- O 引言 Flash是一种非易失存储器，它在掉电条件下仍然能够长期保持数据。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等优点，近几年在U盘、SD卡、SSD硬盘等各种移动存储设备中得到了广泛的应用。本文给出了
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芯片 设计 控制 flash SD NAND 用于
- 据iSuppli公司，由于智能手机以及平板电脑的使用量增加，2010年全球NAND闪存营业收入将达到最高纪录。
预计2010年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电子产品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需双双增长，2011年NAND闪存市场将继续增长，尽管不及今年强劲。iSuppli公司的数据显示，预计明年NAND闪存市场上升25%至225亿美元。
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NAND 智能手机
- 2010年对于全球半导体产业而言，可说是值得纪念的一年，拓墣产业研究所研究员陈兰兰表示，2010年全球半导体产业年成长率将高达30%，创下10年以来新高纪录。然而，受到PC产业成长趋缓影响，2011年全球半导体产业仅将成长5%，移动通讯产品反成为支撑整体产业成长的重要动能。预估2011年移动通讯用产品占总体半导体比重将从2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也将随着智能手机等移动通讯产品兴起而与日俱增。
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SAMSUNG DRAM NAND
- NAND Flash的坏块管理设计,摘要：主要介绍了基于嵌入式Linux的NAND Flash坏块管理设计和实现方案，详细阐述了坏块映射表的建立、维护及其相关算法，同时分析了此坏块算法在Linux内核及Bootloader中的具体应用。测试结果表明该算法能够处理NAND
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设计 管理 Flash NAND
- 给出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的设计方法，文中集中研究了其中的软件部分，探讨了管理flash物理块的算法，提出了块级和页级两级地址映射机制以及映射信息在flash的存储定义，同时还提出了对flash的分区方法。
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设计 实现 算法 管理 Flash NAND
- 随着DRAM和NANDFlash市场价格持续崩跌，不仅上游DRAM厂营收纷呈现大幅衰退情况，下游存储器模块厂亦受到牵累，10月营收亦持续下滑，其中，威刚10月营收较9月减少达17.1%。威刚表示，预期11月营收将因为产业景气进入淡季，而持续呈现衰退景况，公司因应策略是致力降低库存水位，将库存维持在约3~4周水平。
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DRAM NAND
- 随着DRAM和NANDFlash市场价格持续崩跌，不仅上游DRAM厂营收纷呈现大幅衰退情况，下游存储器模块厂亦受到牵累，10月营收亦持续下滑，其中，威刚10月营收较9月减少达17.1%。威刚表示，预期11月营收将因为产业景气进入淡季，而持续呈现衰退景况，公司因应策略是致力降低库存水位，将库存维持在约3~4周水平。
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三星 DRAM NAND
- 集邦科技旗下研究机构 DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成员如：三星 (Samsung)、诺基亚(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州仪器(TI)、意法半导体(ST)等国际大厂，近期正在积极推动新的 NAND Flash 应用接口标准 UFS (universal Flash storage)的规格制定事宜。
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三星 NAND UFS
- 三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂，决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用。据南韩电子新闻报导，三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线，将于2011年下半开始优先量产闪存。
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三星半导体 NAND
- DRAMeXchange 最新发表的研究报告指出，固态硬盘(SSD)一直以来为各家 NAND Flash 厂商所寄予厚望的产品，主要是固态硬盘对于 NAND Flash 的使用量来说是一般内建式应用产品、U盘与记忆卡的数倍之多，因此对于固态硬盘对于NAND Flash消耗量来说有很大的帮助。
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固态硬盘 NAND
- 固态硬盘一直以来为各家NAND Flash厂商所寄予厚望的产品，主要是固态硬盘对于NAND Flash的使用量来说是一般内建式应用产品、随身碟与记忆卡的数倍之多，因此对于固态硬盘对于NAND Flash消耗量来说有很大的帮助。而从消费者的论点来看，固态硬盘的传输速度为传统硬盘的两倍以上，同时也兼具了省电与抗震动的特点，因此，DRAMeXchange认为，在未来高画质影音与大容量档案传输的需求将大幅提升之下，对于固态硬盘的需求若能在价格有效下降至可接受的范围将会开始提升。
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固态硬盘 NAND
- 美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光获奖的25nm NAND 已获日立LG数据储存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 简称 HLDS) 采用作为其新型混合光驱 (ODD) 的闪存解决方案。此款采用美光 25nm NAND 技术的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量储存和可修改功能，是针对个人计算机、DVD 播放器和蓝光产品的综合解决方案。
美光的 25nm NAND 处理技术提供单一设备中8GB 储存容量，满足新应用
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美光 NAND
- 高调宣布走出破产保护阴影的Spansion公司日前公布了其2010财年第二季度财报，公司非GAAP调整后净收入已经从2009年同期的2240万美元上升至2740万美元;GAAP净收入为3.418亿美元，与2010 Q1财季相比，仍继续保持着稳定的财务态势。Spansion是否能够卷土重来?业界一直存在颇多争议之声。日前，该公司企业营销总监John Nation就公司发展策略、核心业务、技术趋势等话题接受了专访。
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Spansion NAND
- NAND Flash大厂三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)制程竞赛拼得火热，在产出持续大幅增加下，10月上旬NAND Flash合约价再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高达5~7%，低容量芯片价格则是几乎持平，市场预期日前平板计算机和智能型手机 (Smart Phone)都内建高容量的NAND Flash存储器，在年底圣诞节最后一波促销热潮之下，有机会提升NAND Flash市场的需求，弥补2010年快闪记忆卡和随身碟都卖相不佳的缺憾。
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三星 NAND
mlc nand介绍
MLC NAND
目录
1定义
2MLC芯片特点
3与SLC对比
1定义
MLC 全称为Multi-Level Cell，多层单元闪存，MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较高。
一般厂家宣称可以保证得擦除次数是3，000次 。这一点与SLC得100，000的擦除次数有不小的差异。
2MLC芯片特点
1、传输速率 [
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