国外媒体最近曝出了一张Intel至强(Xeon)处理器产品发布线路图,这张线路图表明Intel正在筹备Skylake架构的芯片产品。Skylake将是目前尚未发布的Broadwell平台的继任者,这一平台预计也得几年之后才会和用户见面,搭载最新的技术是肯定的。
Skylake会采用14nm制程,当和Broadwell算作是Intel首批采用这一制造工艺生产的芯片,而且还会引入Intel的第九代IntelHDIGP。Skylake将支持DDR4内存,不过应当不是首个支持DDR4的平台,明年的Has
关键字:
Intel 14nm
国外媒体最近曝出了一张Intel至强(Xeon)处理器产品发布线路图,这张线路图表明Intel正在筹备Skylake架构的芯片产品。Skylake将是目前尚未发布的Broadwell平台的继任者,这一平台预计也得几年之后才会和用户见面,搭载最新的技术是肯定的。
Skylake会采用14nm制程,当和Broadwell算作是Intel首批采用这一制造工艺生产的芯片,而且还会引入Intel的第九代Intel HD IGP。Skylake将支持DDR4内存,不过应当不是首个支持DDR4的平台,明年
关键字:
Intel 14nm
英特尔在“2013 International Supercomputing Conference(ISC2013)”(2013年6月16日~20日在德国莱比锡举行)上发布了“Xeon Phi协处理器”的新产品并披露了下一代产品的部分情况。Xeon Phi协处理器是配备基于“MIC(众核)架构”的处理器芯片的PCI Express扩展卡,MIC架构具有多个支持x86指令集的处理器内核。
Xeon Phi协处理器的首款产品是2
关键字:
英特尔 14nm
在Synopsys 的协助下,台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm制程FinFET产品的制造,而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这一目标又迈进了一步,当然流片完成之后还需要对过程工艺等等项目进行完善和改进,还有大量工作要做。
近年来,在台积电,Globalfoundries,三星等老牌代工商的冲击下,联电在代工行业的排名一再下跌,更何况Intel也开始染指代工市场
关键字:
联电 14nm
联电(2303-TW)(UMC-US)与新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布,两家公司的合作已获得成果,采用新思科技DesignWare逻辑库的IP组合,和Galaxy实作平台的一部分寄生StarRC萃取方案,成功完成联电第一个14奈米FinFET制程验证工具的设计定案。
在双方持续进展中的合作关系上,采用新思科技DesignWare矽智财解决方案来认证联电14奈米FinFET制程,可视为是双方此次合作的第一座里程碑。
联电表示,这次合作的第一个里程碑,可加速联电14奈米
关键字:
联电 14nm
随着移动互联网在全球的普及,移动智能终端正在快速蚕食传统PC的市场空间。在终端芯片领域,移动芯片的市场占有率却在不断提升,逐渐成为芯片产业的“明星”和领跑者。值得一提的是,在移动互联网发展的新浪潮中,我国的移动芯片产业正在崛起,逐渐在全球芯片市场中占据一席之地,这不仅促进了全球芯片市场的“变局”,更将为我国ICT产业的未来发展提供支撑和动力。
移动芯片是智能终端的硬件平台,是其物理能力的基础。在我国智能终端市场上爆发的激烈“核&rdqu
关键字:
移动芯片 14nm
自从ARM决定从行动装置跨足到伺服器市场后,无不加快自己在制程技术上的脚步,好能跟Intel一决高下,不过当然还是必须协同主要合作夥伴(台积电与三星)的技术进度。对ARM来说,去年年底宣布成功试产(Tape Out)14nm FinFET制程技术的三星,将是有助于提高自家处理器效能的关键,但目前仍有技术上的问题必须克服。
日前ARM已正式对外公布2013年Q1财报,营收同样继续维持成长,主要营收的大多比重皆是来自于IP技术授权(ARMv8、Mali、big.LITTLE技术)。而低功耗一直以来都
关键字:
ARM 14nm
自从ARM决定从行动装置跨足到伺服器市场后,无不加快自己在制程技术上的脚步,好能跟Intel一决高下,不过当然还是必须协同主要合作夥伴(台积电与三星)的技术进度。对ARM来说,去年年底宣布成功试产(TapeOut)14nmFinFET制程技术的三星,将是有助于提高自家处理器效能的关键,但目前仍有技术上的问题必须克服。
日前ARM已正式对外公布2013年Q1财报,营收同样继续维持成长,主要营收的大多比重皆是来自于IP技术授权(ARMv8、Mali、big.LITTLE技术)。而低功耗一直以来都是A
关键字:
ARM 14nm
自从ARM决定从行动装置跨足到伺服器市场后,无不加快自己在制程技术上的脚步,好能跟Intel一决高下,不过当然还是必须协同主要合作夥伴(台积电与三星)的技术进度。对ARM来说,去年年底宣布成功试产(Tape Out)14nm FinFET制程技术的三星,将是有助于提高自家处理器效能的关键,但目前仍有技术上的问题必须克服。
日前ARM已正式对外公布2013年Q1财报,营收同样继续维持成长,主要营收的大多比重皆是来自于IP技术授权(ARMv8、Mali、big.LITTLE技术)。而低功耗一直以来都
关键字:
ARM 制程 14nm
2010年,Intel发布了其第一代22nm三栅极技术,这无疑是半导体工艺的一个突破性进展。最近,Altera宣布将采用Intel的第二代14 nm三栅极技术开发下一代高性能FPGA,同时也将继续与TSMC保持长期合作。这一消息也无疑成了最近业界的重磅话题之一。
为什么采用Intel的14nm三栅极技术?
