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NAND闪存市场,开始洗牌
- 最近,铠侠和西部数据的合并已经传来消息,或将于本月达成合并协议。当初,业内听到这两大存储企业的合并是非常惊讶的,毕竟铠侠在 NAND 领域世界排名第二、西部数据排在第四,这两大巨头的合并可以震动存储市场。具体来看一下,目前两家企业的合并方式。西部数据这边将拆分 NAND Flash 闪存部门,与铠侠合并。在合并后成立新的控股公司,在交换新公司所需数量的股份后,西部数据将保留 50.1% 的资产,其余 49.9% 将归铠侠所有。新的公司在美国注册,但总部设置在日本,并且股票将在美国和东京证劵交易所上市,采用
- 关键字: NAND
美股周一:道指、标普500指数跌至近5个月低点,英伟达涨近4%
- 10月24日消息,美国时间周一,美股收盘主要股指涨跌不一,道琼斯指数和标普500指数均跌至近五个月低点,尽管10年期美国国债收益率从5%高点回落。道琼斯指数收于32936.41点,下跌190.87点,跌幅0.58%,连续第四个交易日收盘下跌;标准普尔500指数收于4217.04点,跌幅0.17%,连续第五个交易日收跌;纳斯达克指数收于13018.33点,涨幅0.27%。大型科技股普遍上涨,亚马逊、Meta和奈飞涨幅超过1%。芯片龙头股多数上涨,ARM涨幅超过4%,英伟达涨幅超过3%;英特尔跌幅超过3%。据
- 关键字: 英伟达
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺
- ● 介绍随着技术推进到1.5nm及更先进节点,后段器件集成将会遇到新的难题,比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小边缘定位误差,并实现具有挑战性的制造工艺,需要进行工艺调整。为应对这些挑战,我们尝试在1.5nm节点后段自对准图形化中使用半大马士革方法。我们在imec生产了一组新的后段器件集成掩膜版,以对单大马士革和双大马士革进行电性评估。新掩膜版的金属间距分别为14nm、16nm、18nm、20nm和22nm,前两类是1.5nm节点后段的最小目标金属间距
- 关键字: 半大马士革 后段器件集成 1.5nm SEMulator3D
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