- 富士通半导体(上海)有限公司于日前宣布其获得海思半导体策略ASIC合作伙伴荣誉。富士通的高速IP解决方案和ASIC设计服务，是海思授予其这一荣誉的关键所在。
由于不断升级的处理速度和越来越复杂的调制解调算法，现代通信芯片往往会集成数亿个同时工作的晶体管和超高速的模拟互联IP。而在这样的芯片上，领先工艺所带来的物理设计收敛会变得越来越困难，片上巨大规模的数字电路对超高速模拟IP的串扰也变得越来越明显，如何在很短的设计周期内去尽可能的定义和优化全芯片的低功耗策略，如何协同考虑封装设计来包容超高的功耗
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富士通 ASIC 半导体
- 日本三大系统LSI制造商的业务合并谈判已接近尾声，将在3月底之前确定框架，2013年度内实施重组。不过，由于技术革新，重组后的战略却很难制定。
日本半导体产业很可能在不久进行重组。2012年是日本半导体行业大动荡的一年，大型DRAM企业尔必达存储器破产、大型MCU企业瑞萨电子接受救助，2013年的焦点则是系统LSI行业的重组。
参与重组的是富士通、松下和瑞萨三家企业。这三家企业从2012年初开始进行业务合并谈判。作为主角之一的富士通社长山本正在接受《日经商务周刊》等采访时表明了要尽快结束谈
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富士通 半导体 系统LSI
- 北京时间1月12日凌晨消息，在过去几年时间里，有很多人都争相把自己的旧手机换成智能手机，而与此同时，日本的风流男子却仍旧忠于一个特定的品牌：富士通老式的“F系列”手机，拥有一些颇具吸引力的秘密隐私权功能。
这种老化的钱夹式翻盖手机——它的外号用日语来说是“uwaki keitai”，也就是“私通手机”——在顾客中很有人气，他们不相信更新的智能手机也能同样小心地掩盖他们不正当的罗
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富士通 DoCoMo手机
- 大家都知道win8是主打触摸屏技术的微软新一代操作系统。但是悲剧的是，之前有推出过触摸屏功能的笔记本实在太少了。而富士通就是其中少有的几家之一!而且相对于另一家thinkpad的t系列电阻屏来说，富士通是少有的早先就使用上电容屏触摸的笔记本电脑!t901使用最新的i7处理器，可以说它生来就是为win8准备的。只是悲剧的是win8你来的太晚了!不过snb的i7依然能够给予win8最强劲的支持!
既是笔记本，又是平板，这就是t901，其实pad
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富士通 win8 T901
- 北京时间12月29日晚间消息，路透社援引消息人士的观点称，日本富士通正与台湾芯片代工厂商台积电接洽，打算将旗下12寸晶圆厂出售给后者。
报道称，日本的芯片厂商正面临架构升级成本高昂、日元持续走强以及来自三星等韩国竞争对手的强势冲击等不利因素，不得不考虑将生产外包到日本之外的地方。
富士通此次打算出售的是其位于日本西部三重县的半导体工厂，该工厂主要生产用于照相机的图像处理芯片，以及用户超级计算机的数字运算芯片。
据称，此次出售制造工厂是富士通战略调整计划的一部分，该公司打算将生产制造业
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富士通 芯片 晶圆
- 2012年10月24日，由电子产品世界杂志社主办的“第二届高效节能电机控制技术解决方案专题研讨会”如期在上海召开，来自电机控制应用设计领域的200余位工程师代表出席了活动。
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德州仪器 富士通 电机控制 201212
- 随着科技的发展，在半导体设计制造方面，各相关厂商相继突破制造工艺，提高市场竞争力。
2012年初，富士通半导体宣布交付其为中小型IC设计公司量身定制的55nm创新工艺制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工艺)，一度引发中国IC设计业的震动。而在日前于重庆举办的“中国集成电路设计业2012年会暨重庆集成电路跨越发展高峰论坛”上，富士通半导体又一次带来惊喜，率先将已经量产的成熟28nm先进工艺和设计服务带给中国高端SoC设计业者。
“55nm创新工艺制
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富士通 IC 28nm
- 近年来，国家比较重视工控业的发展，在政策上给予鼓励与扶持。但是由于人力成本上升、技术实力偏低等的因素影响...
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工控行业 西门子 ABB
- 致力于开发低功耗CMOS技术的公司SuVolta日前发布了一项旨在展示其DDC(深度耗尽通道，Deeply Depleted Channel™)技术在性能和功耗方面优势的测试结果。该结果来自于采用SuVoltaPowerShrink™低功耗CMOS平台设计、并由富士通半导体有限公司的65纳米低功耗工艺制造的模拟及数字电路。
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SuVolta 富士通 半导体 DDC
- 2012年初，富士通半导体宣布交付其为中小型IC设计公司量身定制的55nm创新工艺制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工艺)，一度引发中国IC设计业的震动。
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富士通 IC设计 SoC
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员-SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准封装SOP-8,SON-8是为该产品添加的新型封装。
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富士通 FRAM 存储器
- 上海，2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化，从而可以通过硅晶圆直径的增加，来实现低成本生产。按照此目标，富
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富士通 功率器件 硅基板
- 全球领先的全套互连产品供应商Molex公司在美国宾夕法尼亚州费城举办的Automation Fair 2012展会上展示一款新型固件产品SST™以太网通信模块，这款固件提升了对西门子工业以太网协议的支持。
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Molex 西门子 以太网 SST
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
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富士通 功率器 GaN
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