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MOSFET 美国国家半导体
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (BLU) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的替代解决方案相比，双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在
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MOSFET 单片机 飞兆半导体 嵌入式系统
- 飞兆半导体推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (BLU) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的替代解决方案相比，双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在单一封装中集
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Fairchild LCD设计 MOSFET 电源技术 模拟技术 液晶显示 LCD
- Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。这款新型SiP41111适用于通常需要40V或60V电压的汽车应用。该75VMOSFET驱动器可用于汽车中的高强度放电管，以及各种终端产品中的高压降压转换器、推拉式转换器、全桥与半桥式转换器、有源钳位正向转换器、电源、电机控制及D类音频系统。 该款SiP41111具有75V的最大自举电源电压，可适应9V～13.2V的宽泛电源电压范围，能够以10ns的典型升降时间驱动1,000pF的负载。
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IC MOSFET Vishayn 电源技术 模拟技术
- 4月20日讯,半导体制造商ROHM株式会社（总社设在京都市）最近开发出适合汽车驾驶导向系统、便携式DVD机、笔记本电脑、游戏机等小型、薄型机器的电源开关和电动机驱动器使用的MPT6 双元件系列产品，这种产品采用独创的小型大功率封装，是低导通电阻的元器件。这种产品从2007年4月开始逐步供应样品；预定从2007年8月开始以月产300万个的规模大量生产。生产过程的芯片工序在ROHM筑波株式会社（茨城县）进行；包装工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
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MOSFET MPT6 ROHM 电源技术 模拟技术 封装
- ROHM株式会社最近开发出适合汽车驾驶导向系统、便携式DVD机、笔记本电脑、游戏机等小型、薄型机器的电源开关和电动机驱动器使用的「MPT6 Dual（2元件）」型系列产品，这种产品采用独创的小型大功率封装，低导通电阻的元器件。 这种产品从2007年4月开始逐步供应样品；预定从2007年8月开始以月产300万个的规模大量生产。生产过程的芯片工序在ROHM筑波株式会社（茨城县）进行；包装工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND)
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MOSFET ROHM 消费电子 封装 消费电子
- Intersil公司的ISL65426是一款高效率双输出单向同步降压稳压器，输入电压范围为2.375V至5.5V。该单芯片电源解决方案提供2个输出电压，可以在1V至电压电源的80%的范围内进行选择或者进行外部调节，并且总输出电流高达6A。2个PWM是180o异相同步的，降低了EMI和有效值输入电流与纹波电压。
ISL65426的独特电源模块架构允许对6个电流高达1A的模块进行分配，以便支持4个输出配置选项之一。一个主电源模块与各个同步转换器通道相关联。4个浮动从电源模块允许用户将其分配给任一条通
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MOSFET 电源技术 模拟技术 双同步降压稳压器
- ZXMS6002/3是采用SOT223封装的低端自保护MOSFET，它可通过独立状态引脚提供诊断反馈，有效地提高汽车和工业性高压系统的可靠性。
最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET产品系列的新成员，均属于60V、500mΩ 额定值的N沟道器件，特别适用于高浪涌电流的开关负载，如电灯、电机及电磁铁。
ZXMS6002G具有针对过热、过流和过压故障的保护功能，可提供正常、限流和热关断等不同模式的模拟指示，无需外部元件。这种诊断功能有助于实现智能的
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MOSFET ZXMS6002/3 工业控制 工业控制
- Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封装的低端自保护MOSFET，它可通过独立状态引脚提供诊断反馈，有效地提高汽车和工业性高压系统的可靠性。
最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET产品系列的新成员，均属于60V、500mΩ 额定值的N沟道器件，特别适用于高浪涌电流的开关负载，如电灯、电机及电磁铁。
ZXMS6002G具有针对过热、过流和过压故障的保护功能，可提供正常、限流和热关断等不同模
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MOSFET Zetex 单片机 嵌入式系统 封装
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板 (PDP) 应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench® 工艺技术，这些MOSFET比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值为22.9毫欧；FDB2710的典型值为36.3 毫欧)。超低的RDS(on) 加上极低
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MOSFET 单片机 飞兆 嵌入式系统
- 摘 要：本文简述了RF 功率 MOSFET器件的应用，分析了以LDMOSFET工艺为基础的RF 功率 MOSFET的功能特性、产品结构和制造工艺特点。文中结合6寸芯片生产线，设计了产品的制造工艺流程，分析了制造工艺的难点，并提出了解决方案。关键词：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件结构；制造工艺
引言RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET
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LDMOSFET MOSFET RF RF专题 电源技术 功率 模拟技术 器件结构 制造工艺
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LDO IC MOSFET
- 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 Zetex Semiconductors 近日推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。 这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封装）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（两者均为SOT23封装）。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可
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MOSFET Zetex 超低栅极驱动 电源技术 模拟技术
- 能够驱动工业应用中高达 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181与飞兆半导体领先业界的功率产品系列相辅相成， 为设计人员提供由毫瓦至千瓦的完整功率解决方案 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 领先业界的功率产品系列又添新成员，宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
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MOSFET 单片机 飞兆半导体 光隔离 嵌入式系统 栅极驱动器
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