- 实验目的(1)熟悉和掌握FPGA开发流程和Lattice Diamond软件使用方法;(2)通过实验理解和掌握移位寄存器原理;(3)学习用Verilog HDL行为级描述时序逻辑电路。实验任务本实验的任务是设计一个7位右移并行输入、串行输出的移位寄存器。实验原理如果将多个触发器级联就构成一个多位的移位寄存器,如下图所示,是以4位移位寄存器为例的逻辑电路图,其中的LD/SHIFT是一个置数/移位控制信号。当LD/SHIFT为1时,在CP作用下,从输入端A、B、C、D并行接收数据;当LD/SHIFT为0时,在
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移位寄存器 FPGA Lattice Diamond Verilog HDL
- 实验目的(1)熟悉和掌握FPGA开发流程和Lattice Diamond软件使用方法;(2)通过实验理解和掌握JK触发器原理;(3)学习用Verilog HDL语言行为机描述方法描述JK触发器电路。实验任务本实验的任务是设计一个JK触发器实验原理带使能端RS锁存器的输入端R=S=1时,锁存器的次态不确定,这一因素限制了其应用。为了解决这个问题,根据双稳态元件两个输出端互补的特点,用Q和非Q反馈控制输入信号,并用J代替S,用K代替R,构成了J-K锁存器。Verilog HDL建模描述用行为级描述实现的带异步
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JK触发器 FPGA Lattice Diamond Verilog HDL
- 实验目的(1)熟悉和掌握FPGA开发流程和Lattice Diamond软件使用方法;(2)通过实验理解和掌握D触发器原理;(3)学习用Verilog HDL语言行为机描述方法描述D触发器电路。实验任务本实验的任务是描述一个带有边沿触发的同步D触发器电路,并通过STEP FPGA开发板的12MHz晶振作为触发器时钟信号clk,拨码开关的状态作为触发器输入信号d,触发器的输出信号q和~q,用来分别驱动开发板上的LED,在clk上升沿的驱动下,当拨码开关状态变化时LED状态发生相应变化。实验原理从D触发器的特
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D触发器 FPGA Lattice Diamond Verilog HDL
- 实验目的(1)熟悉和掌握FPGA开发流程和Lattice Diamond软件使用方法;(2)通过实验理解和掌握RS触发器原理;(3)学习用Verilog HDL语言行为级描述方法描述RS触发器电路。实验任务本实验的任务是描述一个RS触发器电路,并通过STEP FPGA开发板的12MHz晶振作为触发器时钟信号clk,拨码开关的状态作为触发器输入信号S,R,触发器的输出信号Q和非Q,用来分别驱动开发板上的LED,在clk上升沿的驱动下,当拨码开关状态变化时LED状态发生相应变化。实验原理基本RS触发器可以由两
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RS触发器 FPGA Lattice Diamond Verilog HDL
- 1. 实验目的(1)熟悉和掌握FPGA开发流程和Lattice Diamond软件使用方法;(2)通过实验理解和掌握数码管驱动;(3)学习用Verilog HDL描述数码管驱动电路。2. 实验任务在数码管上显示数字。3. 实验原理数码管是工程设计中使用很广的一种显示输出器件。一个7段数码管(如果包括右下的小点可以认为是8段)分别由a、b、c、d、e、f、g位段和表示小数点的dp位段组成。实际是由8个LED灯组成的,控制每个LED的点亮或熄灭实现数字显示。通常数码管分为共阳极数码管和共阴极数码管,结构如下图
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七段数码管 FPGA Lattice Diamond Verilog HDL
- 为智能边缘设计系统正面临前所未有的困难。市场窗口在缩小,新设计的成本和风险在上升,温度限制和可靠性成为双重优先事项,而对全生命周期安全性的需求也在不断增长。要满足这些同时出现的需求,需要即时掌握特殊技术和垂直市场的专业知识。没有时间从头开始。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布在其不断增长的中端FPGA和片上系统(SoC)支持系列产品中增加了九个新的技术和特定应用解决方案协议栈,涵盖工业边缘、智能嵌入式视觉和边缘通信。Microchip FPGA业务部战略副总裁S
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Microchip FPGA PolarFire 协议栈
- 英特尔公司宣布计划拆分旗下的可编程解决方案事业部(PSG),将其作为独立业务运营。这一决定将赋予PSG所需的自主性和灵活性,以全面加速其发展,并更有力地参与FPGA行业的竞争,并广泛服务于包括数据中心、通信、工业、汽车和航空航天等领域在内的多个市场。英特尔还宣布,英特尔执行副总裁Sandra Rivera将担任PSG部门的首席执行官,同时Shannon Poulin将担任首席运营官。在英特尔的持续支持下,PSG部门的独立运营预计将于2024年1月1日开始。英特尔预计在发布2024年第一季度财报时,将PSG
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英特尔 PSG FPGA
