意法半导体（ST）日前公布了一款针对无线基础设施设备开发的多用途微控制器的细节。这个代号为"GreenFIELD"、产品编号为STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC处理器核心、16Mbit片上eDRAM内存、eFPGA（嵌入式现场可编程逻辑门阵列）模块以及各种模拟和数字外设。GreenFIELD-STW21000是ST无线基础设施产品部发布的第二款先进的系统芯片产品。 GreenFI
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DRAM ST 微控制器 存储器
日立公司日前宣布，将通过换股方式将其控股的“Hitachi Mobile”公司转为全资子公司，后者主要锁定汽车电子、通讯产品等市场。Hitachi Mobile成立于1950年，目前日立公司持有其64.8%股份。据悉，Hitachi Mobile的股东明年初将开会表决收购事宜。 根据换股协议，日立公司和未来的全资子公司将合并其车用电子产品的研发、生产和工程服务业务。日立希望透过整合能够更快速地因应市
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DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压，并需要等于电源电压一半的基准电压（VREF＝VDD/2）。此外，各逻辑输出端都接一只电阻器，等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时，必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压，并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5～28V下工作。
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来自市场研究机构DRAMeXchange的最新数据，6月份全球DRAM出货量(折合为256M比特DRAM内存)增长了4%，达到了5.54亿件，其中DDR内存的比例从5月份的63%下滑到了61%，DDR2的比例为30%。 DRAMeXchange预测，随着DDR内存出货量的削减，其供应紧缺状况贯穿整个第三季度，而DDR2内存市场，就出货量而言，Powerchip半导体公司和ProMOS 科技公司在我国台湾厂商中处于领先地位。该研究机构还预测
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DRAM 存储器
国际DRAM厂供应货源不足因应旺季需求 OEM厂转向台厂寻求产能支应。由于OEM计算机大厂担心进入下半年产业旺季后，目前库存货源可能不敷使用，近期纷纷开始增加对DRAM厂下单，惟国际DRAM厂已陆续转移产能生产标准型DRAM颗粒以外的产品，因此供货情况未能满足国际OEM计算机厂需求，为此，OEM计算机厂也转向台湾DRAM厂寻求产能支应，且以过去主力供应现货市场的DRAM厂为主，据传订单数量相当惊人。 TRI观点：以产业链各厂商的动态来观察DRAM产业目前上下游市况如下：
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DRAM厂商第2季财报恐多出现赤字，早盘股价纷纷拉回修正，盘中力晶、南科、茂德跌幅均超过1%以上，茂硅一度跌停。 据港台媒体报道，DRAM 价格第 2 季处于低档，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)会计盈转亏，税后亏损 1.28 亿美元、每股亏损 0.2&nbs
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进入第二季底，多数DRAM厂原本为应对季底作帐而压低DRAM报价，不过，由于日前合约价公布后竟逆势上涨1～3%，让所有DRAM厂吃下定心丸，不再担心DRAM现货价恐将因DRAM厂抛货而产生跌价压力。DRAM渠道商指出，现在DRAM厂态度可说是相当强硬，客户端若无法接受其报出价位，宁可不卖也不愿压低报价。 全球DRAM最新合约价公布后，尽管无法达到DRAM厂原本希望上调到3～5%的幅度，但部份OEM电脑大厂已接受DRAM厂上调1～3%的事实，而DRAM厂之所以能顺势涨价，最重要因素在于目
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5月26日消息，近几个月以来，全球DRAM大厂为配合英特尔（Intel）及国际计算机大厂全力推动DDRII成为下一世代的计算机主流架构，纷纷加速将产能转换至DDRII，因而造成DDR产出量迅速下滑。也由于计算机大厂对于DDRII做出“过于乐观”的错误判断，反而需回头向中国台湾DRAM厂采买更多的DDR颗粒以因应市场需求。 DRAM厂指出，过去几个月以来，戴尔（Dell）、惠普（HP）等个人计算机（PC）大厂，对于推升DDRII成为市场主流的态度越来越积
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近来台湾DRAM晶圆厂人事异动频繁，包括华邦电（2344）原记忆体事业部资深高阶主管王其国，以及力晶（5346）原创始元老曾邦助，都相继转换跑道，为其他DRAM业者效力，加上华邦电近半年来亦出现研发人员流动率偏高情况，DRAM业界多认为，尽管人员流动不至于影响DRAM厂既有运作，但仍凸显出DRAM产业高度不确定及不稳定特性。 华邦电发言人温万寿19日表示，王其国原任华邦电BG2（Business Group 2）事业群总经
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DRAM 其他IC 制程
根据彭博资讯(Bloomberg)，证券业者花旗集团旗下半导体分析师，宣布将DRAM业者包括美光集团科技(Micron)、英飞凌(Infineon)与南亚科技等的股票投资评等调高，理由是认为DRAM价格下跌的状态将开始减缓。 据了解，花旗将Infineon和南亚科技的评等由“持有”调高至“买进”，Micron和茂德(PronMOS)则由“卖出”调高至“持有”，韩国三星电子评等维持不变在“持有”。分析师指出，价格可能在下个月或其后一个约触底，而全球
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2005年3月A版 尽管2005年世界半导体业的销售值势比上年大幅下降，但销量将继续快速增长。为迎接这一需求，2005年300mm晶圆片生产线将加速建设。据iSuppli公司预测，当年将共建成16条生产线，比2003和2004年所建线加在一起还多。 2005年建设高潮是经历多年才形成的。早在1998年建成的300mm线，其回报在2001年经济衰退中受到严重打击，可执着坚持的公司却在2004年半导体市场再创新高时获得丰厚回报。
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英飞凌科技公司在2004年IEEE（电子和电气工程师学会 2004年12月13～15日于美国旧金山举行）国际电子器件会议（IEDM）上，展示了该公司具有高生产性的、适合未来DRAM产品的70 nm工艺技术，此技术以在300 mm晶圆上的深沟（DT）单元为基础。目前全球25％的DRAM生产都是以沟槽技术为基础的。在其报告中，英飞凌阐述了全部集成计划和主要技术特征――包括首次在基于沟槽技术的DRAM生产流程中使用高介电常数物质。英飞凌70 nm DRAM程序堪称重大技术突破，显示了沟槽技术的可伸缩性。
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2004年12月20日，瑞萨宣布该公司用于2.5G和3G手机的SH-Mobile*1 应用处理器将纳入LG电子公司制造的一种新型GSM/EDGE*2 移动电话。
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iSuppli最新发布的报告指出，今年上半年全球DRAM市场规模比去年同期增长66%，中国市场增长88%，其次为亚太地区(不含中国)的81%。日本经济情况改善，其DRAM销售增 长70%。美国仅仅增长48%，远不及全球的66%。 在主要供货商方面，Hynix、Elpida Memory与大部份台湾地区供货商在上半年的占有率都比去年有所增长；而三星、美光与英飞凌的市场份额则在下降。中国是全球增长最迅速的DRAM市场，Hynix是该地区的领导厂商，市场占有率高达42%，去年同期为40%。
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Mobile Broadcasting公司宣布3月13日成功发射了一颗广播电视业务卫星，同时表示商用服务将如期於2004年7月开通。此卫星将以广播服务主，并提供部分收费性内容服务，同时计划投专用接收终端
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