联华电子(13日)宣佈，为因应先进製程的持续推进，扩大参与校园徵才活动，包含3/9(日)台湾大学、3/15(六)交通大学、3/16(日)成功大学，以及3/22(六)清华大学接连举行的徵才博览会。预计今年度将招募超过1,200名工程与研发人才，职务含括先进製程技术研发、智财研发、製程、製程整合、设备、品管及产品工程师等，招募活动现场将有研发、製程、製程整合主管可直接进行面谈。 为了让尚未踏入职场的在学学生，其所学能与未来职场快速接轨，同时提前认识职场环境，联华电子特于2013年下半年启动「校园人才培育
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联华电子 PTP 校园徵才
高分辨率智能手机适用的55纳米显示器驱动芯片，制程良率达优异水平
联华电子7日宣布，采用联华电子55纳米嵌入式高压(eHV)制程生产的小尺寸显示器驱动客户芯片(SDDI)，现已出货超过1500万颗。客户采用此制程于高分辨率的高阶智能手机，此55纳米eHV制程在联华电子台湾与新加坡的12寸晶圆厂内，现已达到极佳的良率表现。
联华电子12寸特殊技术开发处资深处长许尧凯表示：「联华电子于2012年底首次tape-out客户55纳米SDDI产品。身为全球晶圆专工特殊技术的领导者，我们在仅仅一年内即
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联华电子 55纳米
高分辨率智能手机适用的55纳米显示器驱动芯片，制程良率达优异水平
联华电子7日宣布，采用联华电子55纳米嵌入式高压(eHV)制程生产的小尺寸显示器驱动客户芯片(SDDI)，现已出货超过1500万颗。客户采用此制程于高分辨率的高阶智能手机，此55纳米eHV制程在联华电子台湾与新加坡的12吋晶圆厂内，现已达到极佳的良率表现。
联华电子12吋特殊技术开发处资深处长许尧凯表示：「联华电子于2012年底首次tape-out客户55纳米SDDI产品。身为全球晶圆专工特殊技术的领导者，我们在仅仅一年内即
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联华电子的28纳米 High-K/Metal Gate工艺运用SuVolta的 DDC技术指向移动应用
台湾新竹, 加州洛斯加托斯— 联华电子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 与SuVolta公司,今日宣布联合开发28纳米工艺。该项工艺将SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶体管技术集成到联华电子的28纳米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移动(HPM)工艺。SuVolta
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联华电子 28纳米
全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(NASDAQ:CDNS)日前宣布，历经广泛的基准测试后，半导体制造商联华电子(NYSE：UMC;TWSE：2303)(UMC)已采用Cadence® “设计内”和“签收”可制造性设计(DFM)流程对28纳米设计进行物理签收和电学变量优化。
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联华电子 Cadence DFM
预期第二季晶圆齣货季成长双位数，40nm营收到达二成
联华电子股份有限公司8日公佈首次以TIFRSs為编製基础之2013年第一季财务报告，营业收入為新檯币277.8亿元。 本季毛利率為16.2%?营业净利率為1.1%?归属母公司净利為新檯币65.9亿元，每股普通股穫利為新檯币0.52元。
联华电子执行长顏博文表示，“2013年第一季整体营运表现优於预期，其中晶圆代工业务的营业收入為新檯币263.7亿元，营业净利率為4.1%?约当八吋晶圆齣货量112.5万片，產能利用率為78%?
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联华电子 40nm 晶圆代工
双方将共同开发整合逻辑与闪存技术，以推动高效能低功耗电子产品的问世
联华电子与闪存解决方案领导厂商Spansion 4日共同宣布，将展开40纳米工艺研发合作，整合联华电子40纳米LP逻辑工艺，以及Spansion eCTTM (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式电荷撷取闪存技术。此份非专属授权协议包含了授权联华电子采用此技术为Spansion制造产品。
Spansion嵌入式电荷撷取技术是兼具高效能、低功耗及成本效益的NOR闪存技术，且此项新技术可与先进逻辑工艺相整
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联华电子 40纳米
联华电子与ASIC设计服务领导厂商智原科技共同宣布，双方因应客户需求，已经完成并交付3亿逻辑闸(300-million gate count)系统单芯片解决方案。此款高复杂度SoC的产出，主要奠基于双方丰富的设计、生产经验、先进的工艺技术，以及长期合作默契。同时，此合作过程与产出，也为客户大幅地降低了开发风险、减少其需要投入的庞大人力、物力等设计资源，并缩短其产品上市时间。
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联华电子 智原 SoC 逻辑闸
联华电子日宣布，针对电源管理芯片应用产品，推出了TPC电镀厚铜工艺。此TPC电镀厚铜解决方案系由联华电子与台湾封装厂商颀邦科技(6147, TWO)共同开发，跟传统的铝金属层相比，可提供更厚的铜金属层以达到更高的电流，更优异的散热效果，并且降低20%或以上的芯片阻抗，进而提升电源管理芯片的效能。
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联华电子 芯片 TPC电镀厚铜
联华电子26日宣布通过中国台湾地区经济部国贸局『内部出口管控制度』认证(Internal Control Program，简称 ICP)，成為合格之ICP厂商，将可申请叁年效期ICP输出许可证，尔后列管货品均可直接凭证报关出口，无须逐笔向贸易局或其授权机关申请输出许可证。
联华电子廖木良副总表示︰「联华电子能通过ICP严格的认证，显示我们的出口管控制度，符合国际及政府出口管制规范。未来我们将得以简化繁复的高科技產品输出许可行政作业，使出货作业更加流畅、快速，并透过严谨的系统管理，将產品被误用或违
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联华电子 晶圆
联华电子日前(18日)宣布，客户已采用联华电子55纳米小尺寸屏幕驱动芯片(SDDI)工艺，顺利 tape-out 晶圆专工业界第一个产品。在SDDI晶圆专工领域，联华电子不管是出货量或是技术，皆位居业界佼佼者地位，现推出可赋予尖端智能型手机Full-HD画质的55纳米工艺，亦为领先业界提供客户采用的第一家晶圆专工公司。
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联华电子 晶圆 SDDI Full-HD
联华电子近日宣布，已顺利验证晶圆专工业界第一个结合12V解决方案的高压嵌入式闪存(eFlash)工艺。此工艺可将中大尺寸之触控IC所需的驱动高压，以及存放算法所需的eFlash，结合于同一颗高整合度的单芯片中，并且有效地改善信噪比(SNR)。
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联华电子 晶圆 eFlash
联华电子与专长开发、制造与营销高效能半导体的美商Allegro Microsystems日前共同宣布，双方建立策略性协议，Allegro公司将采用联华电子的晶圆专工技术与制造服务。两家公司将于今年稍晚，由Allegro的第四代0.6微米BCD(ABCD4)消费用规格产品线开始制造合作。
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联华电子 Allegro 晶圆
联华电子日前宣布，与意法半导体合作开发65纳米CMOS影像传感器背面照度BSI技术。双方先前已在联华电子新加坡Fab 12i厂顺利研发出意法半导体的前面照度式FSI制程，在之前成功经验的基础上，此次合作将更进一步扩展两家公司的伙伴关系。
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联华电子 意法 传感器
联华电子日前宣布，其位于台南科学园区Fab 12A厂第三、四期新建厂房已通过美国绿色建筑协会(U.S. Green Building Council, USGBC)绿色建筑评估系统审查，获得“前瞻能源与环境设计 – 新建工程类” (Leadership in Energy and Environmental Design – New Construction, LEED-NC)的黄金级认证。
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