芬兰与美国的一个研究小组研制出单电子晶体管(SET)它能将振荡电压转换成非常精确的电流，这有望更精确重新定义电流的基本单位———安培。该项科研成果刊登在近期出版的《纳米科学与技术在线资源》网站上。 安培、伏特及欧姆是电子学的三大基本单位，后两者分别通过约瑟夫森电压和量子化霍尔电阻的测量而得，然而目前的安培测量技术却还延续着十九世纪使用的版本：真空中相距1米的两根无限长且圆截面可忽略的平行导线内通过一恒定电流，当两导线每米长度之间产生的力等于2
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单电子 晶体管 研制
压电陶瓷蜂鸣器从单电池为白光LED供能。
接收单电池供电的LED驱动器正受到广泛关注。为由低电压电源产生能够点亮白光LED的高电压，主要需要某种电子振荡器，最简单的为压电蜂鸣器。压电转换器特殊地用于振荡器和驱动白光LED(图1)。压电模片或弯曲板组成压电陶瓷片，带双面电极，用可传导粘合剂贴在黄铜、不锈钢或类似材料制成的金属板上。电路使用三端压电转换器。在这个转换器中，模片在其中一个电极上有反应标记。电感和容性器件之间谐振产生振荡。工作的频率为：fOSC=1/(2π
)，在
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LED 振荡器 晶体管 发光二极管 LED
LSI 公司 日前宣布向位于加利福尼亚州山景市 (Mountain View) 的计算机历史博物馆捐赠了其首枚晶体管的复制品，以庆祝晶体管发明 60 周年。
晶体管是1947 年 12 月 16 日由贝尔实验室的科学家 John Bardeen、Walter Brattain 和 William Shockley 共同发明的，它是当今集成电路的构建块，而集成电路则是从电脑到手机乃至导弹和心脏起搏器等各种产品的中枢。 晶体管于1951 年最早由位于宾夕法尼亚州阿伦敦联合大道 (Union Boul
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LSI 晶体管 集成电路 嵌入式
在半导体产业迅猛发展的今天，让我们一起来阅读这段60年前的历史…... LSI 热烈庆祝晶体管诞生 60 周年
60年前的1947年12月，3 名贝尔试验室的科学家共同发明了晶体管，从而开辟了现代电子时代，包括当今的LSI在内的全球性产业也由此诞生。 &nbs
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晶体管 诞生 60 周年 元件 制造
今年12月16日是晶体管诞生60周年纪念日，但是摩尔定律的发现者，英特尔公司联合创始人戈登▪摩尔却在接受美联社采访时说，摩尔定律还只能延续十年，此后在技术上将会变得十分困难，在他看来，晶体管体积继续缩小的物理极限即将达到。美联社评论称，由此，曾经驱动了数字技术革命--甚至是现代经济--的半导体技术引擎将"刹车"停车。
"摩尔定律"可以简述为：每18个月，同一面积芯片上可以集成的晶体管数量将翻一番，而价格下降一半。问世40多年来，摩尔定律对推动整个半导体行业发展，驱动数字革命和加速信息
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嵌入式系统 单片机 晶体管 半导体 摩尔定律 IC 制造制程
据市场研究公司NanoMarkets最新发表的研究报告称，包装、显示屏、智能卡、传感器等行业对柔性大面积电子电路的需求将推动有机晶体管和存储芯片市场在2015年达到216亿美元。虽然有机存储芯片的增长低于有机薄膜晶体管的增长，但是，它将迅速赶上来。到2015年，将有价值161亿美元的电子产品中将包含有机存储芯片。这篇报告的要点包括：
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存储 芯片 晶体管 存储器
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SA1444
100V
1.5A
2W
*
80MHZ
PNP
2SA1494
200V
17A
200W
*
20MHZ
PNP
2SA1516
180V
12A
130W
*
25MHZ
PNP
2SA1668
200V
2A
25W
*
20MHZ
PNP
2SA1785
400V
1A
1W
*
140MHZ
PNP
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晶体管 型号 元件 制造
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
9011
50V
0.03A
0.4W
*
150MHZ
NPN
9012
50V
0.5A
0.6W
*
*
PNP
9013
50V
0.5A
0.6W
*
*
NPN
9014
50V
0.1A
0.4W
*
150MHZ
NPN
9015
50V
0.1A
0.4W
*
150MHZ
PNP
9018
30V
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晶体管 型号 元件 制造
自从1985年首款FPGA器件诞生以来，FPGA产业一方面修炼内功——从技术上来说，工艺从2μm发展到65nm，晶体管数量从8.5万个增长到10亿个以上;另一方面向外扩张——应用领域从最初的通信业不断向消费电子、汽车、工业控制等渗透，同时在不断“蚕食”DSP、ASIC、ASSP和嵌入式处理器的市场。如今，Xilinx、Altera和Actel等FPGA产业的领导厂商也不再是20多年前的孤军奋战，在其周围，FPGA开发和应用的生态系统已然初步形成，大大促进了FPGA产业的发展。
“非传统”应用领域
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嵌入式系统 单片机 FPGA 晶体管 DSP MCU和嵌入式微处理器
Applied CEO Mike Splinter指出，在生态可持续发展方面，电子行业做的还太少，在半导体制造业必须开始朝一个目标努力。Splinter指出，半导体行业持续地关注电子产品的速度和性能，而不够重视能源使用效率。他说，未来的芯片架构必须关注功率优化。Splinter补充说，随着消费电子中半导体产品的使用，芯片在可持续发展上扮演着重要的角色。
在和印度半导体产业协会(India Semiconductor Association)的一位成员交谈时，Splinter说尤其在少数半导体制造
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消费电子 电子行业 晶体管 消费电子
断路器在汽车系统中很有用，既需要过电流检测防止有故障的负载、也需要过电压保护避免敏感电路不受高能负载突 ...
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集电极 晶体管 负载
序言随着便携式手持设备(如手机、PDA等)的功能不断增加，加上对较小体积与更长电池寿命的要求，使得锂电池成为许多此类设备的首选供电能源。本文将讨论线性充电技术与相关的离散调节元件，并重点讨论主要离散参数与选择标准。
锂离子电池充电周期为模拟充电电路中的主要功率损耗，以便选择正确的元件，我们必须了解锂离子(Li-Ion)电池的充电周期。图1 显示了单个锂离子电池的典型充电周期。预充电压阈值(VPRE)、上端电池电极电压阈值(VT)、以及再充电阈值(VRECHG)，取决于锂离子电池的种类及不同的生产商。而
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模拟技术 电源技术 0708_A 杂志_技术长廊 晶体管 锂离子 模拟IC 电源
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶体管，以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件，占板面积为2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持，有助于改善电路效率和降低工作温度。 Zetex亚太区销售副总裁李锦华表示：“我们最新的双极晶体管能够支持20V至1
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模拟技术 电源技术 Zetex 晶体管 电源功率 模拟IC 电源
近日，应用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术，它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生产的解决方案。应用材料公司的Carina技术具有独一无二的表现，它能达到毫不妥协的关键刻蚀参数要求：平坦垂直，侧边轮廓不含任何硅材料凹陷，同时没有任何副产品残留物。 应用材料公司资深副总裁、硅系统业务
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测试 测量 应用材料 晶体管 刻蚀 IC 制造制程
飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等
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嵌入式系统 单片机 飞思卡尔 LDMOS 晶体管 嵌入式
晶体管介绍
【简介】
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
半导体三极管，是内部含有两个P [
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