葡萄牙新里斯本大学（New University of Lisbon）的研究人员于日前成功研制了全球首款用纸层制成的晶体管，这种晶体管比采用氧化物半导体制成的普通薄膜晶体管（TFT）更具竞争力。
据负责此项研究的Elvira Fortunato和Rodrigo Martins透露，这种新型晶体管具备与采用氧化物半导体制成的薄膜晶体管一样的性能，纸质晶体管可以用在纸质显示屏、智能标签、生物程序和RFID（无线射频识别）电子标签等新型电子设备中。虽然目前业界十分看重采用生物高聚物的低成本电子产品
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1．前言
随着集成电路业工艺的发展，单位面积晶体管的数量急剧增加。按传统的方法，能满足芯片功能和时序要求设计的IC设计工程师，产能约为100门/天，要完成 1200万门的芯片设计需要500人年。设计复用（Design Reuse）技术成为解决问题的有效方法。根据业界经验，任何模块如果不作任何修改就可以在10个或更多项目中复用，都应该开发成IP 。基于IP的数字IC设计方法是有效提高设计产能的关键技术。IP核又称IP （Intellectual Property）Core指具有独立知识产权的电路核
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意法半导体日前推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。
新产品STV250N55F3是市场上首款整合ST PowerSO-10™ 封装和引线带楔焊键合技术的功率MOSFET，无裸晶片封装的电阻率极低。新产品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III更多优点包括：开关损耗低，抗雪崩性能强。除提高散热效率外，九线源极连接配置还有助于
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1947年贝尔实验室肖克莱等人发明晶体管，1958年仙童公司RobertNoyce(罗伯特·诺伊斯)和德州仪器JackKilby(杰克·基尔比)分别发明基于硅和基于锗的集成电路，1971年英特尔推出1KBDRAM(动态随机存储器)，1984年日本推出1MBDRAM和256KBSRAM(静态随机存储器)，在集成电路的技术和工艺的每一次跃变过程中，都离不开半导体设备与材料的不断推陈出新。
支撑业是集成
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特瑞仕半导体株式会社开发了XCM517 系列内置晶体管600mA 同步整流双路降压DC/DC 转换器。
XCM517 系列是在一个封装组件中搭载两个XC9235/XC9236 系列的同步整流降压DC/DC 转换器而组成的实装芯片(IC)。工作电压范围从2.7V 到6.0V。内置时钟控制器分为1.2MHz 和3.0MHz 两种，可以根据具体应用来选择合适的工作频率。工作模式可选择PWM 控制模式或PWM/PFM 自动转换控制模式，即使是纹波控制难度较大的产品，也能实现从小负载到大负载的
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就像摩尔定律驱动半导体几何尺寸的缩小一样，有关解决半导体可靠性问题的活动也遵循一个似乎有点可以预测的周期。例如，技术演进到VLSI时，为了保持导线的电路速度，引入了铝线连接。此时，很快就发现了电子迁移这类的可靠性问题。一旦发现了问题所在，就会通过实验来对退化机制进行建模。利用这些模型，工艺工程师努力使新技术的可靠性指标达到最佳。随着技术的进一步成熟，焦点转移到缺陷的降低上面。而随着ULSI的引入，由于使用了应力硅、铜和低K介电材料等，又开始一轮新周期。
随着引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
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飞思卡尔半导体近日揭开了全球首款适用于L波段雷达应用的50V LDMOS RF功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种高功率RF应用，包括空中交通管理和长射程气象雷达。
RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当频率在1200 － 1400 MHz之间时， MRF6V14300H生成330 W的RF脉冲输出功率；与竞争性双极场效晶体管（FET）器件相比，它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。
先进的RF功率
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2008年5月23日，意法半导体推出VIPer17开关式离线电源转换器。新产品集成一支800V抗雪崩MOSFET晶体管和多项有助于节省外部组件和提高待机能效的先进功能，新转换器内置可调设置点，恒流开关操作，能够配合所有的市电电压，最高可适用于12W的开关电源（SMPS）设计。
