人体存在感知是智能家居中极其重要的一项应用技术，智能家居设备通过精准地感知人体存在和状态，做出相应的响应或互动。但长期以来，人体传感器却普遍存在不够精准、无法对静态人体进行监测等问题。 针对这一问题，全球半导体解决方案领导者英飞凌科技（简称英飞凌）与全屋智能领域的领军企业Aqara绿米合作，推出了一套具有高成本效益的、完整的智能家居人体存在解决方案，即Aqara人体存在传感器FP1。该产品已在Aqara电商及线下Aqara Home智能家居体验馆正式上市。它搭载了英飞凌高度精准的XENSIV™毫
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英飞凌 毫米波雷达 智能家居
这篇微信文章，其实构思已久。为了有所铺垫，已在2020和2021发布了两篇基础篇。2022，让我们再次聊聊在SiC单管并联中的寄生导通问题。这篇微信文章，其实构思已久。为了有所铺垫，已在2020和2021发布了两篇基础篇：● 2020《仿真看世界之SiC单管的寄生导通现象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET单管并联均流特性》2022，让我们再次聊聊在SiC单管并联中的寄生导通问题。特别提醒：仿真只是工具，仿真无法替代实验，仿真只供参考。在展开
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英飞凌 SiC
变频器在设计上不断的推陈出新，为了提高功率密度并降低成本，工程师更是绞尽脑汁。IGBT（绝缘栅型双极性晶体管）在变频器里属于关键器件，其选型和损耗直接关系散热器的大小，也直接影响着系统的性能、成本和尺寸。本文从变频器的应用特点出发，结合第七代IGBT的低饱和压降和最大运行结温等特点，介绍了第七代IGBT如何助力变频器应用。本文通过分析变频器的损耗组成，并通过热仿真对比第四代IGBT和第七代IGBT的性能，最后通过实验来验证结论。相同工况下IGBT7损耗和结温明显低于IGBT4，这样可以减小变频器的体积或是
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英飞凌
米勒电容引起的寄生导通常被认为是碳化硅MOSFET的弱点。为了避免这种效应，硬开关逆变器通常采用负栅极电压关断。但是，这对于CoolSiC™MOSFET真的是必要的吗？引言选择适当的栅极电压是设计所有栅极驱动电路的关键。凭借英飞凌的CoolSiC™MOSFET技术，设计人员能够选择介于18V和15V之间的栅极开通电压，从而使器件具有极佳的载流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，栅极关断电压仅需确保器件保持安全关断即可。英飞凌鼓励设计人员在0V下关断分立式MOSFET，从而简化栅极驱动电路。为此，本文介绍了
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英飞凌 MOSFET
CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。但尽管如此，工程师需要了解器件的静态和动态性能以及关键影响参数，以实现他们的设计目标。在下面的文章中，我们将为您提供更多关于这方面的见解。温度对CoolSiC™ MOSFET导通特性的影响MOSFET静态输出特性的关键参数是漏极-源极导通电阻RDS(on)。我们定义了CoolSiC™ MOSFET不同温度下的输出特性曲线，如图1左侧所述。阈值电压VGS(th)遵循器件的物理原理，随着温度的
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英飞凌
在物联网系统中，信任机制是设备与云服务之间进行各种交互的基石。因此，必须为每台设备提供唯一的可信身份标识，以便在设备连接入网时进行安全身份认证。与此同时，为成千上万台设备提供安全ID，对OEM厂商来说是一个不小的挑战。为了帮助OEM厂商应对这些挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）将OPTIGA™ Trust M Express安全芯片与CIRRENT™ Cloud ID服务相结合，推出了一款高端安全解决方案，为物联网设备大规模接入云端提供硬件信任锚。 &
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英飞凌 安全芯片
过去几年，实际应用条件下的阈值电压漂移（VGS(th)）一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象，并提出了工作栅极电压区域的建议，旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。引言过去几年，实际应用条件下的阈值电压漂移（VGS(th)）一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象，并提出了工作栅极电压区域的建议，旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。经过不断研究和持续优化，现在，全新推出的CoolSiC™ MO
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英飞凌 MOSFET
