- FPGA芯片配置方式及常见配置方法-广义的来说，FPGA的配置包括直接使用下载电缆对FPGA器件进行编程、对外部EEPROM和FLASH进行编程、使用MPU对FPGA器件进行编程、外部EEPROM和FLASH对器件进行编程等。
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存储器 MPU FPGA芯片
- 高级微控制器总线结构完美解析-AHB总线用于高性能，高时钟工作频率模块。AHB在AMBA架构中为系统的高性能运行起到了基石作用。AHB为高性能处理器，片上内存，片外内存提供接口，同时桥接慢速外设。高性能，数据传输，多总线主控制器，突发连续传输，分步传输。
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微控制器 嵌入式 存储器
- 日本经济新闻(Nikkei)网站报导，东芝存储器(TMC)出售案的重要部分为外界所知，必须满足3个条件才能出售：1，通过10个主要国家地区的反垄断法审查;2，与西部数据(WD)的仲裁案及官司中，没有禁止出售命令;3，日本政府认为交易不影响国家安全。
在反垄断法审查方面，需通过审查的国家有：巴西、大陆、欧盟、日本、韩国、墨西哥、菲律宾、台湾、土耳其、美国。目前重点在通常耗时超过6个月的大陆审查，因参与此案的SK海力士(SK Hynix)与东芝是同业，故契约设定10年内SK海力士取得东芝存储器普通股
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东芝 存储器
- Nand Flash存储器是flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。 1989年，东芝公司发表了Nand Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。经过十几年的发展，NAND应用越来越广泛，但是大多数工程师却仍然不知道关于NAND应用的一些难点：分区、ECC纠错、坏块管理等。只有真正了
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Nand Flash 东芝
- 总投资240亿美元的国家存储器基地项目(一期)的一号生产及动力厂房9月28日实现提前封顶，预计2018年投入使用。全面建成后，该项目年产值将超过100亿美元。
国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，一期工程于2016年12月30日正式开工建设，规划3座全球单座洁净面积最大的厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
国家存储器基地项目是新中国成立以来湖北省单体投资最大的高科技产业项目，项目一期达产后，预计可实现月产能30万片
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存储器 晶圆
- 据路透社北京时间10月10日消息，分析师预计，三星存储芯片业务利润将在第三季度创下纪录，这一数据意味着三星电子的利润再创新高。受此消息提振，三星股价周二在韩国股市开盘后大涨4.5%。
据分析师预计，三星电子第三季度利润为14.3万亿韩元(约合126亿美元)，再次创下新高。今年第二季度三星电子的单个季度的净利润首次超过苹果公司。公告显示，三星电子2017年4-6月营业利润达到创纪录的14.07万亿韩元(约126.44亿美元)，同比增长72.9%;净利润11.05万亿韩元，刷新历史纪录。
外媒
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三星 存储器
- 一招教你如何使用嵌入式参数代码，入门必懂知识-如果有几个设置参数需要存储到Flash中，我们一般会怎么存储呢？将不同的参数都存储到不同的页中，还是将这几个参数捆绑成一种结构体，每次修改都同时写入一次呢？将参数存储到固定的地址，则每个参数都将占用Flash的一个块。而将全部参数捆绑一起存入Flash块中，那么只有一个参数修改时，也需要将全部参数一起存一遍。那么有什么更好的方法吗？
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ram flash 源代码
- 这段时间内存、固态硬盘、显卡价格的波动让众多用户伤心不已，就其根源还是核心芯片掌握在极少数厂家手中，供货多少都是人家说了算，所以咱们也必须有话语权。
据报道，世界级的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房今天在武汉提前封顶，建筑总面积52.4万平方米。
作为国家集成电路产业的重大战略部署，国家存储器基地是新中国成立以来，湖北最大的单体投资项目，将为我国打破主流存储器领域国际垄断提供硬支撑。
基地由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产
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紫光 存储器
- 9月28日消息，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房，实现提前封顶。
赵伟国表示，存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破，相当于中国科技领域的辽宁号航空母舰出海试航。该项目实现提前封顶，这是为不辱使命、坚定不移推进国家战略所必须要做到的。客观地说，我们在核心技术和产品结构上仍然与世界一流水平存在差距，实现追赶超越的目标绝非一朝一夕，需要坚定的战略定力和
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存储器
- 属于非挥发性存储器的快闪存储器(flash memory)过去在智能手机、平板电脑等市场需求的带动下，快闪存储器产业快速成长，然随着快闪存储器技术逐渐濒临尺寸与性能极限，各式新存储器技术陆续浮上台面，导电桥式随机存取存储器(conductive- bridging RAM;CBRAM)就是相当被看好的接班技术之一。
The Daily Reckoning网站报导，过去几10年来，半导体技术的重大进展多是来自于微缩，然随着每次的微缩，快闪存储器都会变得更不可靠，且这种以电荷储存为基础的存储器技术也
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CBRAM 存储器
- 老的DDR4能不能降个价，现在实在买不起。
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DDR5 存储器
- 员工有无窃取机密资料可以查证，企业有无教唆员工偷窃，也可以透过证据来佐证，但如何定义一家企业“积极”与“未积极”防范∕规范员工的行为，这十分两难。
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DRAM 存储器
- 东芝出售内存事业股权花落美国私募股权基金贝恩资本阵营，群联董事长潘健成21日表示，该公司也会参与这次股权投资。群联虽然所占股权比率不多，但双方亲上加亲，代表台厂在这项全球瞩目的内存事业投资，仍占有一席之地。
群联是NAND Flash控制芯片暨模块厂，东芝原本即是其最大单一股东，持股比重近10%，双方共生共荣，被视为是鱼帮水、水帮鱼的伙伴关系。
当市场缺货时，东芝给予群联最大程度货源奥援，当市况较为低缓时，群联也支持东芝，在淡季时先吃下大量货源，供后续旺季使用。
业界认为，在东芝本身
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东芝 存储器
- 全球DRAM大厂美光预计在台投资新台币1,300亿元，绝大部分DRAM基地都在台湾地区，成为生产重镇，未来也将持续在台扩充产能。美光锁定中科进行新的3D封测制程，预估2-3年可量产，要打造成为亚太区营运中心。
台湾也就美光扩大投资所需土地、厂房、资金等提供协助，未来规划中科扩厂计划，将可增加2,000个以上就业机会，将台湾塑造为高效完整的DRAM全球生产基地。
据了解，美光于2012年并购尔必达与瑞晶之后，刚好瑞晶于中科已有2厂，后面还有2个厂还没盖，解决土地、厂房、水电等问题后，美光未来
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存储器 美光
- “中国闪存市场峰会CFMS2017”上，英特尔中国区非易失存储器事业部总经理刘钢先生介绍了英特尔最新的存储技术，包括用于热数据的傲腾和用于温数据的3D NAND “Ruler”。 据悉，大数据、海量集成的数据在各个领域涌现，并希望能够尽快处理，为此需要对海量的数据要进行分层，即热数据、温数据、冷数据。 热数据——基于3D Xpoint材料的“傲腾” 英特尔展示了不同于flash的一种非易失存储器材料——3D Xpoint。基于3D Xpoint的
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英特尔 存储器
闪速(flash)存储器介绍
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