去年年末，半导体业内极具声望的前台积电运营长蒋尚义加盟中芯国际，曾掀起业内对于两岸半导体制造行业发展现状及前景的大规模讨论，而随后传出助三星赶超台积电制程进度的关键人物梁孟松也将加入中芯国际，将这一讨论推向了高潮。今年4月再次传出梁孟松将就任中芯国际CTO或COO的消息，令中芯和梁孟松再次处于了半导体制造行业的风口浪尖处，由此引发的一系列关于中芯国际制程进步、大陆半导体产业前景及半导体制造行业格局的讨论犹言在耳。因此近日来盛传的梁孟松手下大将已赴中芯国际任职，梁本人8月初开始请长假的消息，再次给近期稍
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中芯国际 14nm
中国正在大力推动半导体产业发展，作为高新科技核心的半导体技术实在太重要了，不仅仅是带来几万亿GDP，而且事关国家安全——在这点上，不仅中国政府这么认为，美国政府也多次表态半导体技术事关美国国家安全，美国不能放松。对国内公司来说，发展半导体技术面临的困难不只有人才、资金、技术等，还有美国的技术封锁，限制了中国公司获得国际先进技术的可能性。这事也说过很多次了，那么美国在半导体技术上到底有什么限制呢?现在来看美国不禁止14nm制造工艺进入中国，但是X86芯片设计等关键技术不能离开美国
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14nm X86
英特尔近两年的挤牙膏策略给了很多竞争对手反击的机会，比如AMD的Ryzen，再比如微软携手高通推骁龙835平台的Windows 10笔记本。
从表面上看英特尔最近的确尽显颓势，但这仅限Intel品牌的X86处理器领域。实际上，最近两年英特尔在其他领域还是收获颇丰的。
先来看看对英特尔而言的一个最大利好消息吧。
我们都知道，苹果从iPhone 7开始，同时采购高通和英特尔两家生产的基带芯片，目的是给高通压力，少收点专利费，卖得再便宜点。没想到高通油盐不进，最近还和苹果闹上了公堂，为
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英特尔 14nm
如今，后摩尔定律时代已经来临，工艺微缩将会面临更多的挑战，此时工艺的“验证能力”在这场战争中已是不可或缺的武器，如何精准地在几个纳米的差距中找到差异，绝对是致胜关键;面对更小更困难的工艺，材料分析的技术扮演着至关重要的角色，未来将跟随半导体工艺微缩的脚步，一起见证下一个世代的来临。
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英特尔 14nm
IDM(集成器件制造商)指Intel、IBM、三星这种拥有自己的晶圆厂，集芯片设计、制造、封装、测试、投向消费者市场五个环节的厂商，一般还拥有下游整机生产。
Fabless(无厂半导体公司)则是指有能力设计芯片架构，但本身无厂，需要找代工厂代为生产的厂商，知名的有ARM、NVIDIA、高通、苹果和华为。
Foundry(代工厂)则指台积电和GlobalFoundries，拥有工艺技术代工生产别家设计的芯片的厂商。我们常见到三星有自己研发的猎户座芯片，同时也会代工苹果A系列和高通骁龙的芯片系
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14nm 10nm
2月10日，英特尔在投资者会议上正式发布了第8代酷睿处理器，将于今年下半年亮相。遗憾的是，第8代酷睿处理器并没有采用传闻中的10nm工艺，而是依旧沿用14nm工艺，英特尔称之为“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。虽然采用的仍然是老工艺，但是英特尔表示，第8代酷睿的性能将比Kaby Lake提升15%。
据悉，数据中心所用的Xeon高端多核处理器将首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上，CEO柯再奇曾表
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英特尔 14nm
半导体业界公认不爱名利的前台积电共同执行长蒋尚义，赴大陆担任中芯国际独立非执行董事，震惊业界，然业界又传出投奔三星电子、与台积电打官司多年的前台积电资深研发处长梁孟松，已于第3季离开三星，近期将投入大陆半导体舰队，落脚处也是中芯国际。业者认为这些台湾半导体超级战将纷投效大陆，似乎是为大陆半导体未来黄金十年做背书。
大陆大动作发展半导体产业，继疯狂盖12吋晶圆厂、购并国际大厂，近期开始挖角重量级的高手加入大陆半导体业，近期除了被点名的蔡力行及已经宣布的蒋尚义外，传出下一个要投奔大陆的是与台积电有多
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台积电 14nm
Samsung 14nm FinFET 推出至今也有一段时间，到底有哪些产品使用呢?
