- 据中芯国际集成电路制造有限公司资深研发副总季明华撰文披露，2010年，中芯国际将加强65纳米的嵌入式工艺平台和32纳米关键模块的研发;同时力争实 现45纳米和40纳米技术的小批量试产。
在第四届(2009年度)中国半导体创新产品和技术评选中，中芯国际有两项技术获奖，其一是 “65纳米逻辑集成电路制造工艺技术”，其二是“0.11微米CMOS图像传感器工艺技术”。
据介绍，目前，中芯国际已经完成了65纳米CMOS技术的认证，并于2009年第三季度
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嵌入式 65纳米 40纳米 CMOS
- 日前，移动电视接收芯片提供商泰景信息科技宣布，该公司研发出的第三代模拟移动电视接收CMOS单芯片TLG1121 是泰景第一款基于65纳米工艺的产品，较其上一代产品功耗更低、体积更小。凭借该款产品，泰景信息科技将继续把创新和领先技术源源不断地注入移动电视市场。
泰景信息科技总裁兼首席执行官盛伟表示：“在巩固画面和移动性能的同时，泰景信息科技的第三代模拟移动电视技术实现了体积及功耗方面的技术突破。TLG1121将赋予下一代移动电视设备更长的播放时间和更多的创新设计，能够满足消费者在静止和
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泰景 65纳米 模拟移动电视接收芯片
- 英特尔近日宣布，其大连芯片厂将在2010年10月份如期投产。大连芯片厂将采用65纳米工艺生产300毫米芯片组。
2007年3月，英特尔宣布投资25亿美元在大连建立一个生产300毫米的晶圆厂。
当时，英特尔总裁兼CEO保罗·欧德宁表示，“英特尔大连厂是英特尔15年来第一次在全新的地点兴建晶圆厂。在根植中国的22年中，英特尔在封装测试和研发等领域在中国的投资已经累计超过13亿美元。此次新投资将使我们在中国的投资总额达到了40亿美元，从而使英特尔称为中国投资额最大的跨国
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- 继台积电提高2010年资本支出达48亿美元，晶圆专工大厂联电3日亦宣布，提高2010年资本支出达12亿~15亿美元，其中约有94%将用于扩充12寸先进制程产能。联电执行长孙世伟表示，联电65纳米成长会非常迅速，45/40纳米世代占营收比重将增加，同时良率已很稳健。值得注意的是，台积电、联电纷上看2010年晶圆代工产业将成长3成，乐观预期公司可望同步跟著成长，并加码资本支出，透露在两大龙头厂带领下，将再度掀起12寸厂投资热潮。
孙世伟表示，对于2010年展望非常乐观，预估半导体产业可望成长13~1
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- 市场对65纳米、40纳米先进制程技术的需求不断看涨，全球前三大晶圆代工厂台积电、联电、特许纷纷在2010年扩大资本支出，并在第一季度同步扩充产能。
三大代工积极扩充产能
台积电2009年向设备商订购的机器总额已超过30亿美元，预计台积电2010年资本支出最高将达40亿美元，创5年来最高。事实上，台积电2009年曾三度调高资本支出，从年初的13亿美元一路调高到27亿美元，调幅超过一倍。台积电还将扩大新竹12英寸厂第五期、南科12英寸厂第三期产能，扩充后月产
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台积电 晶圆代工 65纳米 40纳米
- 随着市场对65纳米、40纳米先进制程技术的需求不断看涨，全球前三大晶圆代工厂台积电、联电、特许纷纷在2010年扩大资本支出，并在第一季度同步扩充产能。
三大代工积极扩充产能
台积电2009年向设备商订购的机器总额已超过30亿美元，预计台积电2010年资本支出最高将达40亿美元，创5年来最高。事实上，台积电2009年曾三度调高资本支出，从年初的13亿美元一路调高到27亿美元，调幅超过一倍。台积电还将扩大新竹12英寸厂第五期、南科12英寸厂第三期产能，扩充后月产能将达20万片。
联电预计
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- 按SEMI近期的研究报告指出，中国力图收窄IC在消耗及产出之间的鸿沟，预计在未来的十年内中国的半导体设备与材料市场将增加一倍。
由假设的鸿沟数字出发，由于中央与地方政府都相应出台了鼓励政策，促进在未来十年中设备及材料的采购会大幅增加。
除此之外，随着中国的芯片制造与封装测试设备的大量进口也大大促进了中国研发和工艺技术人材的需求迅速增加。
自1997年中国半导体市场超过美国与日本之后，中国的政策制订者开始极力强调要缩小供需之间的鸿沟。在2008年中国消费了全球芯片的1/4，但是国内产出
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芯片制造 封装测试 90纳米 65纳米 45纳米
- TSMC6日宣布，客户美商巨积公司(LSI Corporation)使用TSMC65纳米低功耗工艺的降低功耗(PowerTrim)技术，有效减少下一世代产品的总漏电耗能达百分之二十五以上。
TSMC这项降低功耗的技术与服务获得Tela Innovations公司独家专利授权，是将设计技术与先进半导体工艺巧妙整和的创新技术，能有效降低每个产品的漏电耗能。
降低功耗软件(PowerTrim Software)分析巨积公司的设计，并些微增加对时序较不敏感的路径上的闸极长度，以代替本来的元件。而闸