通过集成一个高压启动电流电源以及必要的保护功能，VIPer17不再需要外部感应元件和启动电阻器。保护功能包括精确可调的过压和超载保护、延时过热保护和两级过流保护。故障检测电路激活转换器的自动重启功能，以防浪涌对电源或负载造
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近日，意法半导体（ST）推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH），用于工作频率超过20kHz的照明等镇流器节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。
开关性能的改进容许设计工程师把IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低，使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工作，带来
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根据摩尔定律，每18个月（起初是24个月）芯片上的晶体管密度就会翻番，但是前几年功耗问题曾一度困扰Intel等公司的发展。为此，Intel对摩尔定律进行了大胆的修正，指出摩尔定律是晶体管密度、性能和功耗的折中发展规律。为此，多核开创了一个崭新的计算时代。
图1 原摩尔定律不再有助于功耗降低
通常认为，多核设计与优化的处理器相互协同作用，才能带来芯片能耗降低的地震（图2）。多年来一直倡导在SoC中进行多核设计，在可配置多核方面独树一帜的Tensilica，在多核低功耗方面取得了巨大的突破，产
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英飞凌科技股份公司（IFX： FSE, NYSE）发布两款面向无线宽带应用的最新LDMOS射频功率晶体管，例如在2.5至2.7 GHz频段上运行的WiMAX应用。这些产品可提供最高达170 W的峰值输出功率，进一步壮大了英飞凌目前已包括10 W、45 W和130 W器件的面向WiMAX应用的射频功率晶体管产品阵营。这款LDMOS射频功率晶体管杰出的峰值功率性能可支持设计师简化其射频功率放大器的设计。
英飞凌科技公司副总裁兼射频功率器件业务部总经理Helmut Volger表示：&ldqu
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北京时间4月21日消息，据美国连线杂志报道，目前，英国研究人员研制世界上最小的电子晶体管，其厚度为1个原子，直径10个原子。
这项最新研制的新型电子晶体管比之前32纳米硅材料电子晶体管小3倍，英国曼彻斯特大学研究人员科斯特亚·诺沃舍罗夫说，“这种电子晶体管可用于任何半导体制造。”他和另一位合著作者将该研究报告发表在《科学》杂志上。
电子晶体管形式的逻辑门可加强计算处理能力。根据摩尔定律，每隔24个月，集成电路上的晶体管的数量将翻番，从而不断
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前言
自从1947年第一支晶体管的发明，半导体集成电路在二十世纪的后三十年有了一个极大的发展。这个发展极大的推动了世界性的产业革命和人类社会的进步。 今天在我们每个人的日常生活中, 英特网，手机的普及和计算机在各个领域的大量应用，已经使我们进入了信息时代。在这中间起决定性作用的是在硅晶片上工作的CMOS场效应晶体管的发明，它的制造工艺的不断发展和以它为基础的超大规模集成电路的设计手段的不断改进。
图1是一个最基本的CMOS逻辑门—反向器的物理结构和电路图。当输入为逻辑0时它的输
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近年来地球温室效应问题引起了公众的广泛关注，对节能电子设备的呼声也越来越高。人们强烈要求所有电子设备所用的电源都要提高效率，节约能耗，要求手机所代表的电池驱动移动产品不仅要有节能的意识，还要能够提供极高的能效，以延长电池的使用寿命。
各种电子设备的电源由原来的通过变压器调节电压方式，演变为开关电源、DC—DC变频器、逆变器调压。作为下一代电源，使用DSP对电源实现高精度控制的数字电源正在开发并开始上市。
DC—DC变频器IC用于调节直流电压、改变基板电压。其中开关频
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1947年第一只晶体管在贝尔实验室诞生，揭开了电子信息技术发展新纪元。1958年德州仪器公司和仙童公司成功地开发出全球第一颗集成电路。半个世纪以来，微电子技术和集成电路产业的崛起，大大推动了信息产业的发展，促进了经济繁荣和社会进步。现在，芯片、微处理器、存储器等集成电路产品，已不再是技术名词，而是与人们日常生活休戚相关的东西;专业内常用的摩尔定律、晶圆代工线(Foundry)、无制造线集成电路企业(Fabless)、集成器件制造模式(IDM)等已成为社会经济学界日常讨论的内容。当今集成电路技术已进入纳
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晶体管介绍
【简介】
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
半导体三极管，是内部含有两个P [
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