格罗方德半导体(GlobalFoundries)于今日宣布针对硅锗(SiGe)高性能技术组合，推出新一代射频芯片解决方案。该项技术专为需要更优性能解决方案的客户而打造，适用于汽车雷达、卫星通信、5G毫米波基站等其他无线或有线通信网络的应用。
格罗方德半导体的硅锗 8XP技术是该公司130nm高性能硅锗系列产品的最新成员，它可协助客户制定射频解决方案，以在更远距离实现更快的数据吞吐量，同时耗能更少。这项先进技术大幅提升了异质结双极晶体管(HBT)的性能、降低噪声指数、改善信号完整性并将硅锗 8XP
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格罗方德
SiGe
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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IBM
RF芯片
代工升级
制程技术
SiGe
SOI
无线技术的便利性已经得到所有人的认可，无线技术的优势也通过技术的不断演进变得越来越明显，从而带动整个无线市场的快速普及。射频不是一个简单的元器件，而是一个涉及多个半导体器件的解决方案。
作为这个市场的领导者之一，飞思卡尔半导体提供广泛的射频低功率产品组合，满足目前复杂且具有挑战性的应用及市场需求。从通用放大器、增益模块、信号控制产品到功能丰富的低噪声放大器和高性能RFIC，飞思卡尔利用各种基于III-V的技术和先进的SiGe芯片工艺为客户提供解决方案，满足无线基础设施、无线通信、蜂窝通信、工业、
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飞思卡尔
SiGe
MMZ25333B
泰克公司日前宣布，其下一代高性能实时示波器将采用IBM的最新9HP硅锗 (SiGe) 芯片制造工艺。IBM的第五代半导体技术与早前宣布的正在申请专利的异步时间插值 (Asynchronous Time Interleaving) 技术将使新示波器带宽达到70 GHz并实现信号保真度改善。
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泰克
示波器
SiGe
2.3GHz至4GHz、SiGe下变频混频器具有业内最佳的性能Maxim在2010年IIC上海站重点向观众展示了以下应用...
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高线性度
SiGe
变频混频器
世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.13/0.18微米SiGe工艺技术进入量产。由此成为国内首家、全球少数几家可以提供0.13/0.18微米SiGe量产工艺的代工厂之一。
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华虹NEC
工艺
SiGe
MEMS技术自20世纪70年代末80年代初掀起第一轮商业化浪潮，其后经历了四次较大的变革。如今，除传统的应用外，推动第四轮商业化的其它应用包括一些面向射频无源元件、在硅片上制作的音频、生物和神经元探针，以及生化
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技术
MEMS
SiGe
锗化硅技术(Silicon germanium)从20世纪80年代问世以来，是一种高于普通硅器件的高频半导体材料，应用领域非常广泛，尤其在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：下变频器、低噪声放大器（LNA）、前置放大
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SiGe
锗化硅
测试技术
中的应用
2011年9月13日 日本东京讯—高级半导体厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并达到领先业界的低噪声效能。
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瑞萨
晶体管
SiGe:C HBT
本文设计了四种结构的射频有源电感， 其中包括两种正电感和两种负电感。研究结果表明由晶体管构成的有源电感的性能受晶体管的组态及偏置影响较大。四种电路结构中，由共射放大器与共集放大器级联反馈构成的有源电感性能较好。采用回转器原理实现的有源电感，电感值不随面积减小而减小。改变晶体管的偏置电压，有源电感具有可调谐性。
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电感
设计
有源
射频
SiGe
HBT
基于
Maxim推出GPS/GNSS低噪声放大器(LNA)产品线的最新成员MAX2667/MAX2669。这两款完全集成的LNA采用Maxim先进的SiGe工艺设计，具有0.65dB的超低噪声系数，与分立方案或高集成度CMOS方案相比可有效提高接收机的灵敏度和读取范围。MAX2667/MAX2669具有业内最佳的性能、最小的尺寸和最低的电流损耗，是智能手机、个人导航设备(PND)及其它电池供电手持设备的理想选择。
MAX2667/MAX2669提供不同的线性指标选项，以满足不同的系统要求。对于要求在存
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Maxim
LNA
SiGe
MAX2667
MAX2669
