- Diodes公司推出完整的先进高速CMOS逻辑器件系列，实现比现有同类高速CMOS逻辑器件更优越的功耗和开关速度。全新74AHC1Gxx逻辑系列的工作电压为2.0V至5.5V，可轻易替代用于各种消费电子产品的行业标准逻辑器件。
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Diodes 逆变器
- Diodes公司推出ZXCT11xx系列低功耗高侧电流监控器。新器件的工作电流仅3µA，可为各类电机驱动、过载保护及安全应用提供精确、高效的负载电流测量。
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Diodes 电流监控器
- Diodes公司推出新型APX4558双通道运算放大器，其输入噪声低至8nV/√Hz，无需增加物料清单成本也可满足更高的音频性能要求。
APX4558的先进性能加上高达3MHz的单位增益带宽，使其适用于成本特别敏感的各种音频产品，如机顶盒和前置放大器。
Diodes为新器件提供两种不同版本，包括工作温度范围为0º至 70ºC的APX4558商业级器件，以及工作温度范围-40ºC至105ºC的APX4558I工业级器件。两款新器件均采用
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Diodes 运算放大器 APX4558
- Diodes公司推出ZXGD3005E6 10A栅极驱动器，在电源、太阳能逆变器和马达驱动电路中，实现超快速的功率MOSFET及 IGBT负载切换。这款非逆转的闸驱动器具有完善的射极跟随器配置，可提供少于10ns的传递延迟时间，和少于20ns的升降时间，从而减少开关损耗、简化电路设计和改善系统的整体可靠性。
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Diodes 高电流闸驱动器
- Diodes公司推出采用紧凑PowerDI5封装的额定12A和15A器件，扩展了其专利的超势垒整流器(SBR)系列。新器件可用作空间有限的开关模电源设计的输出整流器，具备超低正向压降特性，无论在效率或冷却运行方面都超过了标准肖特基二极管。
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Diodes 整流器
- Diodes公司宣布开发出一种用于制造下一代高压整流器的专有工艺平台。这种命名为DIODESTAR的工艺是由Diodes设在英国奥尔德姆(Oldham)的晶圆制造厂开发的，并已开始交付第一款器件——一款用于LCD-LED电视电源的高效率600V、8A整流器。
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Diodes 高压整流器
- Diodes公司宣布开发出一种用于制造下一代高压整流器的专有工艺平台。这种命名为DIODESTAR的工艺是由Diodes设在英国奥尔德姆(Oldham)的晶圆制造厂开发的，并已开始交付第一款器件——一款用于LCD-LED电视电源的高效率600V、8A整流器。
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Diodes 高压整流器
- Diodes公司推出具有低压差和低静态电流的全新线性稳压器，适用于延长电池寿命为关键设计要素的低功耗手持产品设计。150mA的AP7312和300mA的AP7332两款新型双固定输出器件压差值分别为150mV和300mV，典型额定静态电流仅为60µA。
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Diodes 线性稳压器 AP7312 AP7332
- Diodes公司推出AL8400线性LED驱动器控制器。它能通过一个外部晶体管精确调节各种高亮度LED电流。该控制器适用于照明、指示或标牌系统中不同类型的LED串，可直接在2.2V至18V的电压下工作，并能驱动N沟道MOSFET或NPN双极晶体管。
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Diodes AL8400
- Diodes公司推出的APM860x锂电池充电器IC具备一系列安全功能，可为小型便携式产品的充电过程提供保护。
单通道APM8600和双通道APM8601能够持续监控锂离子和锂聚合物电池的充电过程，避免出现过压、充电时间过长或过温情况，确保手机、媒体播放器及耳机等产品的充电过程安全可靠。新器件提供高达28V的过压保护，其中APM8601能自动选择USB或直流输入，APM8600则为直流输入唯一的器件。
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Diodes APM8600 APM8601
- Diodes公司推出两款新型双通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，扩展了旗下DIOFET产品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD将一个经过优化的控制MOSFET及一个专有DIOFET集成在一个SO8封装中，为消费类及工业应用的负载点转换器提供高效的解决方案。
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Diodes mosfet
- Diodes 公司推出两款新型低压差线性稳压器 (LDO)，其额定工业温度为摄氏 -40 度至 +85度，适合机顶盒、路由器和LCD显示器等应用。分别为300mA、150mV 压降的AP7335和600mA、300mV压降的AP7365 能够在以上工业温度范围内提供精度2%的可调及固定输出电压操作。
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Diodes 线性稳压器
- Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。
Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择，包括：SOT223封装的DMN606
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Diodes MOSFET
- Diodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品，将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置，有助于提升效率，同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。
在10V 的VGS电压下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分别仅为10mΩ 及8.5mΩ。这些器件能把通常情况下与低侧MOSFET相关的导通
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Diodes DIOFET
diodes介绍
二极管（同见双极晶体管，半导体，晶体管）
diodes(See also bipolar transistors;semiconductors;transistors)
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