随着Samsung Exynos 7 Dual 7270 这款整合LTE Modem 与联网能力的穿戴式装置用SoC 进入量产，这家韩系品牌在14nm FinFET 的布局也跟着广泛许多。
第一款使用14nm FinFET 的产品时Exynos7 Octa 7420，其处理器架构为四核ARM Cortex-A57 与四核ARM Cortex-A53，被运用在Samsung GALAXY S6 与Samsu
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三星 14nm
英特尔很快会推出新一代14nm工艺处理器，这已经不是什么秘密，但英特尔7nm工艺处理器要等很多年才能看到，这一点比三星和台积电晚很多，令人担忧。不过这都是后话，现在最受关注的还是14nm工艺，根据爆料14nm工艺不仅仅是提升频率降低功耗，英特尔打算加入四核心八线程，TDP有望维持在15W。
新的处理器核心面积为122平方毫米，不过依然是之前的显示核心，预计明年第三季度量产，第一季度就会有样品出现了。
另外，根据客户要求还会推出更高性能的版本，但TDP会提升到18
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英特尔 14nm
Intel拥有地球上最先进的半导体工艺，在FinFET工艺上比其他厂商提前两年多量产，14nm FinFET工艺虽然遭遇了难产，但还是比TSMC、三星更早，而且Intel的工艺水平是最好的，栅极距是真正的14nm水平，其他两家是有水分的。从 上半年开始转型开始，Intel也把晶圆代工作为突破点，拉拢到了LG电子，现在又一家客户确认了，中国的展讯公司也会使用Intel 14nm工艺代工，相关芯片最快10月份就可以出样。
Intel在晶圆制造上实力无可置疑，此前也有零星的代工合作，不过客户并不多，主
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Intel 14nm
之前根据一份泄露的英特尔产品路线图显示，超频友好的14nm桌面Broadwell CPU年中到来，现在我们知道这些信息是真实的。在旧金山游戏开发者大会上，消
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14nm Broadwell CPU
10nm新工艺难产，Intel不得不临时增加了第三代的14nm工艺平台Kaby Lake，但即便如此进展也不快，Intel甚至将其描述为“2017年平台”。
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Intel 14nm
产业资深顾问Handel Jones认为，半导体业者应该尽速转移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用该技术的众多优势…
半 导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28奈米以下之后的闸成本(gate cost)上扬;如下图所示，在制程微缩同时，每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持续增加，其速率高于晶圆片成本增加的速率。在另一方面，当制程特征尺寸缩 减时，晶片系统性与参数性良率会降低，带来较高的闸成本。
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FD-SOI 14nm
三星电子的晶片部门风光不再，从金鸡母沦落至赔钱货，该部门1日宣称第三代14奈米FinFET制程的研发工作即将完成，似乎意图向台积电(2330)抢单，扭转颓势。
韩媒etnews 2日报导，去年三星电子量产第一代14奈米制程，名为LPE(Low Power Early)，外界评测发现能耗表现逊于台积电16奈米，让三星颜面尽失。三星随后研发第二代14奈米制程，名为LPP(Low Power Plus)，宣称耗电量较前代减少15%，目前三星Galaxy S7搭载的Exynos 8 Octa和高通骁龙8
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三星 14nm
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