- 日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边MOSFET如何节省DC-DC转换器的空间和成本，该公司在其网站(http://www.vishay.com)上新增了一个流媒体视频，展示SiZ700DT PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET解决方案。
传统上，设计者要在笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器和游戏机，以及工业系统的DC-DC转换中实现系统电源、POL、低电流DC-DC和同步降压转换
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Vishay MOSFET DC-DC 转换器
- 英飞凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装，电阻仅为99毫欧)在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。
C6系列是英飞凌推
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英飞凌 MOSFET CoolMOS C6
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封装，型号为 FDMS7650。FDMS7650 可以用作负载开关或ORing FET，为服务器中心 (server farm) 在许多电源并行安排的情况下提供分担负载功能。FET的连续导通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服务器中心的总体效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封装以突破1
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Fairchild MOSFET FDMS7650
- 德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。
NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外，还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生
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TI MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，对其ThermaSim在线MOSFET热仿真工具进行了改进，为设计者提供更好的仿真精度、效率和用户友好度。
Vishay的ThermaSim是一个免费工具，可让设计者在制造原型前，对器件进行细致的热仿真，从而加快产品上市。ThermaSim是首款使用结构复杂的功率MOSFET模型的在线MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技术生成的MOSFET模型提高了仿真精度。
设计者还可以定义其他散热器件，并仿真这些元器件对M
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Vishay 热仿真工具 MOSFET ThermaSim
- 功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%.
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%,MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半导体
- 功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为 2833亿美元，增长率达到23.2%。
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%，MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率
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MOSFET IGBT
- Maxim推出单端口、供电设备(PSE)控制器MAX5971A，适用于IEEE® 802.3af/at兼容的大功率以太网供电(PoE+)应用。器件集成导通电阻为0.5Ω的功率MOSFET和检测电阻，有效节省了空间和成本，能够为IP电话、IP照相机、无线LAN接入点以及视频监控照相机等用电设备(PD)提供每端口高达40W的功率。
MAX5971A完全兼容IEEE 802.3af和IEEE 802.3at标准。器件工作在32V至60V电压范围，为IEEE 802.3af/at兼容
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Maxim 控制器 MOSFET
- 电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
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MOSFET VP-P 120 电压
- 电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
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MOSFET 高频特性 放大器
- 英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米(D2PAK的占板空间为150平方毫米)，高度仅为1毫米(D2PAK的高度为4.4毫米)。大幅缩小的封装尺寸结合低寄生电感，使设计者能以全新方式有效降低高功率密度应用所需的系统解决方案尺寸。
全新封装采用表面贴装方式，在8x8毫米的无管脚封装内，贴装业界标准TO-220晶粒，并具备金属裸焊盘，便于内部高效散热。其低矮外形便于设计者设计出更薄的电源外壳，满足当今市场对时
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英飞凌 MOSFET SMD ThinPAK
- 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评
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解析 能量 雪崩 UIS MOSFET
- 用作功率开关的MOSFET
随着数十年来器件设计的不断优化，功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动，加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代，平面栅极功率MOSFET
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考量 设计 MOSFET 功率 基于
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。
新款Si7625DN可用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关。适配器开关(在适配器、墙上电源和电池电源之间切换)通常是开启并且吸收电流。Si7625DN更低的
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Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
- 引言
通信电路板常常采用负载点(PoL)DC-DC转换器来为数字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供电。一般而言，一个48V的背板采用中间总线架构(IBA)作为电路板的输入电源，为不同负载点(PoL)供电，而中间电压通常选为12V(见图1)。这种传统方案包含一个分立式PoL，该PoL是以分立的方式使用控制器、驱动器和MOSFET。由于该方案需要额外的设计和制造时间，故半导体供应商目前开始转而采用完全集成的调节器解决方案，以期缩短上市时间，减小PCB空间，并使终端应用达到更高的效率水平。本
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Fairchild 电源设计 MOSFET
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