- 音响发烧友在孜孜不倦的追求目标，就是自己的音响器材有更纯真更自然的音质表现，单端纯甲类功放，音质醇厚,偶次 ...
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单端 FET 甲类 功放
- 电路的功能场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，
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VOO 检验 电路 VP FET 结合 使用 万用表
- 隔离式FET脉冲驱动器原理及设计三相控制整流器和变换器、矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率 ...
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隔离式 FET 脉冲驱动器
- 电路的功能在VCA（电压控制放大器）。由反馈环路组成电路时，通过控制反正电压来改变放大器增益。所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用CDS光耦合器。而在本电路中，是利用栅极源极之间的电压使沟道电阻发生变
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FET 结型 电压控制 放大器电路
- 在严苛的汽车环境中，各种功率场效应晶体管(power FET，功率FET)，被一贯地认为可承受极端的温度变化和热机械应力。间歇性短路、寒冷的运行环境、高压电弧或有噪声性短路，连同电感负载及多次短路久而久之会让该器件疲损，致使其进入开路、短路或阻性模式。
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RTP器件 FET
- 在计算和消费电子产品中，效率已经有了显著的提高，重点是AC/DC转换上。不过，随着80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等规范的出现，设计人员开始认识到，AC/DC和DC/DC功率系统都需要改进。 AC/DC平均系统
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改善 能量 效率 开关 FET 优化 变换器 通过
- 如果你想要得到显著的掺杂剖面结构及低阻值的p型GaN，那么就要考虑把你的载体气体由氢气置换成氩气。作者：Vla...
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GaN LED
- 在当今社会，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上个月发生的案例来说：英国伦敦一位名叫DamilolaTaylor的十岁男孩...
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GaN LED
- 超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压，已成为大功率LED的关键材料之...
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LED GaN MOSFET
- 简介
一提到电源设计，大多数工程师都会感到挠头，他们往往会问，“从哪里入手呢?”。首先必须确定电源的拓扑——包括降压、升压、flyback、半桥和全桥等。
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intersil FET DC/DC
- 1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅衬底 GaN
- Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，...
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MOCVD GaN LED芯片
- 摘要：氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点，使其具有带宽宽，高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了Agilent ADS等仿真软件，进行电路仿真设计，设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电
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GaN S波段 宽带 放大器
- 摘要：为了实现GaN基量子阱红外探测器，利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应，通过设计适当的量子阱结构，利用自发极化和压电极化的互补
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设计 探测器 红外 量子 GaN
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