三星上月底发布了2017年Q1季度财报,营收只增加1.5%的情况下净利润大增46%,其中贡献最多的就是闪存芯片部门,也就是DRAM内存和NAND闪存。时至今日,DRAM、NAND闪存缺货、涨价的情况都没有缓解,现在还是供不应求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投资力度提升产能,其中三星也要斥资26.4亿美元扩产Line 17工厂,下半年加速10nm级DRAM内存生产。
三星前不久才宣布了全球最大的半导体工厂平泽工厂竣工,那个是针对NAND闪存的,主力产品将是64层堆栈的3D NAN
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三星 DRAM
内存是半导体的主力产品之一，目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。 不过，由于DRAM必须持续上电才能保存数据，NAND Flash又有读写速度较DRAM慢，且读写次数相对有限的先天限制，因此内存业者一直试图发展出新的内存架构，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非挥发特性。
根据研究机构Tech Insights估计，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代内存，都已陆续进入小量生产阶段。 不
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内存 DRAM
2016年全球前十大半导体业者排名出炉。据IHSMarkit所搜集的数据显示，2016年全球半导体产业的营收成长2%，而前十大半导体业者的营收则成长2.3%，优于产业平均水平。以个别产品类型来看，DRAM与NANDFlash是2016年营收成长动能最强的产品，成长幅度超过30%;车用半导体的市场规模也比2015年成长9.7%。
IHS预期，由于市场需求强劲，2017年内存市场的营收规模可望再创新高，车用半导体市场的规模则有机会成长超过10%。整体来说，2017年半导体产业的表现将出现稳健成长。
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DRAM NANDFlash
量子计算机如今已经成为科技巨头们争夺的新高地，IBM、谷歌都涉猎其中。
现在，微软也要在量子计算领域发挥能量了。
半导体技术公司Rambus最新宣布已经与微软达成合作，双方将研发一种能够在零下180摄氏度环境下稳定运行的DRAM系统，为未来的量子计算机服务。
Rambus研究所副总裁Gary Bronner介绍称，与微软的合作旨在零下180摄氏度环境下提升DRAM系统的容量和运算效率，并且降低功耗。
同时，高速串行/并行链路也能够在低温和超导环境中有效运行，从而确保整个存储系统
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微软 DRAM
力晶创办人暨执行长黄崇仁表示，大陆扶植半导体以为撒钱就可以，但未来用补助研发费用来扶植新厂的策略很难再延续，必须要有技术在手才行，但现在美系存储器大厂美光(Micron)已经盯上大陆3家存储器，包括紫光长江存储、合肥长鑫和联电的福建晋华，预计进入大陆DRAM产业的脚步会放缓，配合韩国2018年冬季奥运率先展示5G技术，未来DRAM是长期缺货的走势!
黄崇仁进一步表示，全球DRAM产业已经5年没有新厂加入，三星电子(Samsung Electronics)盖厂也是针对10纳米晶圆代工和NAND F
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DRAM 5G
力晶创办人暨执行长黄崇仁表示，大陆扶植半导体以为撒钱就可以，但未来用补助研发费用来扶植新厂的策略很难再延续，必须要有技术在手才行，但现在美系存储器大厂美光(Micron)已经盯上大陆3家存储器，包括紫光长江存储、合肥长鑫和联电的福建晋华，预计进入大陆DRAM产业的脚步会放缓，配合韩国2018年冬季奥运率先展示5G技术，未来DRAM是长期缺货的走势!
