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mmic-basic 文章 最新资讯

一种基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关

  • 摘要:射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能。其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标。在实际测试中,S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号。在此基于
  • 关键字: 单刀  单掷  开关  GaAs  波段  MMIC  技术  基于  

利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA

  • 在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术,包括过滤和低 ...
  • 关键字: GaAs  PHEMT  MMIC  LNA  

PC机与单片机多机实时通信的设计与实现

  • 【摘要】介绍了一种在Windows平台下PC机与多台单片机利用RS-485和RS-232C串行口实现实时通信的方法,并对该系 ...
  • 关键字:   Visual  Basic  串行通信控件  RS-485  RS-232C  

美国高速武器数据链技术取得重大突破

  •   美国空军研究实验室(AFRL)已完成了其“经济上可承受的武器数据链插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion,AWDI)研究项目。   
  • 关键字: SoC  MMIC  

低噪声高线性度的3.5GHz LNA设计

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 低噪声  高线性度  LNA设计  MMIC  

Hittite发布两个最新的GaAs MMIC SP4T开关

  •   近日,全球知名的射频微波MMIC厂商Hittite公司推出两个SMT封装的GaAs MMIC SP4T开关(单刀四掷),HMC641LP4E和HMC944LC4,从而为高达30GHz的工业传感器、测试测量设备、微波通讯、电子对抗和空间应用领域提供理想解决方案。   HMC641LP4E是一个额定工作频率从直流到20 GHz 的MMIC SP4T开关。这个宽频带、无反射型开关中频段的插损为2.3 dB,隔离度为42 dB,其片上二进制解码器只需0 / -5 V控制。其输入P1dB和输入IP3分别高达+
  • 关键字: Hittite  开关  HMC641LP4E  MMIC  

以BASIC语言为基础的8051开发环境介绍

  • 以BASIC语言为基础的8051开发环境介绍,BASCOM-8051开发环境是以BASIC语言为基础的单片机编程系统,具有易学易用、功能强大、开发周期短等特点。   一、命令分类示例  1、伪指令  伪指令是一些对开发环境的设置指令,如:$Large是说明应用程序大于2K
  • 关键字: 环境  介绍  开发  为基础  语言  BASIC  

NJR开发GaAs MMIC NJG1139UA2 适合于便携式数字电视

  • 日本无线(NJR)现开发完成了GaAsMMICNJG1139UA2,并已开始供货了。该产品是设有旁通电路的宽带低噪音放大器,...
  • 关键字: GaAs  MMIC  NJG1139UA2  数字电视  LNA  

SiGe半导体任命高国洪担任亚太区市场推广总监

  •   全球领先的无线射频(RF)前端解决方案供应商SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)宣布,任命高国洪(Daniel K. Ko)担任亚太区市场推广总监。高国洪将负责制订和执行面向特定地区和产品的战略和战术营销计划,以改善产品定位,并在快速增长的亚太地区中赢得具有竞争力的市场份额。   高国洪将与外部合作伙伴、内部工程团队及SiGe半导体的客户服务和现场应用工程师团队密切工作,充分发挥公司在亚太区无线消费电子市场的拓展能力。   SiGe半导体市场推广副总裁Alistair M
  • 关键字: SiGe  RFIC  MMIC  

DC~40 GHz反射型GaAs MMIC SPST开关

  • 介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC~40 GHz,插入损耗≤0.8 dB,隔离度≥25 dB,驻波比≤1.4:l。同时,对电路的通孔特性进行了分析,对电路设计流程进行了阐述。要获得期望带宽的开关,如何选择控制器件的通孔连接方式,以及通孔数量对插入损耗等性能的影响。最终,具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发。
  • 关键字: GaAs  MMIC  SPST  GHz    

SiC衬底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1~10.1 GHz时连续波输出功率大于10W,带内增益大于12 dB,增益平坦度为±0.2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
  • 关键字: MMIC  SiC  GaN  衬底    

带有旁通性能1SEG用宽带低噪声放大器GaAs MMIC NJG1129MD7现开始发放样品

  • 新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器(下称LNA)GaAs MMIC NJG1129MD7,现开始样品供货。 近年来,手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加,因终端接收信号灵敏度不足,故具有高增益/高线性/低噪声的高性能LNA是市场需要。新日本无线为满足这种市场需求,开发了NJG1134HA8(08年3月27日发表)。NJG1129MD7就是为了满足市场所求的更高灵敏度,所开发了1SEG用宽带LNA GaAs MMIC。 该产品是可支持47
  • 关键字: 新日本无线  宽带低噪声放大器  GaAs MMIC NJG1129MD7  

用并行口的温度纸条图表记录器(04-100)

  •   通过并行口与4个TMP121 IC温度传感器进行通信的温度纸条图表记录器是一种简单、便宜的实现方法(图1)。用基本的串行外设接口传感器经并行口进行通信。因为传感器消耗特别低的静态电流(一般为50mA),所以并行口也能用来为器件提供电源。   除芯片选择线之外的所有TMP121引脚并联连接。工作期间,用芯片选择线单独存取器件。换句话说,被选择器件的SO数据输出是有效的,而其他器件的数据输出处于高阻抗状态。本电路可扩展到包括10个温度传感器,简单地连接处于并行的扩展器件的公共引脚并从25引脚连接
  • 关键字: 传感器  Visual Basic  TMP121  

安华高科技面向测试和测量市场推出支持高带宽的MMIC产品

  • Avago Technologies(安华高科技)日前宣布,推出三款专门用来满足无线网络测试和测量设备应用复杂功能需求的新MMIC产品。AMMC-6380、-6470与-6350为相当适合需要高精度高频仪器和信号处理支持测试和测量应用的微电路产品。      采高效率串接式设计,Avago的AMMC-6380是一个相当适合高增益和高带宽应用的DC到80 GHz行波放大器,AMMC-6470则是可以以300 mA低直流静态电流工作的40到
  • 关键字: 测试  测量  安华高科技  MMIC  通信基础  

安华高科技推出支持高带宽的先进MMIC产品

  • Avago Technologies(安华高科技)宣布,推出三款专门用来满足无线网络测试和测量设备应用复杂功能需求的新MMIC产品,Avago是为通信、工业和消费类等应用领域提供模拟接口零组件的领导厂商。AMMC-6380、-6470与-6350为相当适合需要高精度高频仪器和信号处理支持测试和测量应用的微电路产品。   采高效率串接式设计,Avago的AMMC-6380是一个相当适合高增益和高带宽应用的DC到80 GHz行波放大器,AMMC-6470则是可以以300 
  • 关键字: 通讯  无线  网络  安华高科技  MMIC  高带宽  
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