- 2009年DRAM 市场乌云笼罩，厂商艰难度过黑暗时期，终于守得云开见月明。春季温和复苏，夏季迎来光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。
三星走在前列，营业利润率为19%，营业收入达22 亿美元，市场份额扩大到35.5%的最高水平。
DDR3 来临
第三季度，下一代 DRAM 技术——DDR3 看到希望，而且显然这种技术代表未来的一股潮流。iSuppli 公司预测，DDR3 出货量将在2010 年第一季度超过DDR2。
三星在 DDR3
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DRAM DDR3
- 2010年台DRAM厂将决战50和40奈米制程技术，但新制程关键恐未必在技术上，而在于浸润式微显影(Immersion Scanner)机台设备采购是否能跟上脚步，近期业界传出瑞晶机台原本2月要交货，但目前交期已递延至4月，南亚科和华亚科之前亦传出机台交货不及，公司则澄清前期机台已顺利拉进来，转换制程进度一切正常。
DRAM厂决战50和40奈米制程技术最大挑战是资金问题，其中，机台购置成本占相当大比重，由于1台机台设备动辄要价新台币10亿元，且每台机器产能约仅1万片，若1座产能达10万片的12寸
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Samsung DRAM
- 嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案,介绍怎样在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制单元的基础上，利用CPLD技术和80C196XL的时序特征设计一个低价格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL语言编程实现。
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CPLD 解决方案 控制器 DRAM 系统 嵌入式
- 南亚科将逆势扩建旗下12寸厂，从现有3万片扩增至5万~6万片，成为此波DRAM景气复苏后，首家扩产的台系DRAM厂。值得注意的是，南亚科单月产能(加计华亚科)约9.5万片，以目前全球单月12寸厂产能约100万片计算，南亚科扩产后，全球市占率将首度挑战10%，成为台塑集团在 DRAM产业重要里程碑。
DRAM厂喜迎产业景气复苏，但苦于无钱扩增产能，2009年下半除赶紧将减产的产能回复，对于制程演进亦快马加鞭，包括美光(Micron)、尔必达(Elpida)阵营2010年纷宣布要转进40奈米制程世代
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南亚科 DRAM
- 2010年4大DRAM阵营三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代!继尔必达跳过50纳米制程，大举转换至45纳米后，美光阵营也不甘示弱宣布年中将同步转42纳米。华亚科表示，表示旗下的50纳米制程是最正统的完整世代技术，并非是制程微缩下的产物，因此成本竞争力有十足把握;在尔必达、美光跟上制程进度后，年底4大阵营技术实力大幅缩小，竞争更激烈。
虽然三星电子和海力士已先一步转到40纳米世代，其中三星是
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Hynix DRAM 40纳米
- 全球第2大计算机存储器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季财报，随著全球个人计算机(PC)景气回温，海力士获利创下3年来新高。
2009年第4季海力士营收为2.8兆韩元(约24.7亿美元)，较第3季大幅成长32%，海力士营收成长主因为DRAM及NAND Flash存储器出货量成长，同时，DRAM平均售价也上扬，此外，第4季海力士净利为6,570亿韩元，更较第3季大幅成长167%。
和2009年第3季相较，2009年第4季海力士DRAM平均售价及出货量分别成长26%及12%，至于N
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Hynix DRAM NAND
- 韩国三星公司与Rambus公司本周二宣布就两家之间的专利权官司达成和解协议，三星公司将在五年之内逐步向Rambus公司支付总额达9亿美金的专利授 权费用.据协议规定，三星将首先一次性支付给Rambus公司2亿美元，并在此后的5年之中以平均每季度支付2500万美元的方式逐步将剩下的金额以专利授权费的形式支付给对方，其中包括一笔用于购买三星现有DRAM产品所使用的Rambus专利终身授权的资金。另外，协议还规定三星将向Rambus公司投资2亿美元。
据Rambus公司高级副总裁Sharon Holt
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三星 DRAM 内存
- 全球DRAM市场正加速进行世代交替，DDR3芯片因缺货使得价格持续上涨，DDR2价格却严重下跌，且累积库存越来越多，近期韩系DRAM大厂开始祭出买DDR3模块必须搭配买DDR2模块的搭售策略，希望系统厂和模块厂不要只购买DDR3模块，由于DDR3模块在现货市场货源奇缺，使得部分下游通路商亦跟进DRAM大厂，采取搭售策略，希望在DDR2与DDR3 模块世代交替的同时，避免产品价格严重背道而驰。
