- 据国外媒体报道，所有想为自己电脑增加更多内存的人都赢得了来自DRAM行业的礼物--激烈竞争使得内存价格猛跌，行业分析师预测，DRAM价格还将进一步下降。 使用最广泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合约价格已比两周前下跌了12.5%，周二时跌至1.75美元，创下了DRAMeXchange今年记录的新低。DRAMeXchange公司运营一家对内存芯片进行网上交易的网站。 这条重大新闻将对用户产生三个重大影响：第一，DRAM价格下跌将增加惠普和戴尔这类电脑制
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嵌入式系统 单片机 DRAM DDR DDR2 存储器
- 针对当今电子系统对高速大容量内存的需要，本文阐述了使用DDR控制器IP核来设计实现DDR内存接口的方法。
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DDR 内存 接口的设计
- 2007年6月8日，全球领先的运动控制解决方案提供商——丹纳赫传动（Danaher Motion）公司宣布，其创新的Cartridge DDR™系列直接驱动旋转伺服电机（CDDR）新添三种小框架的新产品，因此，现共有4.25平方英寸到13.78平方英寸五种框架尺寸的CDDR电机供应，每种尺寸各有四个铁心长度。CDDR是直接驱动技术中非常特别的一种，其特点在于采用预制零部件、完整的工厂对准型高分辨率反馈装置和独特的无轴承设计，确保可以在30分钟内实现即装即用，且没有维护成本。
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Cartridge DDR 丹纳赫 消费电子 消费电子
- 摘要： 本文采用LatticeXP系列FPGA结合IP解决DDR RAM的读写控制。并且在硬件上面进行了实际测试。关键词： 嵌入式系统；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP
前言随着高速处理器的不断发展，嵌入式系统应用的领域越来越广泛，数字信号处理的规模也越来越大，系统中RAM规模不断增加，比如视频监控、图像数据采集等领域，图像处理的实时性对RAM带宽的要求不断增加，传统的SDRAM在带宽上已经逐渐无法满足应用要求，DDR SDRAM(双倍速率SDRAM)采用在时钟CL
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0702_A DDR FPGA IP LattcieXP RAM 单片机 嵌入式系统 杂志_设计天地 存储器
- DDR内存已成为系统DRAM的主要技术，而DDR系统的验证则是新的数字系统设计最具挑战性且费时的工作之一。逻辑分析仪是协助工程师验证这些系统的重要工具，但在成本与空间的限制下，逻辑分析仪探测技术变成了一个值得深思的问题。 理想上，DDR的可测试性应成为最终设计的一部份，以利于在测试台进行系统的验证，因为在整个产品生命周期中的工程设计与委外代工都会增加成本。然而碍于逻辑分析仪探测点的电气负载与空间需求，这种作法直到今天仍不可行。新的免接头式逻辑分析仪探测技术使DDR可测试性得以结合到产品的最初与最终
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DDR 测量 测试
- DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压，并需要等于电源电压一半的基准电压（VREF＝VDD/2）。此外，各逻辑输出端都接一只电阻器，等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时，必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压，并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5～28V下工作。
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电源电路 DDR DRAM 存储器
- 电子系统设计师很少考虑他们下一个设计中元器件的成本，而更关注它们能够达到的最高性能。
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DDR 存储器 接口设计
- 本设计介绍了一种应用于DDR内存系统的独特、低成本的电源电路。常规DDR内存系统包括一个双反向转换器和一个输出参考电压。与常规设计不同，本文用线性调节器代替反向转换器，见图1，具有消除PWM转换器开关噪声的优点。DDR内存系统要求稳定的2.5V主电源(VDD)、端电压(VTT)和参考电压(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收电流，，这些要求给电源设计者带来新挑战。本电路中，低压同步反向器产生8A，2.5V的主电源VDD输出，VTT和VREF通过运放的线性调节设计实现。电路专门为低功耗DDR系统(如p
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DDR 存储器
ddr介绍
DDR=Double Data Rate双倍速内存
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SD [
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