- 尽管目前全球存储器四强竞局维持平衡状态,然近期各厂投资动作频频,包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)与东芝(Toshiba)为量产3D NAND Flash,纷投资建厂或以既有生产线进行转换,SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10厂生产3D NAND Flash,业界预期未来3~4年内存储器产业既有平衡竞局恐将被打破。
半导体业者表示,3D NAND技术是未来存储器产品主流,然技术层次及难度十分高,目前在制程良率上仍面临许多挑战,预计2016年真正
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美光 DRAM
- 红色供应链给台企带来了巨大压力,市场萎缩,人才流失,再也损失不起了。
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DRAM 紫光
- 南亚科董事长吴嘉昭昨(6)日表示,虽然中国在DRAM产业急起直追,但至少还要花三年才能追上台湾。对于前总座高启全退休前往中国紫光集团发展,想要创造中美台合作空间,南亚科新任总经理李培瑛说,一切仍有不确定性,公司目前尚无实质作法。
南亚科昨天举行临时董事会,通过高启全退休案,但仍担任南亚科董事,并决议即日起由资深副总李培瑛接任总经理。
吴嘉昭透露,高启全是在9月18日提出申请退休,对于他的离开感到惋惜,虽然不清楚高的详细生涯规画,但仍给予祝福。
此外,高启全
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南亚科 DRAM
- 台湾过去数十年培养出来的半导体人才,现在一个一个往大陆跑,台企离没落不远了。
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京东方 DRAM
- 资策会产业情报研究所(MIC)报告指出,受到新兴市场智慧型手机晶片价格快速下滑及需求不佳影响,预估明年全球半导体市场成长率较今年衰退1%,台湾半 导体产业在DRAM产值跌幅趋缓之下,明年产值将达2.2兆元微幅年增2.2%。
资策会MIC资深产业分析师施雅茹表示,今年台湾半导体 产业表现不如全球,主要受DRAM与IC设计产值下滑影响,估算今年台湾IC设计产业产值约4,971亿元新台币,年减6%,DRAM产业产值2,325 亿元,年减13%;预估明年可望在DRAM产值跌幅趋缓,以及晶圆代工、IC封测
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半导体 DRAM
- 由于12吋晶圆持续扩大应用至非存储器领域,使得全球12吋晶圆生产线持续增加,2015年已超过90条产线,较5年前增加约20条产线,且预计未来4年将再增加近20条产线,相较之下,18吋晶圆商用化时程则会再往后延缓,业界预期2020年之前将不会有采用18吋晶圆进行大量生产的产线。
12吋晶圆除应用在DRAM和NANDFlash等需要大量生产的存储器芯片,亦持续扩大使用在非存储器产品,包括电源管理芯片、影像感测器等,甚至用来制造逻辑芯片、微型元件IC等,且为因应市场需求,将芯片产量最大化,半导体厂在1
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晶圆 DRAM
- 全球DRAM大厂三星昨天传出下调DRAM报价,调降幅度20%。此举预告DRAM产业将在第四季出现一波修正期,DRAM大厂华亚科和南亚科第四季营收恐不如预期。
继台积电前天无预警下修第四季财测,市场消息传出,全球DRAM市占率达四成的三星,将DRAM模组价格从21美元降至16.8美元,换算每颗粒DRAM价格仅剩1.8美元。
8月三星还力守DDR3 4GB主流模组价格在21美元左右,并将部分PC DRAM产能转进高阶智慧型手机使用的LP DDR4。
随今年以来DRAM价格持续走低,市场需
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三星 DRAM
- 全球DRAM大厂三星昨天传出下调DRAM报价,调降幅度20%。此举预告DRAM产业将在第四季出现一波修正期,国内DRAM大厂华亚科和南亚科第四季营收恐不如预期。
继台积电前天无预警下修第四季财测,市场消息传出,全球DRAM市占率达四成的三星,将DRAM模组价格从21美元降至16.8美元,换算每颗粒DRAM价格仅剩1.8美元。
8月三星还力守DDR3 4GB主流模组价格在21美元左右,并将部分PC DRAM产能转进高阶智慧型手机使用的LP DDR4。
随今年以来DRAM价格持续走低,市
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三星 DRAM
