Diodes针对高电流应用推出两款新器件以扩展旗下AP21XX电源开关产品线。最新的单通道AP2101及AP2111可提供高达2A的连续输出电流,且经过优化,适合自我供电和总线供电USB,以及其他3-5V的热插拔应用。
AP2101及AP2111有SO-8及MSOP-8L-EP两种封装,简单而具有成本效益,适合各种消费类电子产品、通信及计算产品。AP2101及AP2111是高侧器件,可分别为设计人员带来低电平有效和高电平有效启用选择。
AP2101及AP2111的瞬态响应时间仅有5&m
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Diodes 电源开关 AP21XX
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET,为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。
ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计,能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(SLIC)DC/DC转换器对变压器中初级开关位置的严格要求。这些应用涵盖宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关。
两款新器件的击穿电压(BVDSS)分别为150V及200V,能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式,不需要额外的保护电
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Diodes MOSFET
Diodes 公司推出专为驱动低等效串联电阻(ESR)1µF MLCC电容器设计的一系列全新低压降线性稳压器 (LDO) ,用于降低系统级制造成本,并改善控制回路稳定性和瞬态响应。
AP731x 和 AP733x 分别为 150mA 和 300mA 的CMOS LDO,2V 至 6V的宽输入电压范围能满足固定或可调输出电压要求。固定输出电压 LDO 的范围为1.0V 至3.3V,而可调节器件能支持 0.8V 至5V 的输出电压。
这些LDO 器件的规定输出精确度为2%,可在特定
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Diodes 电容器 LDO
近期在美国亚特兰大举办的CEDIA Expo 2009上,Diodes公司的多通道DAC及数字前置放大器Zetex ZXCZM800在世界首次THX "Big Room"音频概念演示中起到了举足轻重的作用。Big Room是THX公司全新的产品设计和经过认证的概念,旨在为用于大型、多排媒体室和家庭影院的专业消费级放大器、前置放大器和扬声器带来专业的音频质量和性能。
作为首次演示的THX Big Room系列认证产品的一部分,Diodes八通道ZXCZM800器件起到了数字交叉
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Diodes DAC ZXCZM800 DDFA
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列,推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装,具有高功率处理和快速开关功能,可满足高效CCFL驱动器架构的要求。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示:“30V 额定双N沟道DMN3024LSD 采用SO8 封装,适用于推挽式逆变器,可比分立式元件节省更多的空间。对于需要一对互补器件的全桥和半桥拓扑,DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 沟道 MO
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Diodes MOSFET LCD背光 CCFL驱动器
Diodes公司扩展其AP21x1/x2产品阵营,推出AP21x6双USB电源开关系列。相比同类器件,该系列器件拥有更小的占位面积、更完善的开关导通电阻和更理想的功率耗散。这些集成高侧电源的开关经过了优化,最适合自供电和总线供电的USB 应用,以及其它热插拔 (Hot-swap) 应用。该系列器件满足所有USB标准,并配有Enable输入的两极性选择。AP21x6系列提供经济且小巧的实施架构,为不同系统中的USB端口带来全面的保护。
据Diodes全球营销经理许忠真指出,AP21x6系列无论在格
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Diodes 电源开关 AP21x6
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路,应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出:“这个N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件,有助减省电路板空间及元件数目,同时简化栅极驱动电路设计。比方说,SO8充分发挥了
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Diodes MOSFET ZXMC10A816
Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装,为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸,极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出:“ZXMHC 元件为SO8封装,包含两对互补N型和P型MOSFET,可取代四个分立式SOT23封装的MOSFET或两个SO8 互补MOSFET 封装。对于现有不同类型的电机或其它感性负载驱动装置来说,这意味着可节省至少一半的PCB占板面积,同时大幅降低整体存货成本。”
ZXM
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Diodes MOSFET 半桥器件 ZXMHC SO8
Diodes推出新型8通道数模转换器 (DAC) 和前置放大器 (Pre-amplifier) 芯片,帮助设计人员减少音视频接收器和附加声卡的组件成本,并改善音频性能。
ZXCZM800芯片是Diodes公司旗下Zetex直接数字反馈放大器 (DDFA) 产品线中的一款,能将电路设计化繁为简,在高性能差模下实现高达126db的动态范围(DNR)。这个DAC解决方案的出色性能将成为使用DDFA芯片组创建的数字放大器的有益补充。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出,现有消费和专业级
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Diodes DAC 放大器 ZXCZM800
Diodes公司推出新款微型电流监视器ZXCT1023,为便携式应用提供了全球体积最小的电池电流测量解决方案。新器件采用薄型4引脚、1.2 x 1.8mm DFN封装,可支持系统管理功能,有效延长动态运行时间。
ZXCT1023是一款精确的高压侧电流监视器,固定增益为50,只需一个外部电流检测电阻器便能准确监测电流。该器件的典型静态电流消耗只有3.5µA,有助于减少电力消耗,延长电池寿命。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出,这款监视器的工作电压范围较宽,为2.5V
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Diodes 监视器 电流测量
Diodes公司应用的高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出,DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装,提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET组合封装成DFN2020形式。
与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm封装相
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Diodes MOSFET DFN封装
Diodes公司推出高压超势垒整流器 (Super Barrier Rectifier,简称SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。该系列采用热效率和紧凑的专有PowerDI5封装,具有卓越的超低热阻,使SBR10U200P5能以减少40%的占位面积,实现双倍的功率密度。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示,SBR10U200P5是业界体积最小的引线式10A整流器,额定电压高达200V,能够在10A额定电流和125℃的结温下提供业内领先的低至0.7V的正向电压降 (VF)。该
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Diodes 整流器 电源适配器
Diodes公司推出全新LED驱动器集成电路(IC)系列AP880X,以显著减少驱动电路所需的外部元件数目和尺寸。AP880X降压式DC-DC转换器只需4个元件支持,能在高达600kHz的开关频率下工作,从而可以使用体积更小、成本更低的电感器和电容器。
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Diodes IC LED驱动器
Diodes公司推出全新LED驱动器集成电路(IC)系列AP880X,以显著减少驱动电路所需的外部元件数目和尺寸。AP880X降压式DC-DC转换器只需4个元件支持,能在高达600kHz的开关频率下工作,从而可以使用体积更小、成本更低的电感器和电容器。
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Diodes LED驱动器 AP8800
Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102,使共享式电源系统的设计人员能以高效MOSFET取代散热阻流二极管,从而在对正常运行时间要求苛刻的电信、服务器及大型机应用中,实现更低温度的运行、更少的维护和更可靠的操作。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示,传统上用于电源故障保护的肖特基阻流二极管的热耗散很高,这与其很强的0. 5V 正向压降有直接关系。如果用典型正向电压低于100mV的导通电阻较低的MOSFET替代二极管,功耗将明显减少。ZXGD3102正是为了控
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Diodes MOSFET
diodes介绍
二极管(同见双极晶体管,半导体,晶体管)
diodes(See also bipolar transistors;semiconductors;transistors)
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