3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智慧座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技（Infineon）与专注于3D ToF（飞时测距）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3影像传感器，该传感器符合ISO 26262标准，具有更高的分辨率。英飞凌3D感测业务副总裁Christian Herzum表示，在针对行动消费终端的3D传感器领域，英飞凌一直处
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ISO 26262 英飞凌 3D影像传感器
现在的高功率变频器和驱动器承载更大的负载电流。如下图1 所示：由于功率回路里的寄生电感（主要由功率器件的封装引线和PCB的走线产生的），电路中VS脚的电压会从高压母线电压（S1通S2关时）变化到低于地的负压（S1关闭时）。图一右边波形中的红色部分就是VS脚在半桥感性负载电路中产生的瞬态负电压。电平转移高压驱动芯片有两个主要组成部分：1 电平转移电路，其作用是把以COM脚为参考的输入逻辑信号转换成以VS脚为参考的输出驱动信号。2 自举二极管，对浮地端的供电电容进行充电。对于这两部分电路，英飞凌的SOI驱动芯
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英飞凌 高压驱动芯片
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）将推出AIROC™ CYW20820蓝牙® 和低功耗蓝牙®片上系统（SoC），进一步壮大其AIROC蓝牙系列的产品阵容。AIROC CYW20820 蓝牙和低功耗蓝牙片上系统，专为物联网应用而设计，符合蓝牙5.2核心规范。它可支持家居自动化以及传感器的丰富应用场景，包括医疗、家居、安防、工业、照明、蓝牙Mesh网络以及其他需要采用低功耗蓝牙或双模蓝牙连接的物联网应用。 AIROC™ CYW20820 A
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英飞凌 蓝牙
随着市场对笔记本电脑快充需求的增加，英飞凌针对28V输出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了长期以来的100W功率限制，最高功率可达到140W，进一步提高笔记本的充电效率，可以满足更大功率的设备供电。英飞凌USB-PD 3.1 EPR的140W高功率密度解决方案● 采用混合反激 （HFB）拓扑,支持5-28V宽压输出● 可灵活搭配CoolGaN™ 或 CoolMOS™ ，满足不同的产品定位需求● 相比传统QR,ACF
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英飞凌
IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。IGBT是允许短路的，完全有这样的底气，EconoDUAL™3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的数据手册是这样描述短路能力的，在驱动电压不超过15V时，短路电流典型值是2400A，只要在10us内成功关断短路电流，器件不会损坏。IGBT的短路承受能力为短路保护赢得时间，驱动保护电路可以从容安全地关断短路电流。短路能力不是免费的器
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英飞凌 IGBT 功率半导体
在通用变频器或伺服驱动器的设计中，经常会用到英飞凌的PIM模块（即集成了二极管整流桥+刹车单元+IGBT逆变单元的模块）。一般情况下PIM模块中的整流二极管都是根据后面逆变IGBT的电流等级来合理配置的，且由于其多数都是连接电网工作于工频50或60Hz工况，芯片结温波动很小，因此其通常不会是IGBT PIM模块是否适用的瓶颈，所以一般在器件选型时也不会特意去计算或仿真PIM模块中整流桥部分的损耗。但有些客户的机型要满足一些特殊工况，或需要考虑模块的整体损耗来做系统的热设计，这时就需要计算整流桥的损耗。而目
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英飞凌 PIM
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。下文所述，主要以英飞凌工业1200V SiC MOSFET的M1H系列产品与应用为参考，其他不同电压等级或不同厂家的SiC产品，不尽相同。在SiC产品的规格书中，都会有SiC Vgs电压范围和推荐电压区间(如图1所示)，以供大家在实际应用中参考。但是推荐非强制，
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英飞凌 Vgs 门极电压
在之前的技术文章中，介绍了驱动芯片的概览和PN结隔离(JI)技术，本文会继续介绍英飞凌的绝缘体上硅（SOI）驱动芯片技术。高压栅极驱动IC的技术经过长期的发展，走向了绝缘体上硅（silicon-on-insulator，简称SOI），SOI指在硅的绝缘衬底上再形成一层薄的单晶硅，相对于传统的导电型的硅衬底，它有三层结构，第一层是厚的硅衬底层，用于提供机械支撑，第二层是薄的二氧化硅层，二氧化硅是一种绝缘体，从而形成一层绝缘结构，第三层是薄的单晶硅顶层，在这一层进行电路的刻蚀，形成驱动IC的工作层。图１.绝缘
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英飞凌 驱动芯片
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