来自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大学(Chalmers University of Technology)的研究人员发现，以碳纳米管来填充采用硅穿孔技术(TSV)连结的 3D芯片堆栈，效果会比铜来得更好。
TSV是将芯片以3D堆栈方式形成一个系统，而非将它们平行排列在电路板上，以提高芯片之间通讯的速度;但遗憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的铜，却会导致热膨胀(thermal expansion)的问题，因为铜遇热会比周围的硅材料膨胀更多。
「碳纳米管的许多特性都优于铜，包括热
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TSV芯片 CMOS
Crocus科技，领先的强化磁性半导体技术开发商，和中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”)，中国内地最大最先进的集成电路晶圆代工企业，今天宣布，正式签署合作技术开发和晶圆制造协议。根据协议，两家公司将共同开发针对汽车应用的高温磁性逻辑单元(MLU)技术。中芯国际将制造和供应基于CMOS先进技术节点的晶圆，这些晶圆将在Crocus纳米电子(CNE)的先进磁性生产设备上做进一步加工。
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中芯国际 半导体 CMOS
面向全球最受欢迎的消费电子制造商提供CMOS成像解决方案的领先提供商Aptina今天宣布推出AS0260 SOC(片上系统)成像解决方案。这一200万像素的原装1080p SOC可提供出色的性能并能满足以视频为中心的消费电子市场中超薄全高清视频应用严格的尺寸要求(z-高度不超过3.5mm)。
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Aptina CMOS SOC
焊接绝缘栅（或双栅）场效应管以及CMOS集成块时，因其输入阻抗很高、极间电容小，少量的静电荷即会感应静电高压，导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法，取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。
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CMOS 场效应管 集成电路 焊接
1.2 PMOS的变容管连接及其压控特性分析 图2为PMOS管连接成压控可变电容的示意图。具体是将漏、源和衬 ...
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CMOS PMOS
半导体行业网站Chipworks于近日对尼康新出品的微单相机V1做了非常详细而且彻底的拆解，在这次拆解过程中我们也发现了不少秘密，首当其冲的就是主CMOS上发现了Aptina的痕迹。Aptina是美国半导体企业镁光旗下的感光元件生产厂商，也推出过APS-C规格的16M像素CMOS。这也是首次明确发现尼康与Aptina合作，还是让我们先来看看图片吧！
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尼康 V1 CMOS
致力于开发可微缩低功耗CMOS技术的公司SuVolta今日在2011年IEDM会议上发布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗尽通道)的技术细节。SuVolta的DDC技术是该公司的PowerShrink低功耗CMOS平台的组成部分。该低功耗技术已向业界证明可以在不影响速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先进的电压降低手段，DDC技术甚至可以降低功耗达百分之八十或更多。
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SuVolta CMOS
摘要 分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管，利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1．2 V低功耗CMOS模拟乘法器电路。该电路具有节省输入晶体管数目、偏置晶体管和偏置电路，以及性能指标
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模拟 法器 CMOS 2V 动态 NMOS 基于
利用共源共栅电感可以提高共源共栅结构功率放大器的效率。这里提出一种采用共源共栅电感提高效率的5.25GHzW ...
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共源 共栅 CMOS 功率放大器
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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传感器 图像 CCD CMOS
半导体行业从一开始就以“更小、更快、更便宜、更好”为宗旨。当前的掌上电脑(PocketPC)比占地整整一幢楼...
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CMOS TTL 电源供电
摘要：针对CMOS集成电路的故障检测，提出了一种简单的IDDQ静态电流测试方法，并对测试电路进行了设计。所设计的IDDQ电流测试电路对CMOS被测电路进行检测，通过观察测试电路输出的高低电平可知被测电路是否存在物理缺
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电路设计 测试 IDDQ 电路 CMOS
电子技术的电控电路常采用CMOS逻辑控制系统，通过多年的维修实践，我们自行设计和安装了简易集成逻辑门电...
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CMOS 集成电路 测试仪
摘要：为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25mu;m N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性
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研究 电压 基准 CMOS 低温
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