- 联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子IC制造商机。
联电执行长孙世伟表示，14nmFinFET制程技术将会是联电切入未来次世代通讯运算市场的最佳利器。
联电执行长孙世伟表示，由于晶圆从28跨入20nm制程以下的微缩过程中，势必得使用双重曝光(DoublePatterning)微影技术才能实现，而此
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联电 处理器 14nm FinFET
- 去年营收146亿美元，今年将达170亿美元，台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC，以下简称“台积电”)迎来了两个丰收的年头。10月5日，其市值再次创造新纪录—以2兆3587亿元新台币的市值高居台湾上市公司之首。年届81岁的张忠谋复出仅仅3年，就将台积电从裁员与订单流失的泥潭里拉了出来—2009年第一季度，台积电收入出现其史上最大跌幅，几近亏损。对常年保持两位数增长的台积电和惯于将其视为“模范生”的业界而言，这样的消息令人震惊，也
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台积电 芯片 14nm
- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架构的14nm-XM技术，其全球销售和市场营销执行副总裁Michael Noonen近日接受媒体访问，对有关问题进行了解读。
XM 是 eXtreme Mobility 的缩写，作为业界领先的非平面结构，它真正为移动系统级芯片(SoC)设计做了优化，能提供从晶体管到系统级的全方位产品解决方案。与目前20纳米节点的二维平面晶体管相比，该技术可望实现电池功耗效率提升 40%~60%。
Noonen表示：“201
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FinFET 14nm
- 英特尔公司在最近召开的英特尔信息技术峰会(IDF)上表示，他们将在2013年年底之前进入14nm时代。目前，英特尔的22nm工艺技术已经相当成熟，它大量用于Haswell处理器的生产线上。
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英特尔 14nm
- 核心提示：英特尔于2009年关闭了位在都柏林附近Leixlip的Fab14厂，将当地晶圆厂的数量减少至三个，分别为Fab10,24和24-2。2011年1月，英特尔花费约五亿美元重建Fab14旧厂，但当时并未说明翻新这座晶圆厂的详细规划。
英特尔日前公布了将部署14nm及以下制程的晶圆厂投资计划。据表示，总投资金额将超过十亿美元。
英特尔CEO PaulOtellini稍早前说明了英特尔的晶圆厂部署14nm及未来更先进制程的蓝图及相关投资规划。这些晶圆厂包括了位在美国奥勒冈州的D1X晶圆厂
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- 半导体产业正在面临一项挑战，即每两年微缩晶片特征尺寸的周期已然结束，我们正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示，晶片微缩的路程愈来愈艰困了。
1.晶圆代工厂量产32/28nm晶圆的周期延长到了三年左右。2009年，45/40nm晶圆占代工厂营收比重仅10%;而2012年第四季，32/28nm占代工厂营收比重也是10%。
2.在32nm量产2年多以后，22nm的FinFET才宣布将迈入量产。FinFET是一项极具挑战性的技术。英特尔在这方面的研究相当卓越，但仍需克服
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晶片 14nm
- 尽管英特尔依然乐观地预测将于2015年之前推出8nm制程工艺的芯片，但人们还是怀疑14nm可能将成为硅芯片尺寸的最终尽头。
近年来，芯片的发展进程始终严格遵守着“摩尔定律”，并有条不紊地进行着，直到14nm制造工艺的芯片在英特尔的实验室中被研制成功，业界开始有了担忧。
据摩尔定律所说，集成在同一芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍，同时相同大小的芯片将具有双倍的性能。一旦达到14nm的制程，将极其接近硅晶体的理论极限数字(大约为9nm到11nm)。
尽管英特尔
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英特尔 14nm
- 虽然在40nm、28nm两度折戟，境况堪忧，但台积电毕竟是全球第一大代工厂，正所谓树大根深。近日据悉，台积电资深研发副总裁蒋尚义(Shang-yi Chiang)已经宣称，台积电将在2012年开始14nm工艺的研发，并将于2015年投入批量生产。
蒋尚义说，台积电会使用450毫米(18英寸)新晶圆来制造14nm工艺芯片，而不是现在主流的300毫米，因为更大尺寸的晶圆将有助于降低生产成本。
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台积电 14nm
- 由于对目前Atom处理器路线图的不满，Intel公司首席执行官Paul Otellini认为应该改变原有路线图，寻找新的中心点，同时Paul Otellini称公司已经加快新款Atom处理器的设计进度，并表示Intel公司的一个目标是在智能手机和平板电脑设备上部署Atom处理器。
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- 据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露，与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管(以Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表)的计划。
其中来自半导体代工巨头台积电公司负责研发的高级副总裁蒋尚义在会上发言称，台积电公司已经决定在14nm制程节点转向使用垂直型晶体管结构。
蒋尚义表示：“经过研究，我们决定在14nm制程节点放弃使用传统的平面型晶体管结构，转而采用能更好控制沟道性能的垂直型晶体管结构。&rdq
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