接上篇5 从 CAN 迁移到 CAN-FD引入 CAN-FD 不会影响目前使用的诸如 LIN 和 MOST 等汽车网络。要想把 CAN-FD 引入现有的 CAN 网络，需要 有适当的迁移路径。这是因为， CAN-FD 兼容性节点除了能 接受 CAN-FD帧外，也能接受当前的 CAN 帧，而不会出现 任何错误。但是，如果存在 CAN-FD 帧，常规 CAN 节点会 在网络上生成错误帧。OEM 可以通过几种措施来减轻迁移 至真正 CAN-FD 网络所需完成的工作量。典型方案：• 网络中部署的新 ECU 必须能
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CAN-FD 以太网 汽车
在汽车行业，汽车电子控制单元 (ECU) 经历了爆炸式增长。这些 ECU 在遵循行业标准的基础上还采用了一些专 用协议，逐渐从独立单元发展成了网络中的智能节点。其结 果是，汽车网络成本被拉低，同时其可靠性和性能得到了提 高。在过去的十年里，我们看到，数据总线逐渐发展成了车 载网络的标准。在接下来的十年里，我们相信，现有汽车 网络协议必将经历一系列的扩展，标准网络连接必将进入 汽车。本文对两种新的汽车网络连接协议进行了分析，即 CAN-FD。图1 标准 C
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CAN-FD 以太网 汽车
近日格罗方德12英寸晶圆厂落户中国成都引起业界关注，为何?因为FD-SOI技术。
众所周知，当栅极长度逼近20nm大关时，对电流控制能力急剧下降，漏电率相应提高。FinFET与FD-SOI恰是半导体微缩时代续命的高招。
尽管FinFET与FD-SOI师出同门，但是，两者却被“阵营化”，FinFET阵营占据绝对优势。格罗方德是为数不多的FD-SOI技术坚守与推动者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格罗方德12英寸晶圆厂能给出答案。
今天我们就来谈谈Fi
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FinFET FD-SOI
在今年，业界对FD-SOI的讨论终于从理论性的制程技术比较，转移到由产品与应用所决定的技术竞争。
因为没有可见的终端产品能证明其号称超低功耗的特色，全空乏绝缘上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半导体产业界许多工程师的质疑，例如：该技术的好处在哪?在商业市场上有实际产品吗?它真正的优势何在?
终于，现在有实际产品可以做为FD-SOI制程的实证──是一只中国智慧型手机品牌业者小米(Xiaomi)副品牌华米(Huami
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智能手表 FD-SOI
格罗方德9月8日发布12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，12FDXTM提供全节点缩放和超低功耗，并通过软件控制实现按需定制性能，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
随着数以百万计的互联设备出现，世界正在逐步融合为一体，众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统，集成包括无线连接、非易失性存
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格罗方德 FD-SOI
格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
随着数以百万计的互联设备出现，世界正在逐步融合为一体，众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统，集成包括无线连接、非易失性存储器以及电源管理等在内的越来越多的组件，
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格罗方德 FD-SOI
格罗方德半导体今日宣布一项全新合作伙伴计划FDXcelerator™，该生态系统旨在为客户加速基于22FDX™的片上系统设计，并缩短产品上市时间。
随着公司新一代12FDX™的发布，格罗方德现提供业内首个FD-SOI 路线图，并随之建立了FDXcelerator™合作伙伴计划，为希望实现先进节点设计的客户提供了一条低成本的迁移路径。
通过格罗方德半导体和FDXcelerator合作伙伴解决方案，客户将能打造各类创新的22FDX 片上系统解决方
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格罗方德 FD-SOI
由中国天津飞腾信息技术有限公司设计的一款64核中央处理器(CPU)及其服务器样机在硅谷举行的一场国际研讨会上首次公开亮相，连续3天的展示吸引了国际同行关注。
FT-2000/64处理器采用“进阶精简指令集机器”(ARM)架构，兼容64位指令集，集成64个飞腾公司自主设计的处理器核心，核心频率2.0千兆赫兹，浮点运算的峰值速度为每秒5120亿次，典型应用情形下的实测功耗100瓦。
在长宽各为55毫米的封装内、长25.38毫米和宽25.2毫米的硅半导体管芯上，借助28纳
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天津飞腾 FT-2000/64
Samsung Foundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该
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FD-SOI 存储器
产业资深顾问Handel Jones认为，半导体业者应该尽速转移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用该技术的众多优势…
半 导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28奈米以下之后的闸成本(gate cost)上扬;如下图所示，在制程微缩同时，每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持续增加，其速率高于晶圆片成本增加的速率。在另一方面，当制程特征尺寸缩 减时，晶片系统性与参数性良率会降低，带来较高的闸成本。
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FD-SOI 14nm
Globalfoundries技术长GaryPatton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
晶圆代工业者Globalfoundries技术长GaryPatton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
Globalfoundries声称其针对不同应用最佳化的22FDX平台四种制程，能提
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Globalfoundries FD-SOI
全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术正从原本的“迟到”(too-late)位置摇身一变，成为可望在物联网(IoT)与汽车市场取代鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
“我认为，FD-SOI正蓄势待发。也许还得经过几年的时间，但它终将获得新的动能，并发展成为一项关键技术，”International Business Strategies (IBS)创
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FD-SOI FinFET
身为一位记者，我发现撰写有关于“热门”公司、技术与人物的报导，要比我通常负责的技术主题容易得多;一旦我写了那些“时髦”的标题，我会确实感受到人气飙涨。
因 为几乎每家媒体都穷追不舍，我不需要向读者解释为何我要写那些，以及那些新闻为何对他们重要;我马上想到的是美国总统候选人川普(Donald Trump)、苹果(Apple)还有FinFET。而相反的，要写冷门题材、比较少人讨论的话题，挑战性就高得多;部分读者会有先入为主的看法，认为那 些题目不关他们
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FD-SOI FinFET
本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅(FD-SOI)的特点、最新进展及其生态系统，并将FD-SOI与FinFET作比较，分析了各自的优势、应用领域和应用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
中国芯片企业起步较晚，在发展中屡屡遭受国际巨头的“专利围剿”，通过支持重点企业的兼并重组及海外收购，培育具有核心竞争力的大型企业，无疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec FD-SOI
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