黄崇仁进一步表示，全球DRAM产业已经5年没有新厂加入，三星电子(Samsung Electronics)盖厂也是针对10纳米晶圆代工和NAND F
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DRAM 5G
三星电子为了巩固存储器霸业，制定 DRAM 发展蓝图，擘划制程微缩进度。业界预估，15 纳米可能是 DRAM 制程微缩的极限，担忧三星遭中国业者追上。
韩媒 etnews 18 日报导，业界消息称，三星去年开始量产 18 纳米 DRAM，目前正研发 17 纳米 DRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立 16 纳米 DRAM 开发小组，目标最快 2020 年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020 年量产时间可能延后。
三星从 20 纳米制程(28→25&rar
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三星 DRAM
三星电子为了巩固存储器霸业，制定DRAM发展蓝图，擘划制程微缩进度。业界预估，15纳米可能是DRAM制程微缩的极限，担忧三星遭中国业者追上。
韩媒etnews 18日报导，业界消息称，三星去年开始量产18纳米DRAM，目前正研发17纳米DRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立16纳米DRAM开发小组，目标最快2020年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020年量产时间可能延后。
三星从20纳米制程(28→25→20)，转进10纳米制程(18&rarr
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三星 DRAM
目前说中国存储器业的”春天”已经到来可能还为时尚早，确切地说，应该是中国的半导体业一定要跨入全球存储器的行列之中。
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3DNAND DRAM
第四代高速DRAM存储器DDR4自2014年上市以来，销售额在整体DRAM存储器总销售额中的占比不断成长。尤其是随着2016年DDR4平均售价(ASP)跌至约与DDR3相同，当年DDR4销售额占比更是飙升至45%，大幅拉近与DDR3占比间的距离。
调研机构IC Insights预估，随着如英特尔(Intel)最新14纳米制程x86 Core系列处理器等都开始向DDR4存储器靠拢，预计2017年全球DDR4销售额占比将会扬升至58%，首度超越DDR3的39%，正式终结过去6年DDR3占比持续维持第
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DDR4 DRAM
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。
Gartner 表示，自 2016 年中期以来，随着 NAND Flash 的涨价，SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。 不过，这种上涨趋势将在本季达到顶峰。 其原因在于中国厂商大量投入生产的结果，在产能陆续开出后，市场价格就一反过去的涨势，开始出现下跌的情况。
Gart
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DRAM NAND
IC Insights 对DRAM后市提出示警，预期下半年随着供给增加，产品价格恐将下滑，DRAM 市场无可避免将展开周期性修正。
IC Insighta 指出，DRAM 价格自 2016 年中以来快速走高，据统计，DRAM 平均售价已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，涨幅高达至 54%。
在产品价格大涨带动下，IC Insights 预估，今年 DRAM 产值可望达 573 亿美元规模，将较去年成长达 39%。
IC Insight
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DRAM
台湾DRAM教父高启全转战大陆紫光集团操盘存储器大计划超过1年，日前晋升长江存储的执行董事、代行董事长，接受DIGITIMES独家专访公开未来规划;他指出，已齐聚500名研发人员在武汉投入3D NAND开发，也考虑研发20/18纳米DRAM，会在技术开发具竞争力后才开始投产，欢迎美光(Micron)加入合作，双方合则两利，且时间会对长江存储有利!
长江存储计划存储器的研发，制造基地在武汉、南京两地，紫光2017年1月底资金到位，现阶段长江存储的股权结构是大基金占25%、湖北集成电路产业投资基金和
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长江存储 DRAM
美光此次提起诉讼无非是为了防止其存储技术遭到泄露，间接给大陆厂商和相关员工施压，其行为也是国际大厂围堵中国半导体产业崛起的缩影之一
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晋华 DRAM
近日，有媒体报道美国存储器大厂在台湾地区采取司法手段其防止技术遭遇泄露，目标是前华亚科及前瑞晶关键制程和研发人员，目前已有上百人遭到约谈。 市场更是传出，美光这一行动已经波及联电与大陆厂商晋华的合作事宜，导致后者出资在联电台湾南科厂设置的试产线停产。 不过，4月5日，联电方面对外表示，确实有员工收到了诉讼通知，但只是个人行为，与公司无关。此外，联电还表示，目前DRAM仍处制程技术开发阶段，尚无试产线，并无外传试产线暂停的情况，其DRAM技术的研发计划也将持续不变。 根据集邦咨询观察，近年来，中国
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美光 DRAM
ddr5 dram介绍
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