Altera公司国际市场部总监李俭先生将这个问题拆分为两个层面,第一个层面是为什么要采用三栅极技术,第二个层面是为什么要采用Intel的技术。
三栅极技术能够从三方面带来技术突破:第一
关键字:
Altera Intel 14nm 三栅极
美国阿尔特拉(Altera)于2013年2月25日宣布,决定把14nm工艺FPGA的生产委托给美国英特尔(参阅本站报道)。3月1日,阿尔特拉产品和企业营销及技术服务副总裁Vince Hu在东京通过电话会议系统,向新闻媒体介绍了该制造委托协议。
Vince Hu说,阿尔特拉之所以选择英特尔作为14nm工艺代工企业,是因为英特尔在立体晶体管(FinFET)技术方面的量产业绩获得好评。英特尔在业界率先在22nm工艺上采用了FinFET(该公司称为Tri-Gate),阿尔特拉表示,采用该技术制造的微处理
关键字:
Altera 14nm FPGA
通用平台技术论坛上,IBM展示了14nm FinFET晶圆和可弯曲的28nm晶圆,GlobalFoundries吹嘘了自己14nm工艺的高能效和28nm工艺对Cortex-A15的贡献, Samsung 也摆出了自己的14nm晶圆。
和Intel、IBM(还有台积电16nm)一样, Samsung 14nm同样引入了FinFET晶体管技术,而且又类似GlobalFoundries、联电, Samsung 也使用了14+20nm混合工艺,大致来说就是晶体管是14nm的,其它各部分则都是20nm的。
关键字:
Samsung 14nm 晶圆
2013年半导体产业聚焦在三巨头——台积电、英特尔与三星的产能与技术比拚,以及订单的板块位移态势,三巨头今年的资本支出规模都让市场吃惊,不约而同的维持高资本支出水位,让原本预期资本支出将大减的外界皆有跌破眼镜之感,三巨头不但要力拚先进制程产能的扩增,也都展现出欲在20奈米以下制程与18寸晶圆技术超越对手的企图心。
台积电2013年资本支出再度上升至90亿美元规模,而英特尔也逆势增加至130亿美元,三星也并未如外界预期大砍资本支出规模,而是宣布2013年资本支出与2012年
关键字:
台积电 14nm
明导公司(Mentor Graphics Corp)今天宣布,用以支持三星14nm IC制造工艺的综合设计、制造与后流片实现(post tapeout)平台问世,这一平台能够为客户提供完整的从设计到晶圆的并行流程,使早期加工成为可能。完全可互操作的Mentor?流程可帮助客户实现快速设计周期和晶圆生产的一次性成功。
明导专门用于三星14nm晶圆优化的解决方案,包含设计规则检查(DRC)、LVS查验、提取、可制造性设计(DFM)和先进填充等功能的Calibre?平台,以及Tessent?可测试性设
关键字:
Mentor IC 14nm
智能手机快速崛起,填补移动设备空白,有望成为人们日常使用的基本上网工具,保证随时在线互联及各种多媒体应用,这也使得市场对智能手机处理器的联网、图形、视频等性能有了更高的期待。日前,ARM公司宣布推出首款64位ARMv8架构的Cortex-A50处理器系列产品,同时宣布AMD、博通、Calxeda、海思、三星和意法半导体已获得Cortex-A50系列架构授权,首批采用该架构的设备有望于2014年发货。对此,有观点认为受益于ARM在智能手机市场的强势地位,未来智能手机将快速进入64位时代;但也有观点认为受
关键字:
ARM 处理器 14nm
14nm介绍
您好,目前还没有人创建词条14nm!
欢迎您创建该词条,阐述对14nm的理解,并与今后在此搜索14nm的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473