消费型3D打印机近来相当火热，不断地有新机种推出，但大家的架构都差不多，都是在一立方体机壳中进行3D形体的打印。今天来介绍一款与众不同的3D打印机 - ATOM，它以三角柱的简洁造型，能够提供超大的打印体积
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3D Printing 数字制造 大量客制化 开放硬件 地下连云
日前，SeMind举办了圆桌论坛，邀请半导体设计与制造的专家齐聚一堂，共同探讨未来晶体管、工艺和制造方面的挑战，专家包括GLOBALFOUNDRIES的高级技术架构副总裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技术官Carlos Mazure，Intermolecular半导体事业部高级副总裁兼总经理Raj Jammy以及Lam公司副总裁Girish Dixit。
SMD ：从你们的角度来看，工艺升级短期内的挑战是什么?
Kengeri ：眼下，我们正在谈论的28nm到2
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FinFET 3D
半导体和封测大厂积极研发2.5D IC和3D IC;预估到2015年，在智慧手机应用处理器整合记忆体，3D IC制程可望成熟;封测大厂展现相关领域的开发愿景。
使用者经验和终端市场需求，推动半导体封装型态演进。包括晶圆代工厂、封测厂商甚至IC载板厂，正积极切入2.5D IC和3D IC等泛3D IC领域。
现阶段来看，包括台积电、日月光、艾克尔(Amkor)、意法半导体(STM)、三星电子(Samsung)、尔必达(Elpida)、美光(Micron)、格罗方德(GLOBALFOUNDRI
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3D 封测
德路工业胶粘剂公司开发了新型的、用于透镜生产的光固化环氧树脂和丙烯酸酯。用于微透镜的创新型光学材料对全球消费电子产业来说具有划时代意义，因为这些材料最大程度满足了微光学系统所有的质量要求，并且使快速和低成本生产成为可能。如今，高科技透镜应用于阵列相机、手机、LED闪光灯以及3D屏幕中。
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德路 3D LED
行动运算产品市场持续朝产品薄化方向设计，目前相关设计多使用整合晶片减少元件用量，对于异质核心的封装整合，若仍使用旧有的封装技术将会造成成品元件仍具一定程度占位面积，必须利用堆叠与更复杂的3DIC技术进行元件整合的积极微缩设计…
矽晶片的制程技术，一直是推进行动终端产品跃进式升级、改善的关键驱动力，以往透过SoC(systemonachip)将不同用途的异质核心进行整合，目前已经产生简化料件、缩减关键元件占位面积的目的，但随着使用者对于行动装置或可携式装置的薄化、小型化要求越来越高，
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3D 制程 矽穿孔
全球MEMS(微电子机械系统)、纳米技术和半导体市场晶圆键合及光刻设备的领先供应商EV集团(EVG)今天宣布，道康宁公司已加入该集团的“顶尖技术供应商”网络，为其室温晶圆键合及键合分离平台——LowTemp?平台的开发提供大力支持。道康宁是全球领先的有机硅及硅技术创新企业，此次加盟EVG这个业内领先的合作伙伴网络堪称此前双方紧密合作的延续，之前的合作包括对道康宁的简便创新双层临时键合技术进行严格的测试。今年7月，EVG推出全新的LowTemp公开平台，并
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道康宁 3D-IC
领先的高性能模拟IC和传感器解决方案供应商奥地利微电子公司(SIX股票代码：AMS)日前宣布投资逾2,500万欧元在其位于奥地利格拉茨附近的晶圆制造工厂，用以建立3D IC专用的生产线。
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奥地利微电子 3D 晶片
台湾半导体产业协会(TSIA)理事长暨钰创科技董事长卢超群表示，今年将是3D IC从研发到导入量产的关键年，3D IC元年最快明年来临，往后十年半导体产业将走出一个大多头，重现1990年代摩尔定律为半导体产业带来的爆发性成长。
随着矽元件趋近纳米极限，摩尔定律开始遭遇瓶颈，各界期盼立体堆叠3D IC技术延续摩尔定律
存储器芯片设计公司钰创董事长卢超群上半年接任台湾半导体产业协会理事长，他希望透过协会的影响力，带领台湾半导体产业参与各项国际半导体规格制定、提升人才参与及素质，并让国内外科技投
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半导体 3D
编者按：8月初，Spansion宣布两项重大举措：一，完成对富士通微控制器(MCU)和模拟业务的收购;二，签署与XMC(武汉新芯集成电路制造公司)的技术许可协议。可见，Spansion由最大的独立闪存公司变身为多元产品公司，并且加深与中国代工厂的合作。是什么促使Spansion做此决定?Spansion对华战略如何?
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富士通 Spansion MCU NAND 201309
SEMICON Taiwan 2013国际半导体展下月起跑，今年将以3D IC(3-Dimensional Integrated Circuit，立体堆叠晶片)、绿色制程、精密机械及系统级封装等为主题，另有LED(Light Emitting Diode，发光二极体)制程特展，同时也将举办15场国际论坛及邀请多家知名企业主参与，预料将成注目焦点。
国际半导体设备材料产业协会(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，今
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半导体 3D
三维晶片(3DIC)商用量产设备与材料逐一到位。3DIC晶圆贴合与堆叠制程极为复杂且成本高昂，导致晶圆厂与封测业者迟迟难以导入量产。不过，近期半导体供应链业者已陆续发布新一代3DIC制程设备与材料解决方案，有助突破3DIC生产瓶颈，并减低晶圆薄化、贴合和堆叠的损坏率，让成本尽快达到市场甜蜜点。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙强调，3DIC材料占整体制程成本三成以上，足见其对终端晶片价格的影响性。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙表示，高昂成本向来是3DIC
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晶圆 3D
三星电子在存储技术上的领先的确无可匹敌，今天又宣布已经批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。这年头，3D堆叠已经成了潮流，处理器、内存什么的都要堆起来。
三星的V-NAND单颗芯片容量128Gb(16GB)，内部采用三星独有的垂直单元结构，通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。
三星称，这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的两倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且写入性能也可达到1xnm N
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三星 V-NAND
不让韩国三星专美于前，日本半导体大厂东芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，将共同斥资4,000亿日圆(约新台币1,221.2亿元)，于日本三重县四日市兴建储存型快闪存储器(NAND Flash)新厂，导入最新16至17纳米制程，使总产能提升20%，明年4月量产，为在台后段封测厂力成(6239)营运挹注成长动能。
这是三星在上月宣布调高今年半导体资本支出后，东芝近两年来首度做出增产决定，因为苹果中低价手机和大陆手机的强劲需求。
研究机构统计，去年全球NAND Flash出货量，三星居全球
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半导体 NAND
据IHS公司的移动与嵌入存储市场追踪报告，今年第一季度中国低端智能手机的需求大增，让内存供应商措手不及，刺激了NAND闪存市场的增长并导致其出现供应短缺。
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IHS NAND
据IHS公司的存储市场追踪报告，超薄/超级本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度极大地推动了固态硬盘(SSD)的发展。SSD在这些领域的出货量同比激增两倍。
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IHS SSD NAND HDD
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