- PROM、EEPROM、FLASH的总结性区别
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成,由于FLOTOX的特性及两管结构,所以可以单元读/写。技术上,FLASH是结合EPROM和EEPRO
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SRAM DRAM
- 虽然较大尺寸晶圆的生产材料和技术成本高于小尺寸晶圆,但由于较大晶圆可以切割出更多的芯片,因此经验显示,就每单位芯片成本而言,大尺寸晶圆技术至少会比小尺寸晶圆降低20%。
然而在实务上,要采用大尺寸晶圆生产技术,业者必须要先行投入大笔经费。因此在资金和技术的障碍下,各业者往往会采用将现有技术进行效率最大化的方式进行生产,而不是对新开发的大尺寸晶圆生产技术进行投资。
以最新18吋(450mm)晶圆生产技术的采用为例,就正处于这样一种状况下。根据调研机构ICInsights最新公布的2015~2
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晶圆 DRAM
- 虽然大陆景气疲软,2015年韩国存储器厂的业绩展望相对明朗。然大陆智能型手机需求缩减,2016年移动DRAM价格可能下滑,2016年前景反而不透明。
据ET News报导,全球排名前一、二名的DRAM制造厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年业绩可能会与当初预期相近,或小幅提升。近来大陆景气迅速萎缩,但对下半年暂时不会有太大影响。
三星下半年IT及移动装置(IM)事业部业绩可能下滑,但半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部的存储器和系统晶
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存储器 DRAM
- 由于对DRAM过于依赖,近年来英特尔半导体龙头地位摇摇欲坠,现在英特尔似乎下决心要扳倒后进:打算力推嵌入式DRAM (eDRAM),三星、海力士表示亚历山大。
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Intel DRAM
- 全球第二大DRAM厂南韩SK海力士昨(25)日宣布,规划斥资31兆韩元(约259.4亿美元、约新台币8,300亿元),在南韩兴建两座新厂,预计2024年前竣工。近期DRAM价格好不容易出现止跌讯号,市场忧心,SK海力士大举扩产,长期将再度使得产业陷入供过于求。
外电指出,投资人正密切留意记忆体厂新的资本投资,因为大规模的支出可能导致供给过剩,或引爆价格战,这对三星、SK海力士、华亚科(3474)、南亚科等业者都将不利。
受市场忧心SK海力士大举扩产影响,南亚科昨天股价在台股大涨逾265点下
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海力士 DRAM
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示,DRAM市场第2季受到合约均价大幅衰退约10%的影响,虽然位元产出量持续增长,总产值仍呈现4.8%的季衰退,来到114亿美金。在淡季影响下,各DRAM厂营收都呈现衰退走势,然而由于制程持续转进,毛利并未大幅缩减,三星、SK海力士与美光的DRAM产品别营业获利比例分别为48%、37%与21%,因此DRAM产业真正的考验将会落在未来的几个季度。在需求端如笔电与智慧型手机领域持续疲弱,但供给端来自20nm/21nm的比例将持续提升,该机构
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三星 DRAM
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示,DRAM市场在 2015年第二季受到合约均价大幅衰退约10%的影响,虽然位元产出量持续增加,总产值仍呈现4.8%的季衰退,来到114亿美元。
在淡季影响下,各DRAM厂第二季营收都呈现衰退走势,然而由于制程持续转进,毛利并未大幅缩减,三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)与美光(Micron)的DRAM产品别营业获利比例分别为48%、37%与21%,因此DRAM产业真正的考验将会落在未来的几季;在需求端如笔电与智慧型
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DRAM 三星
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