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- 台积电继宣布明年调薪15%，强化人才诱因， 23日又宣布与北京清华大学合作，共同邀请在半导体领域表现杰出的清大校友，在2010年举办一系列半导体创新人才演讲及座谈会，并提供清大先进65纳米与90纳米制程晶圆共乘服务，协助系统单芯片等技术的创新开发。
台积电表示，将与清大共同邀请在半导体领域占有一席之地的重要领导人物，每季 2位返校分享全球及中国半导体业发展趋势、前瞻技术概况、当前市场竞争样貌及个人创业历程，为学界和产业界搭起双向沟通桥梁，以承先启后，同时对学校研究项目提出产业界建议。
这项
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- 龙芯3在新思科技(EDA集团美国新思科技公司)的帮助下，已经将设计移植到65纳米制程。龙芯科技有限公司是中国中科院投资组建，该公司的龙芯3多核心处理器是与新思科技合作设计，首次采用65纳米技术。
新思科技提供了重要的设计工具帮助，但是并没有涉及到流片的相关信息，龙芯3可能会选择四核心或八核心65纳米工艺进行流片实施。
龙芯3的单核心运行频率计划为 1G到1.2G左右，四核心龙芯3的功耗计划控制在10W以下。
龙芯采用 MIPS指令，已经于2009年取得MIPS授权，可以将采用MIPS
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新思科技 65纳米 龙芯3
- 张汝京微佝偻着背走进中芯花园的服务中心，大大的脑袋扛在肩膀上，和5年前我们第一次采访他时相比，岁月的痕迹毫不留情地出现在他身上，按照他自己的话来说，“这几年折旧很快”——这当然不止是指中芯国际晶圆厂的设备折旧。
过去17个季度中，中芯国际就有16个季度出现亏损，这很大程度上是因为每年高达8亿美元的折旧，折旧占到他们销售额的50%左右，早年一度还超过60%。
也正是因为这样长达4年的亏损，张汝京常常被股东质疑。11月4日中芯国际败诉停盘，11月
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中芯国际 65纳米 45纳米
- 一对老冤家——台积电与中芯国际，再次在法庭上打了起来。台积电先胜一轮。
台积电的委托律师杰弗里•查宁表示，美国加州法院周二裁定中芯违反了2005年和解协议条款，因盗窃、使用商业秘密将面临处罚。并强调，处罚额度或超10亿美元。
这一数字超过了中芯年度总营收，显然难以承受，它不太可能妥协行事。昨天，中芯上海总部官方对CBN强调，中芯对美国加州法院的判决表示“遗憾”，但诉讼尚未最终结束，中芯仍会继续捍卫公司和股东的权益，并考虑继续上诉等行
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台积电 65纳米 逻辑芯片
- 英飞凌科技股份公司与台湾积体电路制造股份有限公司今日共同宣布，双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。根据该项协议，英飞凌与台积电将携手开发65纳米工艺技术，用于生产符合汽车行业严格的质量要求及芯片卡和安全行业苛刻的安全要求的嵌入式闪存微控制器(MCU)。
与TSMC扩大合作符合英飞凌制造外包及通过合作大力开发65纳米以下工艺的战略。对于汽车应用而言，65纳米嵌入式闪存工艺可确保最高的功能集成度，实现即将出台的
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- 电子设计企业Cadence设计系统公司今天宣布推出一款全面的低功耗设计流程，面向基于中芯国际65纳米工艺的设计工程师。该流程以Cadence低功耗解决方案为基础，通过使用一个单一、全面的设计平台，可以更加快速地实现尖端、低功耗半导体产品的设计。
“目前，功耗已成为一个关键的设计制约因素，从技术和成本的角度来说，它同时序和面积一样重要”，SMIC设计服务中心副总裁刘明刚表示，“SMIC-Cadence Reference Flow 4.0具有先进的自动化低功耗设
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中芯国际 65纳米 MSMV
- SRAM行业的领先者赛普拉斯半导体公司日前推出了业界首款单片具有144-Mbit密度的SRAM，该产品成为其65纳米SRAM产品系列中的最新成员。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存储器采用65纳米工艺技术，由台湾联华电子(UMC)的芯片工厂代工生产。该产品拥有市场上最快的时钟，速率可达550MHz，在36-bit I/O宽度的QDRII+器件中，整体数据率达到80 Gbps，并且其功耗只有采用90纳米工艺的SRAM器件的一半。这些产品是诸如互联网核心与边
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Cypress 65纳米 SRAM
65纳米介绍
从1965年Intel公司的Moore提出著名的摩尔定律到今年4月,正好是40年。40年来,半导体器件的发展历程一直遵循着这一定律。进入2005年,IBM、德国英飞凌、韩国三星和新加坡特许半导体公司联合的团队以及美国德州仪器公司等厂商,都推出了65纳米工艺制作的半导体集成电路样品。我国台湾省的台积电也将在2005年年底批量生产65纳米器件。
与上一代的90纳米工艺相比,65纳米工艺可以使 [
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