- 被广泛应用于手机、平板等数码设备中的Nand Flash由于工艺原因无法避免坏块的存在，但是我们可以凭借高科技变废为宝，将“坏块”进行有效的利用，从而满足我们的应用需求，让坏块不“坏”。
要想变废为宝，有效利用坏块。我们首先要弄明白什么是“坏块”，做到知己知彼，才能为我所用。坏块的特点是当编程或者擦除这个块时，不能将某些位拉高，从而造成编程和块擦除操作时的错误，这种错误可以通过状态寄存器的值反映出来。这些无效块无法确定编程时
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Nand Flash 寄存器
- 摘要在嵌入式设计中，许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据，由于成本原因，某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器，在MSP430G 系列单片机中并不具备E
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MSP430G 单片机 Flash
- FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。
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单片机 flash eeprom
- 首先需要了解NAND FLASH的结构。如图：以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例，这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page)，64个页(page)组成1个块(block)，4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区
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Flash NAND 扇区管理
- JEDEC标准(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一个可供查询的描述串行Flash功能的参数表。文章主要介绍了这个串行Flash功能参数表的结构、功能和作用，并给出其在系统设计中的具体应用。
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JEDEC Flash JESD
- TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自动加载的设计,摘要 为实现数字信号处理器的加栽，介绍了TMS320C6455的各种加载模式，尤其是对外部ROM的引导方式，以及一种无需数据转换即可通过数据加载将用户程序写入Flash的方法。以TMS320C6455为例，同时结合LED灯闪烁实例验证
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DSP 加栽模式 二次加载 Flash
- 全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求，预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成，且跌势恐将一直延续至2018年。市调机构IHS iSuppli最
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三星 东芝 NAND Flash
- 数字信号处理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(时钟性能超过100MHZ)和高速先进外围设备，通过CMOS处理技术，DSP芯片的功耗越来越低。这些巨大的进步增加了DSP
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硬件设计 FlaSh DSP
- 使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理。示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ，用户可以从Flash或者SRAM中运行这些代码。示例展示了ARM构架中中断是如何操作
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Flash SRAM 触发中断
- 市调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示，第4季各项NAND Flash终端需求确立旺季不旺，加上厂商库存水位依旧偏高，采购意愿薄弱，
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NAND Flash
- 如何用SmartPRO 6000纠正NAND Flash烧录过程位反转,关于使用烧录器烧录Nand Flash，一直都是很多用户头疼的难点，他们强调已经使用了正确的坏块管理方案，也制定了规范的操作流程，但是烧录的良品率还是无法提高，只能每天眼睁睁看着一盘盘“废品”被烧录器筛选出来!
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烧录 SmartPRO 6000 Nand Flash
- 据海外媒体报道，韩国三星电子为全球第一家量产 3D 架构 NAND 型快闪存储器(Flash Memory)的厂商，不过其NAND Flash 最大竞争对手东芝(Toshiba)追赶速度惊人，宣布已领先全球同业，研发出堆叠 64 层的 3D Flash 产品(见首图)，且开始进行送样。
东芝 27 日发布新闻稿宣布，已研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术，并自今日起领先全球同业开始进行样品出货，且预计将透过甫于 7 月完工的四日市工厂“新第 2 厂房”进行生
- 关键字：
东芝 Flash
- 许多厂商开始将重心转移到降低全快闪储存阵列的成本，如Dell与EMC都已在全快闪产品中导入低成本的TLCFlash记忆体;众多厂商争相发展全快闪储存阵列，也改变了既有的全快闪储存市场消长
在全快闪储存阵列这类型产品诞生初期，唯一的卖点便是高效能，应用面向也局限于线上交易处理等高IO需求领域。为了扩展应用环境，后来的全快闪储存阵列发展也有了不同的发展。
我们可以把全快闪储存阵列的发展分为4个阶段：
第一阶段是效能导向。提供高效能，是全快闪储存阵列这类产品诞生的目的，早期的全快闪储存阵列
- 关键字：
Flash 存储器
- 许多厂商开始将重心转移到降低全快闪储存阵列的成本，如Dell与EMC都已在全快闪产品中导入低成本的TLC Flash记忆体;众多厂商争相发展全快闪储存阵列，也改变了既有的全快闪储存市场消长
在全快闪储存阵列这类型产品诞生初期，唯一的卖点便是高效能，应用面向也局限于线上交易处理等高IO需求领域。为了扩展应用环境，后来的全快闪储存阵列发展也有了不同的发展。
我们可以把全快闪储存阵列的发展分为4个阶段：
第一阶段是效能导向。提供高效能，是全快闪储存阵列这类产品诞生的目的，早期的全快闪储存阵
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Flash 存储器
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