去年，恩智浦半导体在2019年国际微波研讨会上宣布，针对5G蜂窝基础设施、工业和商业市场推出业内高度集成的射频解决方案组合。这套全面的解决方案，能够轻松满足当今基站的5G射频功率放大需求——从MIMO到面向蜂窝和毫米波(mmWave)频谱带的基于大规模MIMO的有源天线系统。
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5G技术涵盖毫米波频率和大规模阵列天线的运用，带宽、时延、同步等性能全面提升，对高功率、高性能、高密度的射频元件需求不断增加。GaN功率放大器以其高击穿电压、高功率、大带宽、高效率等优势符合新技术要求，逐渐成为LDMOS的最佳替代者。
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根据《华尔街日报》的报导，通信芯片大厂博通(Broadcom)正在与瑞士信贷合作，为其无线射频业务寻找买家。而且，市场人士猜测，因为符合未来的目标与想法，最可能买下该业务的就是苹果。
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近日，中电国基南方集团射频集成电路产业化项目在江宁开发区正式启动，将打造涵盖一、二、三代半导体的射频集成电路产业地标，推动实现射频集成电路核心芯片自主可控。
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据媒体报道，正逢高通骁龙技术峰会，总裁安蒙(Cristiano Amon)受访时指出，该公司和三星、台积电一直以来都有很好的合作关系。他大方透露，目前和台积电的合作已经不仅止于移动终端，双方已经进入RF(Radio frequency，射频)领域；而和三星的合作，也会延伸到明年的5纳米上。
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恩智浦半导体日前宣布推出射频电路在线库，帮助工程师在线访问400多种射频功率参考电路和文档，可以使工程师加快射频功率放大器的开发。此外，参考电路设计文件的上线有助于缩短5G无线基础设施、工业4.0、航空航天及国防市场领域的上市时间，同时促进固态技术在射频能量等新兴射频功率应用中的普及。 射频电路在线库允许访问从1.8 Mhz至3.8 GHz的多种评估板，输出功率为从10 dBm至1800 W。在线数据封装包括：• 评估板性能数据说明、快速入门指南、优化提示和物料清单•&
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射频解决方案供应商Qorvo宣布，已收购全球领先的高性能射频供应商Cavendish Kinetics，该公司的团队将继续推动RF MEMS(射频微机电系统)技术在Qorvo产品线中的应用，并将该技术转变为用于移动设备和其他市场的大批量制造。
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张志鸿，卫 明（中国电子科技集团公司第三十六研究所，浙江 嘉兴 100048） 摘 要：功率分配器是决定功率放大器合成效率最关键的器件之一。本文设计的功率分配器采用3 dB多枝节耦合器形式实现, 该器件结构简单，在14 GHz~16 GHz频段范围内具有低插损、高隔离等优点。通过仿真软件HFSS对该器件进行了建模仿真，并加工出实物，实际测得该功分器输入端的回波损耗小于-19 dB，两输出端口间隔离度大于15 dB。实测数据和仿真数据吻合度较高，性能良好。 关键词：功分器；定向耦合器；Ku波段0 引
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5G智能手机进程备受关注，5G版iPhone加速5G浪潮。整体观察，明年新3款iPhone可望均支援5G，苹果收购英特尔数据机事业，加速苹果自制5G基带芯片，最快2022年有结果。
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全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
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5G时代即将来临，有观点认为第二代砷化镓芯片面临被取代的命运，甚至有许多砷化镓厂商宣称早已跨进第三代...
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与5G相关的氮化镓市场从使用量来看，MACOM的估计是：纯粹的基站数，即5G对4G，差不多是1.5倍到2倍的差别，单个的基站又比原来的基站的RU部分贵约1.5到2倍。由于二者的倍乘关系，累积起来约是2.5倍到4倍的关系。
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“面对智能驾驶系统等领域对毫米波雷达带来的一系列挑战，加特兰在过去的两年时间里，潜心钻研，为大家带来新一代更Fast、更Flexible、更Friendly、更Firm的ALPS系列！”CEO 陈嘉澍博士在发布会上如是说。
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北京，2019年2月25日——将于2019年4月1-3日在北京国家会议中心举行的EDI CON China
2019(电子设计创新大会)今日宣布了全体会议的主旨演讲嘉宾和完整的会议议程。4月1日(星期一)上午9:30在一层多功能厅A开始的主旨演讲将拉开为期3天的会议和展览的序幕。主旨演讲包括： 射频、微波和高速电路中的功率相关因素 Steve Sandler，Founder and CTO，Picotest 作为工程师，我们的任务是为我们的射频、微波和高速数字电路实现最佳性能。然而，我们经常
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目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备，如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射频(RF)开关主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，从目前的材料工艺角度来看，主要针对5G的Sub-6GHz范围。以PA为例，许多业内人士认为，GaN技术的运用将能为PA带来高效低功耗的优势。
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射频.定向耦合器介绍
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