工业和信息化部日前对外公布了2011年标准化重点工作，其中3D电视等标准的制定被列进今年的标准化重点工作。
关键字：
3D 三网融合
2011年全球NAND Flash中，全球三星电子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NAND Flash市场;根据市调机构TrendForce最新统计，2011年第1季NAND Flash品牌供应商的位元出货量为13%，营收成长9.9%，达53.63亿美元。
2011年第1季全球NAND Flash市场变化相当多，最大影响当属日本311东北强震，对
关键字：
三星电子 NAND
据了解，由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
关键字：
三星 NAND Flash
单片型3D芯片集成技术与TSV的研究,尽管晶体管的延迟时间会随着晶体管沟道长度尺寸的缩小而缩短，但与此同时互联电路部分的延迟则会提升。举例而言，90nm制程晶体管的延迟时间大约在 1.6ps左右，而此时互联电路中每1mm长度尺寸的互联线路，其延迟时间会
关键字：
TSV 研究 技术 集成 3D 芯片 单片
由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
关键字：
三星 NAND 移动设备
5月6日-8日，深圳光电显示周暨中国（国际）彩电节“CODECTVF2011”在深圳召开，作为专业显示器展览会，三星电子在本...
关键字：
3D HD
由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长，加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供货锐减50%，美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求，除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能，未来不排除再扩大NAND Flash产能，可行方案包括释出代工权给华亚科生产，或是启动新加坡二厂。美光指出，未来NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
关键字：
美光 NAND
据韩国媒体报道，内存调研公司集邦科技发布最新研究数据，今年四月上旬NAND闪存芯片价格创下了7个月以来的新高水平，一定程度上反映了继上月日本地震海啸灾害中断相关供应链后芯片价格的总体情况。
关键字：
闪存 NAND
东芝宣布其开发出了“全球首款”(该公司)采用19nm工艺的64Gbit NAND型闪存。将从2011年4月底开始样品供货，2011年第三季度(2011年7～9月)开始量产。此次开发的64Gbit NAND芯片是2bit/单元产品，还计划推出3bit/单元产品和1bit/单元产品。不过，这些产品的上市时间目前“尚未确定”(东芝)。
关键字：
东芝 NAND
NAND Flash嵌入式存储系统结构分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作为存储芯片，设计了一种在NFTL上实现坏块管理并且实现连续数据读取的方法。
关键字：
结构 分析 系统 存储 Flash 嵌入式 NAND
上周，Intel和镁光发表联合声明，正式推出采用20nm制程技术制造的NAND闪存芯片产品，并称这款产品将于年内在IMFT属下的工厂开始生产。不过两家的头名板凳还没有坐热，本周Sandisk和东芝组成的搭档组合便重新夺回了NAND闪存制程技术的宝座，他们宣称已经制造出了采用19nm制程技术的NAND闪存芯片，目前这两家公司在日本设有一家合资芯片制造公司。
关键字：
东芝 NAND
据国外媒体报道，据台湾集邦科技 (dramexchange technology inc)周一发表的行业数据显示，NAND闪存芯片价格在4月份的上半个月创7个月的新高，反应了在上个月日本发生严重的地震中断了供应链之后其它存储芯片价格的情况。
关键字：
NAND 闪存芯片
据华尔街日报(WSJ)报导指出，由英特尔(Intel)和美光(Micron)出资各半成立的快闪存储器合资公司IM Flash，日前领先业界率先推出最新20纳米制程快闪存储器，这也使得智能型手机和平板计算机里的储存装置可以进一步缩小。
关键字：
Micron NAND
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NAND Flash领域且成立合资公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，传出5年合约已届期满，将于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光独自启动新加坡厂IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的装机和投资，英特尔并未表态加入，引发外界对双方合作关系，以及英特尔是否持续投资NAND Flash领域的质疑，预计双方将对外宣布最新的合作动态。
关键字：
英特尔 NAND
Intel与镁光公司本周四将对NAND业务合作事宜作重要宣布，不过两家公司并没有透露这次宣布的详细内容是什么。据Web-Feet Research市调公司的CEO Alan Niebel分析：“我认为他们这次可能会宣布终止双方的合资公司IMFT在新加坡设立的闪存芯片厂项目上的合作。这间工厂目前正计划开始投产25nm制 程NAND闪存芯片，并随后转向20nm制程技术。”
关键字：
Intel NAND
3d-nand介绍
您好，目前还没有人创建词条3d-nand!
欢迎您创建该词条，阐述对3d-nand的理解，并与今后在此搜索3d-nand的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473