操作系统，对嵌入式应用具有良好的支持，内
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分析 移植 驱动程序 FLASH eCos 操作系统 驱动
- 沈寂已久的DRAM价格再度动起来，存储器厂对于DRAM产业后市看法相当乐观，DRAM厂供货呈现小幅吃紧状态，目前个人计算机(PC)搭载存储器 平均容量成长16%至2.92GB，未来消费性PC机种搭载DRAM容量可望升级至4GB，市场对于后市看法相当乐观，原本外界预期12月合约价格会开始下跌，反应淡季效应，但目前开出是持平，反映市场供给不多，而22日现货价格又开始蠢蠢欲动，一口气大涨3%;此外，下游模块厂皆看好2010年DRAM市场表现将优于NAND Flash市场。
存储器模块厂一致看好2010
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南亚科 DRAM 存储器 NAND
- 随着薄型电视等产品需求呈现增长，东芝(Toshiba)等日本半导体大厂也纷纷取消或缩短今年年底的新年假期持续进行生产，有别于去(2008)年年底动辄停工近20天的严峻局面。
报导指出，东芝旗下生产NAND型闪存的四日市工厂去年年底12吋产线停工达13天，惟因今年春天以后智慧型手机订单增加，故四日市工厂今年年底假期将持续进行生产不停工。
报导指出，NEC电子(NEC Electronics)旗下子公司所属的熊本川尻工厂原先计划于元旦期间停工2天，惟因使用于薄型电视和环保车的微控制器(MCU)
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Toshiba NAND MCU
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随着信息技术的发展，嵌入式系统越来越广泛地应用于手机通信、汽车、航空航天、工业控制等领域。在这些电子产品中，大多以嵌人式微处理器为核心，配套相关的外围辅助设备，对控制对象进行软硬件的功能
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编程 设计 实现 FLASH 外部 模式 MPC5554 JTAG
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TMS320DM642是TI公司推出的一款高性能的数字多媒体处理器，具有二级存储器和高速缓冲器，以及超长指令字结构。其运算速度快、体积小、功耗低的优点使得它在多媒体处理领域得到了广泛的应用。开发基于
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FLASH 642 DM 二级
- 据国外媒体报道，日本国内的半导体巨头重新开启了增产投资的大门。东芝公司一直生产手机等设备上使用的闪存，并在该领域排名全球第二，该公司计划与美国公司共同出资1500亿日元，以提高这方面的产能，增产程度约为4成。尔必达公司主要生产PC的内存，该公司计划在2010财年向主要生产厂投资600亿日元，将出货量提高3成。
自今年夏天以来，全球半导体市场呈现坚挺的走势，PC销售等在需求的刺激下得到恢复。全球经济危机后，日本IT业大公司一改过去的谨慎投资的态度而变为积极投资，以期待与韩国三星公司展开竞争。
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东芝 NAND
- 自2009年夏季起全球半导体市场需求回温，日本半导体大厂增资动作亦转趋积极。日本经济新闻报导指出，东芝(Toshiba)将与美国业者共同投资1,500亿日圆(约16亿美元)于NAND Flash事业，提高约4成产能;尔必达(Elpida)亦计划在2010年度中，投资600亿日圆于主力据点，以增加3成出货量。
报导指出，东芝拟于2010年度初期在三重县四日市NAND Flash厂导入尖端设备，此亦为2007年来东芝在NAND Flash事业上的大举投资。据悉，增设新生产线后，整厂生产规模将由26万
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东芝 NAND
- 据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元(约合22亿美元)扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
报道称，东芝当前还计划在2012年3月之前，为半导体产业投资总计5000亿日元。市场调研公司iSuppli上周发布研究数据显示，今年第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
iSuppli的报告称，全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。
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- 据台湾媒体报道，近期市场传出中芯国际将切割代管的成都厂及武汉厂等两地晶圆厂，而两座厂将可能由中芯前总裁张汝京出面统筹管理，张汝京等于找到了新舞台。
台湾媒体引述“内部人士”的话报道称，成都及武汉两地政府日前希望与中芯国际CEO王宁国见面，但王宁国未有正面回应，目前中芯切割两晶圆厂政策已是箭在弦上，成都市政府上周密会中芯前总裁张汝京，两地政府希望未来成都厂及武汉厂由张汝京出面统筹管理。
据报道，中芯在张汝京时代，曾与成都、武汉等两地方政府达成协议，成都市政府出资成立成
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- 据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli最新研究数据显示，第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其NAND闪存营收较第二季度的9.24亿美元增长了47.5%，达14亿美元。东芝在全球NAND闪存市场上位居第二，仅次于三星电子。
iSuppli资深分析师Michael Yang说：“东芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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- 东芝公司本周一发布了据称为业内最大容量的64GB嵌入式NAND闪存模组。这种模组内建专用的控制器，并内含16个采用32nm制程技术制作的32Gbit存储密度的闪存芯片，这种闪存芯片的厚度则仅有30微米。
这款内存模组产品装备在便携设备如iPod/智能手机等之上后，手机的存储容量将实现倍增。比如采用单闪存模组设计的iPhone的容量可由原来的32GB提升到64GB,而采用双闪存模组设计的iPod touch的最大容量则可达到128GB。
东芝本月将开始对外提供这种64GB嵌入式闪存模组的
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东芝 NAND 嵌入式 闪存模组
- 两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出，继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后，海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元，使得尔必达(Elpida)和美光(Micron)加紧脚步与台系DRAM厂合作，尽管过去喊出的台美日厂连手抗韩策略，在DRAM整合戏码停摆后没再被提起，但DRAM厂指出，实际上全球4大DRAM阵营板块运动，仍按照台美日厂连手抗韩局势发展。
随着三星和海力士都扩增2010年资本支出，隐约释出对
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- 延长Flash存储嚣使用寿命的研究,引 言
随着嵌入式系统在数码相机、数字摄像机、移动电话、MP3音乐播放器等移动设备中越来越广泛的应用，Flash存储器已经逐步取代其他半导体存储元件，成为嵌入式系统中主要数据和程序载体。Flash存储器又称闪存
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nand flash 介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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