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关于PE4259等各类射频开关选型对比分析

发布人:oCheryl 时间:2022-08-01 来源:工程师 发布文章

射频器件是无线通信设备的基础性零部件,在无线通信中扮演着两个重要的角色:首先是在****信号的过程中,能将二进制信号转换成高频率的无线电磁波信号;其次是在接收信号的过程中,能将收到的电磁波信号转换成二进制数字信号。射频前端主要包括射频开关、滤波器、双工器、PA(功率放大器)、LNA(低噪声放大器)等器件。

而近年来,全球射频开关市场保持快速增长态势。射频开关,又称为微波开关,它是构成射频前端的一种芯片,主要作用在于通过控制逻辑,实现对不同方向(接收或****)、不同频率的信号进行切换,以达到共用天线、节省终端产品成本的目的。按照刀数和掷数,射频开关可以分为单刀单掷(SPST)、单刀双掷(SPDT)、单刀多掷(SPNT)、多到多掷(NPNT)。接下来我们就来讲一讲如何选择合适的射频开关。

CKRF2179MM26是pHEMT GaAs SPDT(单刀双掷)开关。这设备运行频率为0.05 ~ 3.0GHz,具有低插入损耗和高隔离性。

AS179-92LF是一种pHEMT GaAs FET单刀双掷开关。该装置具有插入损耗小、正极好等特点极低直流功耗的电压操作,低成本封装sc70-6(2.00 x 1.25 mm)。

UPG2179TB是日本RENESAS生产的砷化镓MMIC L s波段领域开关(单刀双掷)。该装置的工作电压为2.5 ~ 5.3 V。这个装置的工作范围从0.05到3.0 GHz,低插入损耗,高隔离。但是目前已经停产,新产品不作主推。

PE4259 UltraCMOS RF开关的设计涵盖10MHz的广泛应用范围通过3000 MHz。这个反射开关板载CMOS低电压控制逻辑cmos兼容的控制接口,并可以使用单引脚或互补控制控制输入。使用标称+3V电源电压,一个典型的输入1dB的压缩点+33.5 dBm可以实现。PE4259是在Peregrine 's上生产的超微半导体工艺,硅的专利变种蓝宝石上的绝缘体(SOI)技术衬底,提供了砷化镓的性能传统CMOS的经济性和集成度。

ATR5179是动能世纪的一款采用 pHEMT GaAs 工艺制作的单刀双掷开关单芯片,芯片内部电路结构简单,该芯片的推荐工作频率为 20MHz-4GHz,开关芯片采用单电源 供电控制,有非常低的电流功耗,开关开启工作时有非常低的插入损耗。

性能参数对比:

结语:从以上AS179-92、PE4259、CKRF2179MM26等各类射频开关选型对比分析,这几款射频开关相对来说,目前ATR5179的性价比是比较高的,行业内的使用体量也不少,各厂家可以根据对应的产品相应地选择适合自己产品的射频开关。另外,未来随着封装尺寸的减小,整体射频器件也呈现出模组化的趋势,未来射频开关性能和单机价值量有望进一步提升。

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