全球领先的硅基射频 (RF) 前端模块 (FEM) 和功率放大器 (PA) 供应商SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 已获全球半导体联盟 (Global Semiconductor Alliance, GSA) 提名为2010年度“最受尊敬的私营半导体企业奖”之候选者，优胜者将于12月9日在硅谷圣克拉拉会议中心举办的颁奖晚宴上宣布。
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SiGe
半导体
全球示波器市场的领导厂商---泰克公司日前宣布，其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM 8HP硅锗 (SiGe) 技术，再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130纳米(nm)硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS) foundry工艺提供了两倍于前代工艺技术的性能，能帮助推出实时带宽超过30 GHz的示波器产品。
“泰克公司与IBM拥有长期的合作创新历史，在我们的产品中采用SiGe技术使我们推出了一系列世界级的获奖仪器，并帮助解决了一些最迫
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泰克
SiGe
示波器
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅锗)工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品，旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe:C技术的产品，其QUBiC4 SiGe:C工艺技术可提供高功率增益和优良的动态范围，专为满足现实生活中无线、宽带通信、网络和多媒体市场领域的高频应用需要而设计。2010年5月25日至27日在加利福尼亚州阿纳海姆举行的“2010年IEEE MT
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NXP
SiGe:C
射频
微波
日前，全球知名的射频微波IC厂商Hittite公司面向宽带、3G、Winmax、自动化以及4G应用领域推出了基于 SiGe BiCMOS 工艺的功率检波器HMC713LP3E。
该器件可以在50MHz到8GHz范围内按比例把输入的射频信号变换成直流电压输出，精度为±1dB时，在2700MHz以下动态范围内可达54dB，在3.9到8GHz动态范围也有49dB。其回损则在全部工作频段都优于10dB。
HMC713LP3E的工作电压范围是2.7V到5.5V，消耗电流为17 mA。与
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Hittite
SiGe
BiCMOS
功率检波器
Maxim推出业内性能最佳的完全集成、2000MHz至3000MHz SiGe无源混频器MAX2042。器件专为LTE、WiMAX™、WCS和MMDS等无线基础设施应用而设计，具有无与伦比的线性度和噪声性能，以及极高的元件集成度。配置为下变频器时，该款IC可提供36dBm的IIP3、23.4dBm的IP1dB、7.2dB的转换损耗和7.3dB的噪声系数。此外，器件还具有优异的2阶和3阶杂散抑制。作为上变频器使用时，MAX2042具有同样出色的性能，其IIP3为32.4dBm、LO &plu
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Maxim
混频器
SiGe
MAX2042
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出运算放大器系列 LTC6246、LTC6247 和 LTC6248，该系列器件运用一种节省功率的 SiGe 工艺，实现了 180MHz 增益带宽积和 90V/us 转换率，同时每放大器仅消耗 1mA 最大电源电流。这些单、双和 4 路运算放大器还具有轨至轨输入和输出、以及 4.2nV/ÖHz 宽带噪声。
尽管这些器件专为在轨至轨放大器中提供非常高的速度/电源效率而设计，但这并未牺牲 DC 性能。输入失调电
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Linear
运算放大器
SiGe
全球领先的无线射频(RF)前端解决方案供应商SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)宣布，任命高国洪(Daniel K. Ko)担任亚太区市场推广总监。高国洪将负责制订和执行面向特定地区和产品的战略和战术营销计划，以改善产品定位，并在快速增长的亚太地区中赢得具有竞争力的市场份额。
高国洪将与外部合作伙伴、内部工程团队及SiGe半导体的客户服务和现场应用工程师团队密切工作，充分发挥公司在亚太区无线消费电子市场的拓展能力。
SiGe半导体市场推广副总裁Alistair M
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RFIC
MMIC
SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor) 宣布扩展其无线局域网 (Wireless LAN, WLAN) 和蓝牙 (Bluetooth) 产品系列，推出高性能、高集成度 SE2579U 前端模块 (Front End Module, FEM)，专门瞄准快速增长的嵌入式应用市场，包含WLAN 功能的手机、数码相机和个人媒体播放器 (PMP) 等。
SiGe半导体WiMAX及嵌入式WLAN产品市场总监Sanjiv Shah称：“我们设计开发SE2579U，旨在帮助OEM
