- 全球正加速向电气化转型，尤其是在交通和基础设施领域。无论是乘用车还是商用/农业车辆(CAV)，都在转向电动驱动。国际能源署(IEA)2022 年的数据显示，太阳能发电量首次超过风电，达到1300TWh。转换能量需要用到逆变器和转换器。太阳能光伏(PV)板产生直流电，而电网中运行的是交流电。电动汽车(EV)的情况类似，其主驱电池系统提供直流电，而发动机中的主驱电机需要交流电。在这两种情况下，电力转换过程的能效具有重要影响，因为任何能量损失都会转化为热量，这就需要风扇或散热器等散热措施，进而会扩大整体解决方案
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QDual3 电源转换 IGBT
- 摘要本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比，该模块采用了分段式栅极沟槽（SDA）结构，并通过可以控制载流子的等离子体层（CPL）结构减少芯片厚度，从而显著的降低了功率损耗。特别是，在开通dv/dt与传统模块相同的情况下，SDA结构可将Eon降低约60%，通过大幅降低功率损耗，模块可以提高功率密度。通过采用这些技术并扩大芯片面积，第8代1200V IGBT功率模块在相同的三菱电机LV100封装中实现了1800
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三菱电机 IGBT
- 引言近几年新能源车发展迅猛，技术创新突飞猛进。如何设计更高效的牵引逆变器使整车获得更长的续航里程一直是研发技术人员探讨的最重要话题之一。高效的牵引逆变器需要在功率、效率和材料利用率之间取得适当的平衡。当前新能源汽车牵引逆变器的功率半导体器件几乎都是基于单一的硅基(Si) 或者碳化硅基（SiC）。Si IGBT 或宽带隙 SiC MOSFET功率半导体具有不同的性能特点，可以适合不同的目标应用。单一性质的IGBT器件或SiC器件在逆变器应用中很难同时满足高效和成本的要求。如今越来越多的设计人员希望以创造性的
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英飞凌 IGBT
- 高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路，驱动高压、高速MOSFET 而设计。《高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析》白皮书从静态功率损耗分析、动态功率损耗分析、栅极驱动损耗分析等方面进行了全面介绍。图 1 显示了 HVIC 的典型内部框图。主要功能模块包括输入级、欠压锁定保护、电平转换器和输出驱动级。栅极驱动器损耗
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MOSFET IGBT 栅极驱动器 功率耗散
- 碳排放量的根本源头在于能源消耗的多寡与能源转换效率的高低，特别是在电能转换成热能或冷能的家电产品上。为了鼓励民众使用高能效的家电产品，政府推出了使用一级能效等级家电即提供高额补助奖金的政策。目前市面上的冷气机和冰箱已经广泛采用变频压缩机技术，一级能效产品屡见不鲜，但高能效的电热水器产品却相对稀少。 热泵热水器是一种利用少量电能驱动压缩机冷媒，并将冷媒转态时产生的热能传送到贮水装置以加热水源，同时排出冷空气的设备。其加热效果大约是传统能源（市电、天然气、柴油）的三倍。与传统电热水器相比，热泵热水器
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世平 安森美 NFAL5065L4BT IPM 热泵热水器 压缩机驱动器
- 如下图，是IGBT产品典型的输出特性曲线，横轴是C，E两端电压，纵轴是归一化的集电极电流。可以看到IGBT工作状态分为三个部分：1、关断区：CE间电压小于一个门槛电压，即背面PN结的开启电压，IGBT背面PN结截止，无电流流动。2、饱和区：CE间电压大于门槛电压后，电流开始流动，CE间电压随着集电极电流上升而线性上升，这个区域称为饱和区。因为IGBT饱和电压较低，因此我们希望IGBT工作在饱和区域。3、线性区：随着CE间电压继续上升，电流进一步增大。到一定临界点后，CE电压迅速增大，而集电极电流并不随之增
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IGBT
- 今天给大家分享的是：IGBT的损耗与结温计算。与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。这里将主要介绍一下：如何测量功率计算二极管和IGBT芯片的温升。一、损耗组成部分根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导
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IGBT 损耗 温升
- 在当今能效需求日益增长的时代背景下，家电及HVAC系统的设计师们正全力以赴地追求更高的能效标准。与此同时，他们也积极响应消费者对可靠、静音、紧凑且经济实用的系统的期待。市场上的主要设计挑战在于，如何在不增加系统成本的前提下，设计并开发出更为小巧、高效且经济适用的电机驱动器。这一挑战要求设计师们不断创新，以实现能效与实用性的完美结合。基于以上背景，德州仪器（TI）再次走在行业前沿，通过其最新发布的DRV7308氮化镓（GaN）智能功率模块（IPM），为高压电机驱动系统带来了革命性的改变。近日，德州仪器在发布
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德州仪器 TI 氮化镓 IPM 智能电源模块
- ● 650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。● 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。德州仪器 (TI)近日推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V 三相 GaN IPM。这款全新的 GaN IPM 解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统时通常面临的许多设
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德州仪器 GaN IPM 高压电机
- 650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。中国上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V 三相 GaN IPM。这款全新的 GaN IPM 解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统时通
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德州仪器 TI 氮化镓 IPM 智能电源模块
- 安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来出色的效能表现，有助于降低系统成本并简化设计。在用于 150 千瓦的逆变器中时，QDual3 模块的损耗比同类竞品少 200 瓦（W），从而大大缩减散热器的尺寸。QDual3模块专为在恶劣条件下工作而设计，非常适合用于大功率变流器
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安森美 IGBT 再生能源
- 01IGBT是什么？IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；（因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN结材料和厚度有关））MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很大）IGBT综合了以上两种器件的
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IGBT 功率半导体
- Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置，以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。 该驱动器
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SiC MOSFET IGBT 低侧栅极驱动器
- 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex™ XLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个LV100（三菱）、XHPTM 2（英飞凌）、HPnC（富士电机）以及耐压高达2300V的同等半导体功率模块，该模块适用于储能系统以及风电和光伏可再生能源应用。该款超紧凑单板驱动器可对逆变器模块进行主动温升管理，从而提高系统利用率，并简化物料清单(BOM)以提高逆变器系统的可靠性。Power Integrations产品营销经理Thors
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Power Integrations IGBT 门极驱动器
- 本文旨在为 SPM 31 v2 系列功率模块设计提供实用指南，该系列智能功率模块 (IPM) 适用于三相电机驱动，包含三相变频段、栅极驱动器等。设计构思SPM
31 v2 旨在提供封装紧凑、功耗更低且可靠性更高的模块。为此，它采用了新型栅极驱动高压集成电路
(HVIC)、基于先进硅技术的新型绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，以及基于压铸模封装的改进型直接键合铜 (DBC)
衬底。与现有的分立方案相比，SPM 31 v2
的电路板尺寸更小，可靠性更高。其目标应用为工业变频电机驱动，例如商用空调
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功率模块 指南 IPM 三相电机
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