去年英特尔宣布了内存技术突破。该公司推出了所谓的3D XPoint技术，它非常适合DRAM和SSD之间的市场。新的非易失性芯片据称会从根本上改变计算，但是现在传出这一技术及其产品将被严重推迟发布。
根据英特尔自己的营销材料显示，3D XPoint技术不仅提升非易失性存储器速度，而且还提供了出色的存储密度。这使得存储设备体积显着小于现有型号。英特尔当时宣称这一新技术不仅仅是一些概念证明，而是准备在今年全面生产与推广。不幸的是，现在看起来英特尔已经遇到麻烦，悄然大大推迟了3D XPoint技术和产品
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英特尔 3D XPoint
市场研究机构IC Insights的最新报告将对2016年全球半导体市场营收的成长率预测，由原先的-2%提升为1%;此外该机构预测，2016年全球IC出货量成长率将在4~6%之间。IC Insights调升半导体市场成长率的很大一部分原因，来自于DRAM市场的强劲表现。
IC Insights指出，自2002年以来，全球IC市场在第三季平均季成长率为8%，但去年第三季市场成长率仅成长约1%左右;2016年第三季的IC市场成长率则出现了略为高于过去十五年平均值的9%。此外该机构预期，2016年第四
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存储器 DRAM
据ICInsight的最新预测，2016年全球半导体业的增长率将是1%，之前的预测为下降2%。它的最新预测为2016年增长1%，及2017年增长4%，而2016年IC unit(出货量)由之前预测增加4%，上升至6%。
IC Insight修正预测的原因是DRAM的价格将止跌回升。如DDR3 4Gb的价格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度达62%。如今由于智能手机及PC对于DRAM的容量需求上升，导致市场缺货，价格止跌回升。三星等又重新开始扩大投资，增加
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SMIC DRAM
摘要：由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工，整个项目预
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SSD 3D NAND
行动装置的记忆体不断扩大!三星电子宣布，智慧机将进入8GB DRAM年代，该公司已经开始生产，外界预料将用于明年初问世的Galaxy S8。
韩联社报导，三星电子20日发布业界首见的8GB行动DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四个16Gb的LPDDR4 晶片组成。三星执行副总Joo Sun Choi表示，8GB行动DRAM的到来，可让次世代旗舰机的功能更上一层楼。
目前智慧机行动DRAM最大为6GB，记忆体加大可满足双镜头、4K萤幕、虚拟实境(VR)等的需求。三星并宣称，新品效能与当前
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三星 DRAM
由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆
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3D NAND
半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品领先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术，进而颠覆全球DRAM市场。VLT存储单元在2015年已通过验证，目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。Kilopass一直致力于推广这项技术，并正与DRAM制造商进行许可协商。
“Kilopass以一次性可编程(OTP)存储器技术的领导者而闻名，我
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Kilopass DRAM
10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor)技术，简称VLT技术。据Kilopass首席执行官Charlie Cheng称，该技术集低成本、低功耗、高效率、易制造等诸多优点于一身，有可能颠覆目前的DRAM产业格局。
最适用于云计算/服务器市场的DRAM技术
Charlie Cheng指出，DRAM整体市场较为稳定，未来随着PC、手机等方面的市场需求萎缩，新的增长点将出现在云计算/服务器等市场领域。然而当前
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VLT DRAM
DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力，因为它提供了广泛的性能，用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念，及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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存储器 DRAM SDRAM
YouTube上的科技频道总不乏各种技术宅的奇思妙想，日前，一位名为“Mrwhosetheboss”发布了一则有趣的视频，记录了他将一台智能手机打造成一台3D全息投影仪的全过程。 下面就让我们一起来见证一下奇迹发
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3D 全息投影仪 DIY
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，随着DRAM原厂持续调整产出比重，标准型内存在供货持续吃紧下，九月合约价维持强劲上涨走势，均价已来到14.5美元，月涨幅达7.4%，在全球笔电需求出乎意料大增的情况下，预估第四季的合约价季涨幅将直逼三成，创下两年来的新高点。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，DRAM现货颗粒价格涨幅更为剧烈，如DDR3/4 4Gb价格分别来到2.1/2.0美元，较上月同期已各上涨19%与15%，显见市场供不应求
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DRAM
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，随着DRAM原厂持续调整产出比重，标准型内存在供货持续吃紧下，九月合约价维持强劲上涨走势，均价已来到14.5美元，月涨幅达7.4%，在全球笔电需求出乎意料大增的情况下，预估第四季的合约价季涨幅将直逼三成，创下两年来的新高点。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，DRAM现货颗粒价格涨幅更为剧烈，如DDR3/4 4Gb价格分别来到2.1/2.0美元，较上月同期已各上涨19%与15%，显见市场供不应求
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TrendForce DRAM
南亚科总经理李培瑛29日出席台湾半导体产业年会(TSIA)表示，南亚科计划两年投资500亿元，这不是小数目的投资，其目的在于提升芯片价值，而非拉升全球市占率，未来新存储器技术ReRAM、3D XPoint都值得注意，且台湾的DRAM产能仍占全球产能的20%。
再者，南亚科召开重大讯息指出，为导入20纳米制程技术，从2016年2月至9月29日为止，向台塑网科购置制程网路及伺服器等相关设备，总价款约3.43亿元。整体来看，南亚科为配合20纳米制程技术转换制程，预计花430亿~450亿元进行相关设备扩
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南亚科 DRAM
DRAM现货价涨不停，主流规格DDR4 4Gb芯片均价昨(27)日正式站稳2美元、达2.1美元，攀上七个多月来高点，本季来大涨逾24%，第4季报价持续看涨一成，南亚科、威刚、宇瞻等记忆体族群大进补。
业界透露，在全球存储器芯片龙头三星拉抬报价带动下，DRAM涨势延续，9月以来已连续三周上涨，涨势明确，伴随追价买盘进场，涨势加大。
根据全球市场研究机构TrendForce集邦科技昨日晚间最新报价，DDR4 4Gb芯片正式站稳2美元、均价来到2.1美元，单日涨幅1.6%，合计本周以来二个交易日
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DRAM 存储器
三星主导调涨DRAM报价策略奏效，全球市场研究机构TrendForce集邦科技最新DRAM现货报价连四天缓步上扬，主流DDR4 4Gb DRAM有机会向2美元叩关，也是近2个月来涨势最明确的半导体重要元件。DRAM厂商包括南亚科、华邦、威刚及宇瞻等，可望重掌多头反攻号令。
存储器渠道商表示，三星和SK海力士近期主导价格涨势态度积极，除8月调涨DRAM报价，第4季合约价也再涨一成，连同第3季合约价调涨15%，等于下半年涨幅约25%。
2大韩系DRAM大厂的市占逾八成，主导DRAM涨价策略奏效
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三星 DRAM
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