- 10 月 6 日消息,据韩媒 Business Korea 报道,三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低,公司计划今年四季度起,调涨 NAND Flash 产品的合约价格,涨幅在 10% 以上,预计最快本月新合约便将采用新价格。▲ 图源韩媒 Business Korea自今年年初以来,三星一直奉行减产战略,IT之家此前曾报道,三星的晶圆产量大幅下降了 40%,最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域,之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量,眼下正试图推动
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三星 NAND flash 涨价
- 电机控制系统无处不在,据统计电机控制消耗了全球工业能源总用量的70%。随着电机系统变得更加精密复杂,提供各种速度能力,并且越来越多采用新材料设计,包括碳化硅和氮化镓来提升效率与性能,同时还能够降低能耗。新的现代电机需要先进的电机驱动系统来控制这些电机,这样才能使其扭矩、速度以及应变速达到最大,同时还能使能耗降到最低。电机驱动系统主要是有三个要素,第一是驱动器,第二是供电部分,第三是电机本身。因此专家也表示,提高电机的效率将对全球用电量产生显著的积极影响。提高这些应用的效率够使能耗降低15%到40%。所以,
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AMD Kria K24 SOM 电机控制 FPGA
- 英特尔今天通过官网正式宣布,将负责开发英特尔的 Agilex、Stratix 和其他 FPGA 产品的可编程解决方案部门(PSG)剥离,作为独立业务运营,目标是在两到三年后 IPO中出售部分业务。英特尔宣布将PSG独立,并推向IPO2015年5月底,英特尔宣布以167亿美元完成了对Altera的收购,成为了其后来的PSG部门,这也是英特尔史上规模最大的一笔收购。Altera在20年前发明了世界上第一个可编程逻辑器件,尤以FPGA芯片著称。随后在2020年,英特尔的竞争对手AMD也宣布以350亿美元的估值收
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英特尔 FPGA Altera
- IT之家 9 月 27 日消息,存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道,伴随着主要存储制造商的持续减产,已经市场去库存效果显现,预估 NAND Flash 价格回暖之后,DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损,2023 年以来已经进行了多次减产,目前相关效果已经显现,消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹,9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产,主要集中在 128 层以下产品中,在 9 月产量下降了
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存储 DRAM NAND Flash
- 为满足客户不断增长的需求,英特尔近日宣布将进一步扩大英特尔Agilex® FPGA产品系列的阵容,并继续扩展可编程解决方案事业部(PSG)的产品供应范围,以满足日益增长的定制化工作负载(包括增强的AI功能)的需求,同时提供更低的总体拥有成本(TCO)和更完整的解决方案。在9月18日的英特尔FPGA技术日(IFTD)期间,英特尔将重点介绍这些新产品和技术,届时硬件工程师、软件开发人员和系统架构师将与英特尔及合作伙伴专家进行深入交流和互动。 “今年1月,我们宣布对Agilex产品系列进行扩容,以便让
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英特尔 FPGA
- 据TrendForce集邦咨询研究显示,第二季NAND
Flash市场需求仍低迷,供过于求态势延续,使NAND
Flash第二季平均销售单价(ASP)续跌10~15%,而位元出货量在第一季低基期下环比增长达19.9%,合计第二季NAND
Flash产业营收环比增长7.4%,营收约93.38亿美元。自第二季起,三星(Samsung)加入减产行列,且预期第三季将扩大减产幅度,供给收敛的同时也在酝酿涨价,供过于求态势有望因此获得改善。不过,由于NAND
Flash产业供应商家数多,在库存仍高的情
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NAND Flash TrendForce
- 近日,三星(Samsung)为应对需求持续减弱,宣布9月起扩大减产幅度至50%,减产仍集中在128层以下制程为主,据TrendForce集邦咨询调查,其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度,目的加速库存去化速度,预估第四季NAND
Flash均价有望因此持平或小幅上涨,涨幅预估约0~5%。价格方面,如同年初TrendForce集邦咨询预测,NAND Flash价格反弹会早于DRAM,由于NAND
Flash供应商亏损持续扩大,销售价格皆已接近生产成本,供应商为了维持营运而选择扩大减产,以期带动价
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NAND Flash Wafer TrendForce
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