- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为便携式消费性电子产品、家用电器及工业设备的非接触式开关推出微功率八位元分辨率霍尔效应传感器系列，包括AH8500、AH8501、AH8502和AH8503 。
新传感器的供电电压范围为1.6V到3.6V，磁场范围则是±400G，其工作模式及采样率能够把电流消耗降低至微功率级别。AH8500和较精准的AH8501具有使能引脚，在休眠模式，亦即该器件的缺省模式下仅消耗9μA的电流。两款器件在20Hz的频率下一般只
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Diodes 霍尔传感器
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 针对液晶显示屏、一体式个人电脑及视频投影机制造商，推出3W立体声D类音频放大器和AB类耳机驱动器PAM8009。这款放大器具备能够保护扬声器的功率限制技术以及先进的直流音量控制功能，能够实现精准的六十四级增益调节。它可尽量减少外部元件数量，因而能以紧凑的二十引脚QFN或二十四引脚SOP封装提供高度集成的解决方案。
PAM8009在1%的总谐波失真特性 (THD+N) 下可提供高达每通道2.4W的输出功率額定值去驱动4Ω
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Diodes PAM8009
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出两款驱动器ULN2003V12及ULN2003F12。ULN2003V12为七通道继电和电感负载电流汲入型驱动器，可直接替代行业标准器件并减少耗电量达十二倍。ULN2003F12是四通道版本，在驱动低压步进电机等要求较少输出通道时会缩减占位面积 。
ULN2003V12为七通道继电和电感负载电流汲入型驱动器，可直接替代其它厂商同类型行业标准ULN2003A产品，并节省十二倍耗电量。四通道的ULN2003
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Diodes ULN2003V12
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为其先进的超低功率CMOS 逻辑器件系列新增多款采用了八引脚DFN1210无铅微型封装的74AUP2G双门逻辑器件。新产品
通过支持低电压及低功率系统设计，从而延长智能手机和平板电脑等下一代超薄便携式产品的电池寿命。
这些器件的供电电压范围为0.8V到3.6V，能够支持超低系统电压，并提供标准的±4mA输出电流。少於0.9µA的静态电流可确保静态功耗保持在低水平;而CPD额定值在3.6V供电下一般达到6
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Diodes DFN1210
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出同步整流控制器APR343，旨在满足手机及其他便携式电子设备充电器对高度集成的高效实惠解决方案的要求。该器件把输出电压感测功能集成到副边侧MOSFET驱动器，以支持原边侧控制系统。
APR343的电路配置利用外部MOSFET来增加灵活性。器件通过感测MOSFET漏源电压，在不连续传导模式下进行同步整流，当输出电压低於某个阈值，给出周期信号去驱动MOSFET。新产品可快速回应副边侧电压，从而改善原边侧控制系统的瞬态响应，并降低副
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Diodes APR343
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。新推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管，以及30V额定值的P通道器件，产品全都采用了DFN0606微型封装。每个器件的电路板占位面积仅0.6mm x 0.6mm， 比一般采用DFN1006 (SOT883) 封装的MOSFET小40%，是下一代可穿戴科技产品、平板电脑及智能手机的理想之选。
DMN2990UFZ (20V
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Diodes
- 日前，Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出LED驱动转换器AL8820。新产品为紧凑的两段式升、降压非可调光MR16灯设计解决方案，具有高功率因数、低总谐波失真及低输出电流纹波。以6W的MR16应用为例，该器件可搭配大部分通用LED灯变压器，在0.9功率因数及30%总谐波失真下支持无闪烁工作。
AL8820把两个直流-直流稳压器集成到5mm x 6mm的SO-8EP封装，以连续电流模式工作，并采用创新的控制机制，以确保与大部分通用电子变压器高度兼容。备有超低导通电阻
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Diodes MR16
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出具有可编程软启动功能及放电率的5V单通道负载开关AP22800。这款配备超低导通电阻的N通道开关可降低电压降和功耗，以及处理6.0A的连续电流，从而为超极笔记本和平板电脑提供更精准的系统功率调整。
新负载开关易於编程，分别利用外部电容器及外部电阻器来设定启动功能和放电率。器件还提供开漏极电源良好输出标志，从而显示输出电压已达到目标值。
AP22800提供从1.5V到5V的电压工作范围，能够灵活支持
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Diodes AP22800
- Diodes公司(DiodesIncorporated)推出AP3125脉冲宽度调制(PWM)控制器系列，旨在提升工作效率及消除空载损耗。AP3125电流模式器件为便携式产品、消费性电子产品和家用电器的离线式交流-直流转换器使用作出优化。
新控制器提供三种工作模式提升性能。在正常模式下，器件的开关频率为65kHz或100kHz。在中等负载的情况下，这些控制器则会进入绿化模式并进行频率折返，以回退频率及提升平均效率。在空载或超轻载的情况下，器件会以脉冲模式工作，从而尽量
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Diodes PWM
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出双向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低导通电阻可降低功耗，纤薄的芯片级封装则使设计人员能够利用省下来的空间来提高电池容量。新产品的目标终端市场包括智能手机、平板电脑、照相机、便携式媒体播放器，以及对其尺寸丶重量和电池寿命都至关重要的同类型消费性产品。
DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的导通电阻來减低功耗。此外，其双N通
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Diodes MOSFET
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出全球首批采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2，比采用了DFN1006 (SOT883) 封装的同类型器件小40%，并能提供相等甚至更佳的电气性能。这些器件的离板高度只有0.4mm，非常适合智能手表、健康和健身设备等可穿戴产品，以及智能手机与平板电脑等受空间限制的消费性产品。
Diodes公司首批DF
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Diodes 晶体管
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对1A额定值的40V紧凑型栅极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封装) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封装) 可缩减MOSFET的开关时间，有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率。
新驱动器作为低功率控制IC的高增益缓冲级，能够从仅10mA的输入电流提供500mA的典型驱动电流
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Diodes 驱动器 MOSFET
- Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流 (Trench SBR) 技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。
两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流，并以较低的温度工作，有效满足充电器输出整流二极管的要求，从而易于处理36kHz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。
Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15A SBRT15U50SP5，以及为12.5W平板电脑充电器而设的2
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Diodes 电池充电器
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出自身的TLC271可编程运算放大器系列 。新产品提供偏置选择模式，在功耗和交流电性能之间取得更好的平衡，从而满足以电池供电的消费性和工业产品的特定要求。
这款器件的低偏置模式能降低功耗，因而可延长电池寿命;中高偏置模式则逐步改善运算放大器的交流电性能。这些偏置模式还可以灵活转变，让器件能够由省电模式的闲置状态转为预设的高性能模式，以回应应用的需求。
Diodes推出TLC271L组件搭配采用了SO
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Diodes 运算放大器 TLC271
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻断二极管，有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。
新控制器通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的关断电压阈值。器件的电压少于-
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Diodes MOSFET ZXGD3108N8
diodes介绍
二极管（同见双极晶体管，半导体，晶体管）
diodes(See also bipolar transistors;semiconductors;transistors)
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