- 华润微电子有限公司(“华润微电子”)旗下华润上华科技有限公司(后简称“华润上华”)于上海举办技术论坛，主题为“BCD系列工艺技术为绿色节能IC产品增值”。本次论坛由上海市集成电路行业协会协办，是该协会首次与企业合作举办论坛，也是华润上华举办的第一场针对某个工艺的小型专题技术论坛。论坛吸引了共计100余位来自模拟IC设计公司的听众。
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华润上华 IC设计 工艺 BCD
- 传感器的发展和传感器制造的工艺有着密切的联系，在近现代的科技发展中，制造工艺的进步也促进了传感器制造业的进步。传感器在近现代主要的制造工艺有四种，分别是集成传感器、薄膜传感器、厚膜传感器和陶瓷传感器。
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介绍 分类 工艺 制造 传感器
- 刻蚀即通过物理或化学的方法去除非光刻胶或硬掩膜覆盖区域的材料。通常有两种方法，分别为干法刻蚀和湿法刻蚀，它们各有优缺点。但对于工艺灵活性、刻蚀精确度和可重复性等方面来说，干法刻蚀居主导地位。对于SOl波导
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特点 工艺 SOl 波导
- 对于SOl波导来说，CVD技术一般用来淀积其上包层，通常为二氧化硅或氮化硅。对于调制器等有源器件来说，这一层还起着隔离金属电极减小电极对波导造成损耗的作用，所以厚度一定要选择合适，不能太薄，如果薄了就不能起
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工艺 特点 沉积 气相 SOl 化学 波导
- 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国
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分析 工艺 制造 芯片 LED
- 标签：变压器变压器 bian ya qi利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置，主要构件是初级线圈、次级线圈和铁心(磁芯)。在电器设备和无线电路中，常用作升降电压、匹配阻抗，安全隔离等。变压器的最基本型式，包括两组
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- 随着液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注，但高电压(40V以上)工艺在中国基本还处于空白。本文着重介绍40V高压工艺平台所面临的主要问题和关键工艺：锑注入，外延生长之后的光刻对准和非
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工艺 开发 芯片 驱动 高压 液晶显示 40V
- 本文以比较器为基本电路，采用恒流源充放电技术，设计了一种基于1.0mu;m CMOS工艺的锯齿波振荡电路，并对其各单元组成电路的设计进行了阐述。同时利用Cadence Hspice仿真工具对电路进行了仿真模拟，结果表明，锯齿波
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CMOS 1.0 工艺 锯齿波
- 1 概述TLC5510是美国TI公司生产的新型模数转换器件(ADC)，它是一种采用CMOS工艺制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采样率为20MSPS。由于TLC5510采用了半闪速结构及CMOS工艺，因而大大减少了器件中比较器的数
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CMOS 5510 TLC 工艺
- 1 引言 作为连接设计和制造的桥梁和纽带，CAPP不仅是制造企业准备工作的首要步骤，而且是企业各部门信急交汇的重要环节。由于CAPP在CIMS中的地位和作用，工艺规划的自动生成(也即智能工艺设计)被视为生产自动化中
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- 1 引言 本文在传统锁相环结构的基础上进行改进，设计了一款用于多路输出时钟缓冲器中的锁相环，其主 要结构包括分频器、鉴频鉴相器(PFD)、电荷泵、环路滤波器和压控振荡器(VCO)。在鉴相器前采用预 分频结构减小时
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CSMC PLL 工艺 零延时
- 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国
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- 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)宣布提供针对公司High-Q™集成无源器件(IPD)工艺的完整从前到后工序工艺设计套件(PDK)。这PDK开发是为了配合安捷伦科技的先进设计系统(ADS) 2011电子设计辅助(EDA)软件一起使用，使安森美半导体及安捷伦科技的客户能够充分利用业界最全面射频(RF)及微波设计平台的优势。
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安森美 无源器件 工艺
- 每逢夜幕降临，街市上华灯初亮，而独树一枝的五彩霓虹灯显得格外亮丽醒目，它将宾馆、大厦、商场及娱乐城装饰得多姿多彩。然而这种传统的霓虹灯制作工艺复杂，造价成本高、耗电惊人，维修难又容易遭破损等问题。新型
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工艺 制作 霓虹灯 新型
- 摘要：为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理
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输出 缓冲 电路设计 芯片 数字 工艺 多功能 CMOS
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