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SiGe
WLAN
Bluetooth
WiMAX
基于美国联邦通讯委员会(FCC)的E911定向和定位业务(LBS)，期望紧跟这一标准的全球定位系统(GPS)接收机随时准备在无线通信中扮演一个至关重要的角色。成功的E911/LBS产品与业务将会需要具有以下特征的解决方案：能在移
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GPS
工艺
接收机
Maxim推出带有片内LO缓冲器的完全集成、2000MHz至3900MHz下变频混频器MAX19996A。器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计，集优异的线性度、噪声性能和高度的器件集成特性于一体，能够工作于极宽的频段范围。MAX19996A提供完全集成的下变频通道，具有+24.5dBm (典型值) IIP3、8.7dB (典型值)转换增益和9.8dB (典型值)噪声系数。此外，器件具有业内最佳的2LO-2RF杂散抑制：-10dBm RF电平下为67dBc，-5dBm RF电平下为
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Maxim
混频器
BiCMOS
MAX19996A
SiGe
SiGe 半导体公司 (SiGe Semiconductor, Inc) 现已扩展其 Wi-Fi 产品系列，推出 SE2571U 前端模块，专门瞄准包括手机、游戏、数码相机和个人媒体播放器 (PMP) 的嵌入式应用。SE2571U 专为应对OEM 厂商面临的特定挑战而设计，其特点包括实现“电池直接供电”运作、提升性能，并满足消费者对便携设备内建通用移动通信系统 (UMTS) 连线能力的需求。
SE2571U 提供了完整的 2.4 GHz WLAN 射频传送和蓝牙接收解决方
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SiGe
Wi-Fi
PMP
SE2571U
散射测量方法日益应用于复杂结构的测量，并逐渐在间隔层的量测中占据主导地位。数量级在10nm或更薄的间隔层测量尤其困难。除间隔层厚度外，由间隔层过刻蚀导致的基板凹陷深度也对器件有着明显的影响。嵌入式
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SiGe
散射
方法
测量
专为定位设备提供高性能GPS接收器、GPS软件解决方案和跟踪系统的主要供应商Fastrax公司与专为各种计算、娱乐和移动系统提供实现无线多媒体功能产品的全球领先供应商SiGe半导体宣布，Fastrax现已选用SiGe半导体的SE4120产品来实现其软件GPS方案。
通过此次合作，Fastrax的软件GPS方案和SiGe半导体的射频前端SE4120带来了高性能的GPS方案，并提供参考设计，可由第三方轻易集成。此外，参考设计也可用为Fastrax iT900 射频模块的交钥匙解决方案。这一产品组
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Fastrax
SiGe
软件GPS
嵌入式GPS应用相关的三大主要难题是小尺寸、低功耗和低价格。SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 日前已推出具有双天线输入功能的 GPS 无线电接收器，型号为SE4150L。该接收器是专为下一代GPS 系统而开发的，SE4150L 经过特别设计，不但能解决与嵌入式GPS应用相关的三大主要难题，而且还提高了性能。
SE4150L GPS 接收器集成了天线感测、开关功能及高性能的低噪音放大器 (LNA)，可以显著地简化双天线系统的设计。SiGe市场推广副总裁Alistair
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嵌入式
GPS
SiGe
天线
王胜
德州仪器半导体事业部业务拓展工程师
从模拟及混合信号芯片，尤其是放大器类产品发展趋势来看，高集成度、兼顾速度与精度、低功耗、较宽的温度范围，以及软件可控等性能，将是未来各个模拟器件供应商的新产品呈现的新特点。对于某些中、低端电子产品的成本压力，使得本土的中小规模IC供应商获得了良好的发展机会，打破欧美供应商一统天下的局面，这也将是包括放大器在内的模拟类产品的一大特点。
放大器产品的发展主要特点如下：(1)新工艺、新技术的发展；(2)放大器类产品在电子系统中的作用越来越重要，不可替代
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放大器
TI
凌力尔特
ADC
SiGe
半导体
WiMAX
Wi-Fi
200808
SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 现已为移动 WiMAX 市场扩展其功率放大器 (Power amplifier, PA) 和射频 (RF) 前端模块产品系列，推出全新型号 SE7262L。该2.5GHz 高功率放大器具有业界领先的性能，并超越了 IEEE 802.16e 和WiMAX论坛 (WiMAX Forum) 规范的频谱屏蔽要求。 SE7262L 的性能经过了优化，可在整个工作温度范围提供极高的稳定性，使制造商能够在移动计算应用产品中支持宽带无线多媒体服务，而不会影
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WiMAX
功率放大器
RF
sige:c介绍
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