全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出AUIRS2016S 器件，适用于汽车栅极驱动应用，包括通用喷轨、柴油和汽油直喷应用，以及螺线管驱动器。
AUIRS2016S是一款高电压功率MOSFET高侧驱动器，具有内部电压尖峰对地 (Vs-to-GND) 充电 NMOS。这款器件的输出驱动器配备一个250mA高脉冲电流缓冲级。相关沟道能够在高侧配置中驱动一个N沟道功率MOSFET，可在高于地电压达150V的条
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IR MOSFET 驱动器 AUIRS2016S
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封装，型号为 FDMS7650。FDMS7650 可以用作负载开关或ORing FET，为服务器中心 (server farm) 在许多电源并行安排的情况下提供分担负载功能。FET的连续导通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服务器中心的总体效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封装以突破1
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Fairchild MOSFET FDMS7650
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SupreMOS™新一代600V超级结MOSFET系列产品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS™系列器件兼具低RDS (ON) 和低总栅极电荷，相比飞兆半导体的600V SuperFET&trade
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Fairchild MOSFET SupreMOS SuperFET
在美国，工业应用领域AC电机所用的电能占全国的2/3以上。在许多应用中，AC电机或被关断或以全速运作，而通过为电机添加变速控制功能，就能够在标准开启/关断控制下实现显著节能。用混合信号FPGA来实现高效率AC电机控制系统，可大幅降低电机的功耗。
电机无处不在
今天，电机用于各类应用中，然而，很少有人意识到电机在使用中对环境带来怎样的影响。专家估计，在美国，电机所消耗的电能约占总发电量的50%。从全球范围看，AC电机功耗占工业应用的70%，占商业应用电能的45%，占住宅应用电能的42%。
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FPGA PWM MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，为不间断电源 (UPS) 逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电荷 (Qg) 。
这些坚固耐用的MOSFET采用IR最新一代的沟道技术，并且通过非常低的导通电阻 (RDS(on)) 来减少散热。此外，新器件的超低栅极电荷有助于延长不间断电源逆变器或电动工具的电池寿命。
IR亚洲区销售副总裁
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IR MOSFET UPS 沟道
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench® 工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ，能够最大限度地减小传导损耗。通过降低损耗，FDZ371PZ能够提高便携设计的效率，并延长电池寿命。FDZ371PZ还可提供4.4kV的稳健ESD保护功能，以保护器件免受ESD事件
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Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ
D类放大器的应用范围非常广泛，随着技术的成熟，目前已进入大规模普及阶段。针对其在器件成本、EMI等方面的问题，业内企业也提出了多种解决方案。
D类放大器技术是三四年前被业内热议的新技术，目前它已进入大规模普及阶段。业界正在积极解决应用普及过程中的问题，如EMI(电磁干扰)、成本和效率等。与此同时，集成技术也是一个不容忽视的趋势。
转入大规模普及阶段
三四年前，D类放大器在业界掀起了一个新技术的小高潮。D类放大器采用脉冲调制方式将输入信号转换为数字脉冲，由MOSFET进行放大，再通过低
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ADI D类放大器 MOSFET EMI
上网本是笔记本电脑的派生产品，目前上网本的功率需求与笔记本电脑相似。由于需要使用多单元锂离子电池，因而需要具有宽输入电压范围的降压转换器来驱动内核、存储器、外设或通用系统组件。另外也可选择使用低压降(LDO)调节器。
大多数MID和智能手机使用各种功率管理单元(PMU)来实现功率管理，而这源于它们的低功耗需求。过去一年来，上网本市场经历了前所未有的增长，供应商正在积极开发用于上网本的集成式电源解决方案，2008年大多数上网本电脑电源采用了分立式解决方案，然而今年我们预计将转向包含有控制器+MOS
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上网本 PMU MOSFET
上网本的电源管理分为以下几部分：电源适配器、电池充电和管理、CPU供电、系统供电、I/O和显卡供电、显示背光供电、DDR存储器供电。MPS针对上网本对电源小型化和轻载高效的要求，发展了拥有自主知识产权的一系列电路控制策略、半导体集成工艺以及封装技术。
MPS的DC/DC变换器，将电源控制器、驱动和MOSFET完全集成在一个芯片中。和大多数竞争对手所采用的多芯片封装不同，MPS是将这些部分完全集成在一个硅片上，这极大地降低了传统分立元件所带来的寄生参数影响，从而提高变换器的效率和开关频率，减小电容
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MPS 电源管理 MOSFET 上网本
英飞凌科技股份公司在功率电子半导体分立器件和模块领域连续第六年稳居全球第一的宝座。据IMS Research公司2009年发布的《功率半导体分立器件和模块全球市场》报告称，2008年，此类器件的全球市场增长了1.5%，增至139.6亿美元(2007年为137.6亿美元)，而英飞凌的增长率高达7.8%。现在，英飞凌在该市场上占据了10.2%的份额，其最接近的竞争对手份额为6.8%。在欧洲、中东和非洲地区以及美洲，英飞凌也继续独占鳌头，分别占据了22.8%和11.2%的市场份额。
随着汽车、消费和工
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英飞凌 IGBT MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源 (SMPS) 、不断电系统 (UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 (Qg)。
与其它竞争器件相比，IR 150V MOSFET提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200V MOSFET的闸电荷，则比竞争器件的降低了多达33%。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“随着DC-DC功率转换应用技术的日
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IR MOSFET SMPS UPS 反相器 DC马达驱动器
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示：“30V 额定双N沟道DMN3024LSD 采用SO8 封装，适用于推挽式逆变器，可比分立式元件节省更多的空间。对于需要一对互补器件的全桥和半桥拓扑，DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 沟道 MO
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Diodes MOSFET LCD背光 CCFL驱动器
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，提供极低的通态电阻(在10V Vgs时典型为0.5mΩ)，同时比D2PAK的占位面积缩小60%，高度缩小85%。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导
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IR MOSFET DirectFET
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64mOhm之RDS(ON) 值，较同类解决方案低15%，且占位面积仅为1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。该器件采用WL-CSP封装，比占位面积相似的传统塑料封装MOSFET具有更佳功耗和传导损耗特性。FDZ197P
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Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD
意法半导体(纽约证券交易所代码：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的财务报告。
意法半导体2009年第2季度收入总计19.93亿美元，包含被ST-Ericsson合并的前爱立信移动平台的全部业务，和1800万美元的技术授权费。净收入环比增幅20%，反映了意法半导体所在的所有市场以及全部地区的需求回暖，特别是中国和亚太地区的需求增长强劲。因为商业大环境的原因，在所有市场以及各地区第2季度的净收入低于去年同期水平，但电信市场和亚太地区的表现则例外。
总裁兼首席执行官 Car
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ST MOSFET MEMS GPS 无线宽带
coolsic mosfet介绍
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