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德承推出全新紧凑型工业电脑（DC-1300系列），助力智慧制造

  • 强固型嵌入式电脑品牌 – Cincoze德承推出Rugged Computing – DIAMOND产品线 – 全新入门效能紧凑型嵌入式工控机DC-1300系列，在仅185 x 131 x 56.5 mm的紧凑体积下，效能的提升与扩展性成为该系列的核心特色。新一代的DC-1300系列可搭载Intel® Alder Lake-N处理器，支持工业应用必要的I/O接口，并提供完整的无线传输方案（如WIFI、5G、GNSS等），延续DC系列在空间受限的基础工业自动化应用中的成功经验，为客户带来最新的解决方案。4.
  • 关键字： 德承  工业电脑  

电动车类设备在家庭应用中的充电安全

  • 美国的保险商实验室（UL）认证在电动滑板车和电动自行车的充电中变得越来越重要。政府部门强调，UL认证的产品对于提高电动移动设备充电的安全性至关重要。什么是UL认证？为什么它在创造更安全的用户体验中变得如此关键？UL认证保险商实验室是美国的一个独立组织，负责制定各种产品的安全标准。这些标准涵盖广泛的项目，从用于电器接线的原材料，到水处理等过程，再到节日灯等成品。UL不是政府机构，也无权强制任何公司或行业执行其标准。然而，由于在制定这些标准过程中涉及的严格测试，它们被相关行业和产品视为最佳实践。例如，建筑规范
  • 关键字： 电动车  Power Integrations  

淘汰你的啤酒冰箱，或许连主冰箱也一起换掉

  • 在2022年，我写了一篇博客，讨论您车库里可能有的旧啤酒冰箱可能值得用新型号替换。简而言之，冰箱的价格下降了，能效提高了，替换旧的啤酒冰箱可以在几年内收回成本。根据家电标准意识项目（ASAP）的数据，1972年，普通冰箱每年消耗近2000千瓦时，价格为1250美元（调整为2010年的价格），是典型家庭中耗电量最大的设备。随着一系列能效标准的引入，经过初期的价格上涨后，到2010年，平均成本下降到550美元，年能耗降低到550千瓦时。在美国，我们有将旧冰箱作为车库或地下室啤酒冰箱的现象。通常，当我们整修厨房
  • 关键字： 能效  冰箱  Power Integrations  

孕育电力电子的未来：DOE 路线图

  •     作为创新电源技术的倡导者，我持续关注全球趋势和标准，以推动更高效的能源未来。今天，我想分享美国能源部（DOE）最近举办的一系列意见征集会的见解——这是为了制定电力电子技术路线图所采取的一项关键举措。路线图的发展方向，与我们在Power Integrations的发展目标一致。    DOE 制定了一项雄心勃勃的计划，目标是在 2030 年前减少 50% 的碳排放，并在 2050 年实现各行业的净零碳排放。这些目标要求在
  • 关键字： DOE  电力电子  PI  

功率器件的热设计基础（一）---功率半导体的热阻

  • / 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。散热功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生损耗，损失的能量会转化为热能，表现为半导体器件发热，器件的发热会造成器件各点温度的升高。半导体器件的温度升高，取决于产生热量多少（损耗）和散热效率（散热通路的热阻）。IGBT模块的风冷散热
  • 关键字： 英飞凌  功率器件  热设计  热阻  

功率器件的热设计基础（二）---热阻的串联和并联

  • / 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。第一讲 《功率器件热设计基础（一）----功率半导体的热阻》 ，已经把热阻和电阻联系起来了，那自然会想到热阻也可以通过串联和并联概念来做数值计算。热阻的串联首先，我们来看热阻的串联。当两个或多个导热层依次排列，热量依次通过
  • 关键字： 英飞凌  功率器件  热设计  串联  并联  

功率器件热设计基础（三）----功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

  • / 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温和散热器温度功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂层串联构成的。各层都有相应的热阻，这些热阻是串联的，总热阻等于各热阻之和，这是因为热量在传递过程中，需要依次克服每一个热阻，所以总热阻就是
  • 关键字： 英飞凌  功率器件  热设计  散热器  

功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法

  • / 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。芯片表面温度芯片温度是一个很复杂的问题，从芯片表面测量温度，可以发现单个芯片温度也是不均匀的。所以工程上设计一般可以取加权平均值或给出设计余量。这是一个MOSFET单管中的芯片，直观可以看出芯片表面温度是不一致的，光标1的位置与光标2位置温度
  • 关键字： 英飞凌  功率器件  热设计  温度测试  

功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容

  • / 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。热容热容 C th 像热阻 R th 一样是一个重要的物理量，它们具有相似的量纲结构。热容和电容，都是描述储存能力物理量，平板电容器电容和热容的对照关系如图所示。平板电容器电容和热容
  • 关键字： 英飞凌  功率器件  热设计  功率半导体热容  

功率器件热设计基础（七）——热等效模型

  •  前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成，各层都有一定的热阻和热容，哪怕是散热器，其本身也有热阻和热容。整个散热通路还包括导热脂、散热器和环境。不同时间尺度下
  • 关键字： 英飞凌  功率器件  热设计  热等效模型  

功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散

  • / 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理说，铜基板也会有额外的热阻，那为什么实际情况是有铜基板的模块散热更好呢？这是因为热的横向扩散带来的好处。热横向扩散除了热阻热容，另一个影响半导体散热的重要物理效应为热的横向传
  • 关键字： 英飞凌  功率器件  热设计  热扩散  

功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数

  • / 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。为什么引入结构函数？在功率器件的热设计基础系列文章 《功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》 和 《功率半导体芯片温度和测试方法》 分别讲了功率半导体结温、芯片温度、壳温和散热器温度的测试方法，用的
  • 关键字： 英飞凌  功率器件  热设计  结构函数  

功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息

  •  前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。驱动IC电流越来越大，如采用DSO-8 300mil宽体封装的EiceDRIVER™ 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC紧凑型单通道隔离式栅极驱动器，驱动电流高达+/-18A，且具有两级电压变化率控制和有
  • 关键字： 英飞凌  功率器件  热设计  热系数  

使用MSO 5/6内置AWG进行功率半导体器件的双脉冲测试

  • _____我们将高功率SiC器件定义为处理1kV和100A范围内的器件，这相当于100kW的功率。SiC晶体管处理和服务的高电压、高电流和快速开关系统的性质带来了许多在普通5V或12V系统中不会出现的挑战。例如：●   100A量级的电流会将印刷电路板 (PCB) 导线暴露为寄生电阻元件，从而产生显著的IR压降。●   1000V量级的电压会使微小的寄生电容储存大量电荷，从而在开关操作中导致显著的功率损耗。●   SiC器件的快速开关能力使所有导
  • 关键字： 功率半导体器件  双脉冲测试  Qorvo  SiC器件  

编程小技巧：如何提升编程能力？

  • 函数指针在讲回调函数之前，我们需要了解函数指针。C语言的灵魂是指针，我们经常使用整型指针，字符串指针，结构体指针等。int *p1;char *p2;STRUCT *p3; //STRUCT为我们定义的结构体但是好像我们一般很少使用函数指针，我们一般使用函数都是直接使用函数调用。下面我们来了解一下函数指针的概念和使用方法。1. 概念函数指针是指向函数的指针变量。通常我们说的指针变量是指向一个整型、字符型或数组等变量，而函数指针是指向函数。函数指针可以像一般函数一样，
  • 关键字： 编程  函数  
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