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英飞凌 文章 最新资讯

英飞凌尔必达和解专利纠纷 达成交叉授权协议

  •   据国外媒体报道,欧洲第二大芯片厂商英飞凌日前宣布,公司已经与日本尔必达就半导体技术专利纠纷达成和解。   英飞凌发言人Monika Sonntag今日在接受电话采访时称,双方已经同意交叉授权半导体专利技术,公司不会公布和解协议的具体财务条款。   尔必达是日本最大的电脑内存芯片厂商,它与英飞凌就与微控制器有关的创新技术专利向美国地方法院和国际贸易委员会提出了诉讼。   英飞凌负责销售、营销与技术的管理委员会成员Hermann Eul表示:“我们期待着两家公司能够保持长久的和平关系。
  • 关键字: 英飞凌  DRAM  

英飞凌与尔必达就专利侵权诉讼达成和解

  •   英飞凌科技股份公司今日宣布,该公司与尔必达公司(Elpida Memory Icn.)就专利侵权诉讼达成和解。英飞凌与尔必达均同意撤消所有未决专利侵权诉讼。英飞凌于2010年2月向美国国际贸易委员会(ITC)递交起诉书,起诉尔必达及其客户。尔必达随后在弗吉尼亚州东部地区法院针对英飞凌提起两项诉讼。   英飞凌与尔必达通过半导体技术专利交叉许可,就专利侵权诉讼达成和解。具体许可条款未透露。   英飞凌公司董事会成员兼销售、营销、技术和研发负责人Hermann Eul博士指出:“英飞凌很高
  • 关键字: 英飞凌  DRAM  

英飞凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二极管

  •   英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离套管和隔离膜,使安装更加简易、可靠。   独具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于英飞凌已获得专利的扩散焊接工艺,该技术大大降低了内部芯片到管脚的热阻,有效地弥补了FullPAK内部隔离层的散
  • 关键字: 英飞凌  肖特基二极管  SiC  

英飞凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破开关和效率界限

  •   英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列。该系列经过优化,适用于高频和硬开关应用,在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面,树立了行业新标杆,并可满足开关频率高达100 kHz的应用需求。   近年来,各种产品对分立式IGBT的需求促使设计者寻求具备优化特性的IGBT,比如开关和通态损耗优化,以期充分发挥产品的性能。英飞凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可适用于电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断电源(SMPS 和UPS)等高频应用,帮助最大
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  UPS  

英飞凌在汽车电子芯片领域独占鳌头

  •   根据Strategy Analytics公布的最新研究结果,英飞凌科技股份公司成为当今世界头号汽车电子芯片供应商。这家位于美国的市场研究机构称,2009年,英飞凌获得9%的全球市场份额,总销售额达到13.1亿美元。尽管2009年汽车行业遭遇重创,但英飞凌却进一步巩固了自己的市场地位。2009年,汽车芯片市场规模缩小21%,从2008的183亿美元降至144亿美元。   英飞凌公司汽车部总裁Jochen Hanebeck指出:“在行业困难时期,我们凭借广泛的产品创新占据汽车电子芯片领域第一
  • 关键字: 英飞凌  汽车电子  

传英飞凌计划将无线芯片业务售予英特尔

  •   据国外媒体报道,《金融时报》德国版(Financial Times Deutschland)周一援引消息人士的话称,德国芯片制造商英飞凌正在与英特尔进行谈判,考虑向后者出售自己的无线芯片业务。   英飞凌无线芯片业务的供货对象包括了苹果、诺基亚、三星电子和RIM。英飞凌目前尚不明确剥离无线芯片业务,是否会对自身有一定的意义。截至目前,上述两家公司均对此未置可否。   一些分析师认为,英特尔收购英飞凌无线芯片业务有一定的意义。不过英飞凌首席执行官彼得•鲍尔(Peter Bauer)在今年3
  • 关键字: 英飞凌  无线芯片  

英飞凌在汽车电子芯片领域独占鳌头

  •   根据Strategy Analytics公布的最新研究结果,英飞凌科技股份公成为当今世界头号汽车电子芯片供应商。这家位于美国的市场研究机构称,2009年,英飞凌获得9%的全球市场份额,总销售额达到13.1亿美元。尽管2009年汽车行业遭遇重创,但英飞凌却进一步巩固了自己的市场地位。2009年,汽车芯片市场规模缩小21%,从2008的183亿美元降至144亿美元。   英飞凌公司汽车部总裁Jochen Hanebeck指出:“在行业困难时期,我们凭借广泛的产品创新占据汽车电子芯片领域第一的
  • 关键字: 英飞凌  汽车电子  

英飞凌推出新款紧凑式IGBT模块PrimePACK 3和EconoDUAL 3

  •   英飞凌科技股份公司近日在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上,推出了专为实现最高功率密度和可靠性而设计的新款IGBT模块:采用PrimePACK 3封装、电压为1700 V、电流为1400 A的PrimePACK模块,和EconoDUAL系列的最新旗舰产品、电压为1200V、电流为600 A的EconoDUAL 3。   英飞凌公司副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出:“通过推出这两款新产品,英飞凌再次巩固了其在提供具备最高功率密
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  PrimePACK  