近期DRAM市场已呈现两极化发展，DDR3芯片市场缺货情况持续恶化，但DDR2芯片库存却是愈堆愈多，存储
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DRAM DDR3
- 据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NAND Flash的产能。
根据研究机构iSuppli资料，2009年第3季海力士于全球DRAM市场市占率为21.7%，落后三星电子(Samsung Electronics)的35.5%，
海力士也将增加NAND Flash产能，金钟甲表示，2010年底前海力士计划倍增NAND
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海力士 DRAM 存储器
- 据国外媒体报道，由于计算机内存芯片供不应求可能有助于利润创下4年来新高，全球第二大内存芯片厂商海力士计划今年偿还逾1万亿韩元债务(约合8.88亿美元)。
海力士首席执行官金钟甲(Kim Jong-kap)日前在接受采访时表示，“我们的目标是，在进行必要投资的同时偿还巨额债务。目前，海力士有息债务约为7万亿韩元(约合62.16亿美元)。”
更少的债务和更高的利润有助于海力士吸引其他收购方。去年11月，晓星公司撤消了收购海力士的收购要约。分析师称，由于PC需求增长，今年
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DRAM 内存芯片 DDR3
- 2010年PC主流内存标准从DDR2向DDR3的转换正在逐步成为现实。据台湾媒体报道，由于下游厂商的DDR2订单量近期出现急剧下滑，多家台系DRAM芯片制造商都在加快产能从DDR2向DDR3转换的步伐。根据稍早前的报道，台湾力晶(PSC)半导体以及他们和日本尔必达合资的瑞晶电子(Rexchip)预计，今年第一季度DDR3晶圆在其总产能中所占比例 将超过70%。而去年第三季度，DDR3颗粒占其产量的比例还不足5%。从去年第四季度开始，力晶和瑞晶已经明显加快了增产DDR3的步伐。
另一家DRAM大厂
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DRAM DDR2 DDR3
- 存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。
纵观DRAM发展的历史，几乎每8至10年一次大循环，最终一定有大型的存储器厂退出，表示循环的结束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的东芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇梦达最先退出。奇梦达的退出使市场少了10万片的月产能。
在全球硅片尺寸转移中，存储器也是走在前列，如
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存储器 DRAM NAND NOR SRAM
- 2009年DRAM产业在地狱和天堂里各走一遭，年初1颗DRAM均价还在0.5美元，当时生产成本还在2美元，可见亏损有多严重，各厂只好宣布停工、减产，巨额亏损的问题延伸至台、美、日DRAM厂大整合阶段，也演变成国与国之间的战争。但到了年底，DRAM厂又开始生龙活虎起来，中间历程看似短短 365天，但个中辛酸DRAM厂冷暖自知，未来各界看好DRAM产业有2年的好光景，终于摆脱地狱魔咒，前进在通往天堂的路上。
365天之间可以发生多少事?它可以让平均每天亏损新台币1亿元、每1季亏损超过百亿元的DRAM
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Microsoft DRAM DDR
- DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异，DDR2合约价大跌，DDR3却大涨，凸显世代交替已提前来临，将加速DDR2需求急速降温，快速转移到DDR3身上，近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3，尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和瑞晶，预计第1季底DDR3比重将达70%，速度超乎预期。不过，亦有业者认为，若大家都抢著把DDR2产能转走，说不定会意外让DDR2跌势止稳，反而有利于DDR2价格走势。
台 DRAM厂表示，原本业者认为在农历春节前DDR2买气还有最后一搏机会，因为DDR2若
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DRAM DDR2 DDR3 存储器
- 1月5日消息，据国外媒体报道，2010年CES大会即将召开，全球知名电子企业都积极参与，虽然在本次大会上将无法看到苹果的展品中，但微软，索尼，谷歌和戴尔仍会为千百万众多CES迷们带来精彩的盛宴。以下为大家盘点本次大会上将出现的四个聪明创意：
1、谷歌的Nexus One
谷歌的自有品牌手机横空出世，虽然目前官方并未公布其细节。但是众多消息人士还是透露出了关于这款手机的基本轮廓。谷歌的Nexus One的售价约为550美元，装备Android 2.1系统和触摸屏。它将在新年1月的第一周发布。
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CES 3D 视频技术
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