cmos digital image sensor 文章
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- 瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术。该项技术面向28nm工艺以后的产品，瑞萨电子将把该工艺的SoC(System on a Chip)生产全面委托给代工企业。
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瑞萨 DRAM CMOS
- D触发器的常规使用一般是用作二分频器、计数器或移位寄存器。然而，只要对D触发器的外围电路加以改进，根据其基本逻辑功能。就可充分发挥其独特的作用。数字装置中常用的脉冲宽度检测电路，对脉冲信号的宽度进行识别
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宽度 检测 电路设计 脉冲 CD4013 CMOS 触发器 基于
- 什么是CMOS数码相机？对于最终用户而言，采用CMOS技术的数码相机与传统相机没有太大不同。大多数拍照操作方法以及在取景器内给被拍对象安排正确位置的方法都完全相同。那么不同之处在哪里？传统相机需要使用一个35毫
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数码相机 方案 传感器 CMOS 处理器 采用
- 索尼 (Sony)计划以 500 亿日元 (5.972 亿美元) 价格，向东芝 (Toshiba)买回一座半导体工厂，好让用于智能型手机及其他设备的影像传感器 (image sensor) 产能大增一倍。
报导指出，索尼于 2008 年，将该座位于日本长崎的工厂卖给东芝。如今买回，将用以加强其 CMOS 传感器业务，使其影像传感器产量，倍增至相当于每月 4 万颗晶圆。
报导补充，索尼盼藉由增加产量及降低生产成本，好在 CMOS 影像传感器的市场，追赶上南韩的三星 (Samsung)及其他美
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索尼 CMOS
- 随着大规模集成电路技术的发展与成熟，CMOS工艺以其低成本、低功耗、高集成度的优点使得采用CMOS工艺实现高性能集成锁相环具有十分重要的意义和广阔的前景。
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芯片 设计 相环 电荷 CMOS 工艺 基于
- “硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。
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CMOS 10nm
- Verilog HDL语言是IEEE标准的用于逻辑设计的硬件描述语言，具有广泛的逻辑综合工具支持，简洁易于理解。本文就STAR250这款CMOS图像敏感器，给出使用Verilog HDL语言设计的逻辑驱动电路和仿真结果。
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驱动 电路设计 敏感 图像 VerilogHDL CMOS 基于
- 新传感器产业作为近两年来逐渐升温的新兴产业之一，不断吸引着各方的眼球。作为信息通信产业的前沿领域和最新方向，新传感器产业是“感知中国”、“智慧地球”的基石，在当前更被赋予了全新内涵，蕴藏着巨大机遇。在抢抓发展的大潮中，敢为人先的江阴人当然不会放过这一极好的发展良机。
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CMOS 传感器
- 本文将以笙科电子的2.4GHz IEEE 802.15.4射频收发器(适用于Zigbee标准，RF4CE则是基于Zigbee的遥控器应用规范)为例，介绍超低功率CMOS无线射频芯片的设计概要，从电路设计到系统观点，说明芯片设计和应用过程中需要考
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芯片 设计 考虑 射频 无线 Zigbee CMOS 基于
- 高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Laboratories (芯科实验室有限公司)今日发表业界最具频率弹性可在线编程的CMOS时钟发生器。新推出的8路时钟发生器Si5350/51内置压控石英晶体振荡器(VCXO)，能以单一时钟IC取代传统的多器件锁相环(PLL)解决方案，与其他时钟产品相比，Si5350/51可提供两倍的频率弹性，且可分别降低70%的抖动和30%的功耗。
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芯科实验室 CMOS 时钟发生器 Si5350/51
- 如何建立一个小型独立报警电路的CMOS 说明 这是一种小型独立报警电路的选择。每个警报的主要特点是线路图上描述自己。他们都具有非常低的待机电流。因此，他们非常适合电池供电。每个电路对将打印出一张A4纸。
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报警 电路 CMOS 独立 小型 建立 一个 如何
- 如何建立一个CMOS 4060防盗报警器 说明 这是一个区域报警 - 自动出入和警笛截止定时器。这将容纳所有的常闭输入设备一般类型 - 例如磁簧触点 - 铝箔胶带 - PIRs等，但它很容易添加一个常开触发。示意图 当
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防盗报警 CMOS 一个 建立 如何
- 如何建立一个更简单的CMOS单防区报警器说明 这是一个简单的单区防盗报警电路。它的功能包括自动出入境延误和定时贝尔/警报器停产。它的设计是与常闭类型的输入设备的正常使用，例如 - 磁簧联系方式 - 微动开关
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防区 报警 CMOS 简单 建立 一个 如何
- 如何构建基于一个CMOS单防区报警器 说明 该电路具有自动出入延误 - 计时钟切断 - 和系统重置。它为常开和常闭开关提供 - 并将满足通常的输入设备(压力垫，磁簧接触，铝箔胶带，PIRs和惯性传感器)。 如果绿
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防区 报警器 CMOS 一个 构建 基于 如何
- 这个测试仪的基础是一个皮尔兹CMOS缓冲振荡器（图一）。这种振荡器采用单一CMOS逆变偏频在其线性区域通过电阻R1 以形成一个高增益反相放大器。由于这个高增益，这个逆变器比一个非缓冲门消耗的功率低，甚至是很小的信
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CMOS 电感测试仪 方案
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