- Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻(Rthj-a)为130ºC/W,能在持续状态下支持高达1W的功率耗散,相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280ºC/W的SOT723封装,能实现更低温度运行。
这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样,印刷电路板(PCB)面积为1.44mm2,并具备0.5mm的狭小离板高度,但后者的热效率则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET
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Diodes MOSFET
- Diodes公司推出AP2331单信道限流负载开关。该产品专为高清晰度多媒体接口 (HDMI) 的标准及其它监视器接口的保护功能而优化设计,适合于3V至5V的热插拔连接以及其它承受高电容性负载和可能受短路影响的应用。
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Diodes 负载开关 AP2331
- Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升电池效率及减少电路板空间,并满足空间局限的便携式产品设计要求,如智能手机及平板计算机等。
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Diodes MOSFET DMP1245UFCL
- Diodes推出SBR12U45LH超级势垒整流器 (SBR) ,额定电流为12A,以超薄型PowerDI-5SP封装,为生产新一代太阳能光电模块 (PV module) 的太阳能电池板制造商,解除设计和生产方面的主要顾虑 。
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Diodes 太阳能电池板
- Diodes公司针对单波段卫星低噪声模块 (LNB) 推出一款高集成偏压、控制及电源管理ICZXNB4204。该器件可减少 ...
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Diodes 控制及 电源管理IC
- 达尔科技(DIODES)7月19日在成都高新综合保税区的生产基地奠基。达迩科技(成都)有限公司,是由美商达尔科技股份有限公司和成都亚光电子股份有限公司共同出资组建。
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DIODES 封装
- Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ,有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
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Diodes IGBT
- Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ,有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
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Diodes 闸极驱动器 ZXGD3006E6
- Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ,有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
当输入电流为 1mA 时,该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电流,使其成为控制器的高输出阻抗和 IGBT 的低输入阻抗之间高增益缓冲级的最佳选择。ZXGD3006E6 拥有一个发射极跟随器配置,可防止闩锁效应(latch-up)及贯通问题(shoot-through),实现少于 10ns 的传输延迟时间。
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Diodes 闸极驱动器 XGD3006E6
- Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD,可用于低压单相/三相无刷直流(BLDC)电机控制应用。该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻(Rdson)性能,以确保平衡分配电机负载的直流损耗并将其减少到最小。
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Diodes MOSFET DMC4040SSD
- Diodes 公司推出首款针对汽车应用的超势垒整流器(Super Barrier Rectifier,简称SBR)系列。与同类肖特基或超快二极管相比,该系列器件拥有更低的正向电压降、改善了雪崩额定值以及更高的安全运行区(SOA)。这些坚固耐用的整流器让汽车设计师可提升电机控制、显示板以及 LED 照明电路的可靠性。
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Diodes 整流器
- Diodes 公司推出首款针对汽车应用的超势垒整流器(Super Barrier Rectifier,简称SBR)系列。与同类肖特基或超快二极管相比,该系列器件拥有更低的正向电压降、改善了雪崩额定值以及更高的安全运行区(SOA)。这些坚固耐用的整流器让汽车设计师可提升电机控制、显示板以及 LED 照明电路的可靠性。
获 AECQ101 认证的 SBR20A60CTBQ、SBR30A45CTBQ
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Diodes 整流器 SBR
- Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD,可用于低压单相/三相无刷直流(BLDC)电机控制应用。该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻(Rdson)性能,以确保平衡分配电机负载的直流损耗并将其减少到最小。
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Diodes DMC4040SSD MOSFET
- Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积,较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间,其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W,在连续条件下功耗高达1.3W,而同类产品的功耗则多出一倍。
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Diodes MOSFET
- Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下,可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET,节省七成的电路板空间。
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Diodes MOSFET
diodes介绍
二极管(同见双极晶体管,半导体,晶体管)
diodes(See also bipolar transistors;semiconductors;transistors)
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