英飞凌携手三菱电机服务全球功率电子行业

  •   英飞凌科技股份公司与三菱电机公司同意签署一份服务协议,针对全球工业运动控制与驱动市场,提供采用SmartPACK和SmartPIM封装的先进的IGBT模块。利用英飞凌新近开发的这种革命性封装概念,两大领导厂商将会采用最新功率芯片推出新一代模块产品。   根据协议规定,三菱电机将新一代功率芯片,应用与英飞凌Smart1、Smart2和Smart3封装中,推出的具备不同额定电流和电压(电流范围:15A 至150A,电压等级:600V和1200V)的产品。作为SmartPACK/PIM全新模块概念的创造者
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  

英飞凌推出新型ThinPAK 8x8无管脚SMD

  •   英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米(D2PAK的占板空间为150平方毫米),高度仅为1毫米(D2PAK的高度为4.4毫米)。大幅缩小的封装尺寸结合低寄生电感,使设计者能以全新方式有效降低高功率密度应用所需的系统解决方案尺寸。   全新封装采用表面贴装方式,在8x8毫米的无管脚封装内,贴装业界标准TO-220晶粒,并具备金属裸焊盘,便于内部高效散热。其低矮外形便于设计者设计出更薄的电源外壳,满足当今市场对时
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  SMD  ThinPAK   

英飞凌预计2010财年营收增幅将高达30%

  •   英飞凌科技股份公司近日公布2010财年(截至2010年3月31日)第二季度的财务结果。   英飞凌第二季度的营收为10.35亿欧元,相对于第一季度大幅提高10%,同比提高55%。各业务部的合并财务结果1为1.1亿欧元,较上一季度增长25%。净收入为7,900万欧元,而上一季度的净收入为6,600万欧元。   2010财年第三季度,英飞凌预计公司销售额的增长百分比将会达到较高的个位数,相对于第二季度,各业务部的合并利益率将提高两至四个百分点。   2010财年,英飞凌调整了对本年度的展望,因为20
  • 关键字: 英飞凌  芯片  

英飞凌全新.XT技术大幅延长IGBT模块使用寿命,

  •   英飞凌科技股份公司在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上,推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT模块的使用寿命。全新的.XT技术可优化IGBT模块内部所有连接的使用寿命。依靠这些全新的封装技术,英飞凌可满足具备更高功率循环的新兴应用的需求,并为提高功率密度和实现更高工作结温铺平道路。   英飞凌副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出:“通过推出全新的.XT技术,英飞凌再次巩固了自己在IGBT模块设计和制造领域的技术
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  封装  

英飞凌携手三菱电机服务全球功率电子行业

  •   英飞凌科技股份公司与三菱电机公司同意签署一份服务协议,针对全球工业运动控制与驱动市场,提供采用SmartPACK和SmartPIM封装的先进的IGBT模块。利用英飞凌新近开发的这种革命性封装概念,两大领导厂商将会采用最新功率芯片推出新一代模块产品。   根据协议规定,三菱电机将新一代功率芯片,应用与英飞凌Smart1、Smart2和Smart3封装中,推出的具备不同额定电流和电压(电流范围:15A 至150A,电压等级:600V和1200V)的产品。作为SmartPACK/PIM全新模块概念的创造者
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  SmartPACK  SmartPIM  

英飞凌第二财季扭亏为盈 净利润1.042亿美元

  •   据国外媒体报道,欧洲第二大芯片制造商英飞凌(Infineon Technologies AG)近日公布的财报显示,结束于3月份的本财年第二财季净利润为7900万欧元(约合1.042亿美元),去年同期亏损2.39亿欧元;第二财季营收为 10亿欧元,同比增长55%。   第二财季净利润好于分析师预期,营收与分析师预期相当。据彭博社调查的分析师此前曾预计,该公司第二季度经调整净利润7130万欧元。第二财季为英飞凌连续第三季度实现盈利,而在那之前10个季度该公司累计亏损额高达39亿欧元。   英飞凌上调了
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  

英飞凌与飞兆半导体达成功率MOSFET兼容协议

  •   英飞凌科技股份公司与飞兆半导体公司近日宣布,两家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。   兼容协议旨在保证供货稳定性,同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术,为3A至20A的DC-DC应用提供非对称MOSFET、双MOSFET和单MOSFET。   英飞凌低压MOSFET产品总监兼产品线经理Richard Kuncic表示:“我们的客户将从功
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  飞兆半导体  
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英飞凌介绍

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,至今在世界拥有35,600多名员工,2004财年公司营业额达71.9亿欧元,是全球领先的半导体公司之一。作为国际半导体产业创新的领导者,英飞凌为有线和无线通信、汽车及工业电子、内存、计算机安全以及芯片卡市场提供先进的半导体产品及完整的系统解决方案。英飞凌平均每年投入销售额的17%用于研发,全球共拥有41,000项专利。自从1996年在无锡建立 [ 查看详细 ]

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