- 抗SEU存储器的设计的FPGA实现, O 引言 随着我国航空航天事业的迅猛发展,卫星的应用越来越广泛。然而,太空环境复杂多变,其中存在着各种宇宙射线与高能带电粒子,它们对运行于其中的电子器件会产生各种辐射效应。辐射效应对电子器件的影响
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实现 FPGA 设计 存储器 SEU
- 基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器, O 引言 随着航空航天航海等技术的发展,无论是星载还是舰载方面的技术要求,都迫切希望有一种能够在恶劣环境(高温、低温、振动)下正常工作,并且易于保存的大容量视频记录设备,以满足数据管理系统方面的要求
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大容量 存储器 K9WBG08U1M 芯片 半导体 存储 基于
- 相变存储器(PCM)与存储器技术的比较, 相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和MLC NAND快闪存储器以及硬碟驱动器(HDD) 和固态硬碟(SSD)等系统解决方案,*估PCM的相对成本、效能和可靠度,可以了解PCM适用于哪里些应用领
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存储器 比较 技术 PCM 相变
- 基于嵌入式视频存储的专用文件系统设计,摘要: 基于嵌入式视频存储的特点,分析目前已有的文件系统在视频应用上的不足,提出了适合硬盘录像机的专用文件系统设计方案,并从数据存储、检索、读取和恢复等方面阐述了设计思想及具体实现。经过在相关产品上的应
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视频 存储器 数据 电路 通信 ARM
- 摘要:针对探测器姿态变化造成的视频图像旋转,提出一种基于TMS320C6713B的实时数字视频消旋系统。该系统利用TMS320C6713B计算图像旋转后各点的位置,再利用FPGA进行地址映射,得到图像旋转后各点对应的灰度值。实验
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视频 A/D DSP FPGA 存储器
- 采用90nm工艺制造的DDR3 SDRAM存储器架构支持总线速率为600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高带宽,工作电压低至1.5V,因此功耗小,存储密度更可高达2Gbits。该架构无疑速度更快,容量更大,单位比特的功耗更低,但问
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SDRAM FPGA DDR3 存储器
- 基于闪烁存储器的DSP并行引导装载方法,TMS3.0VC5409 是TI公司推出的第一代的高性能、低价位、低功耗数字信号处理器(DSP)。与现在流行的TMS320C5409相比,性能提高了60%,功耗效率提高了 50%。它的应用对象大多是要求能脱机运行的内嵌式系统,如机顶盒(
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引导 装载 方法 并行 DSP 闪烁 存储器 基于
- 铁电存储器的技术特点分析,如图1所示,电子电能表的基本架构包括下列各主要功能模块:电压电流取样电路;16位以上分辨率的ADC;计量与控制单元;通信接口;操作界面;显示器;存储器。本文将以存储器为重点说明为何电子式电能表需要使用铁电存
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分析 特点 技术 存储器
- 相变存储器--非易失性计算机存储器技术, 相变存储器(可缩略表示为PCM、PRAM或PCRAM)是一种新兴的非易失性计算机存储器技术。它可能在将来代替闪存,因为它不仅比闪存速度快得多,更容易缩小到较小尺寸,而且复原性更好,能够实现一亿次以上的擦写次数。
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- 为何电子式电能表需要使用铁电存储器(F-RAM), 自从1889年匈牙利工程师 Otto Blathy 发明全世界第一个电能表 (瓦特瓦时表)原型之后,电能表经过一个世纪多的演进:由机械式电表到今日的各种不同型式的电子电能表,包含新的预付费电能表 (pre-paid) 复费率电能
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- 根据华尔街日报(WSJ)报导指出,美国存储器大厂美光(Micron)日前除了报出亮眼的财报结果以外,还获得三星电子(Samsung Electronics)长达10年交叉授权的协议,美光将取得权利金2.75亿美元。
彭博(Bloomberg)则报导指出,三星已经同意支付美光2.75亿美元的权利金,其中的2亿美元,将在10月12日前支付,另外还有4,000万美元,将在2011年1月31日前支付,最后还有3,500万美元则将在2011年3月31日以前,全部支付完毕。
不过,除此之外,美光婉拒提
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三星 存储器
- 据韩国电子新闻报导,目前韩国有几间业者对海力士(Hynix) 股份抛售显露兴趣。海力士理事议长金锺甲表示,韩国企业中有业者表示对海力士股份有兴趣,早晚会对外宣布收购立场。
金锺甲在接受电子新闻访谈时表示,由于存储器产业竞争构图产生变化,且海力士的竞争力更强化,韩国业者对海力士的表现皆抱持正面的态度。
虽然主要是由债权团执行海力士股份抛售,金锺甲以理事会议长身分也积极接触海力士潜在收购者。海力士近期以来对抛售股份的官方说法维持没有表明收购意愿的企业,但金锺甲此次的发言则暗示禁止抛售作业已进行
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海力士 存储器
- 一家股东包括半导体设备大厂应用材料(Applied Materials)的新创存储器公司Adesto Technologies,正准备推出首款导电桥接随机存取存储器(conductive-bridging RAM, CBRAM )。 CBRAM 是一种低耗电、与CMOS兼容的存储器,可客制化应用在广泛的离散式或嵌入式市场,该公司打算最快在2011年第一季推出首款 CBRAM 样品。
在近日于美国举行的非挥发性存储器研讨会(Non Volatile Memory Conference)上,Ades
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CBRAM 存储器
- 高阶智能型手机和平板计算机应用逐渐侵蚀笔记型计算机(NB)市场,全球存储器大厂包括三星电子(Samsung Electronics)、尔必达(Elpida)、美光(Micron)纷重兵部署Mobile RAM市场,由于生产标准型DRAM利润减少,国际存储器大厂持续将产能移往Mobile RAM产品。台系DRAM厂加入Mobile RAM战局时间点较晚,其中,南亚科Mobile RAM已送客户认证,预计2011年第1季放量,茂德2011年亦将在尔必达授权下加入战局,而华邦Mobile RAM更是目前营运
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- 目前模拟、存储器、PC芯片及其它,虽不能言己下降,但是己呈现季节性的弱势。
VLSI的总裁Dan Hutcheson认为在2010年初开始热了一阵之后,目前IC工业可能回复到正常的状态。有人说工业开始减缓,停顿或者是可怕的再次下降,也可能都不对。
换言之,IC市场已经开始变弱,正回到正常的理性增长循环周期。
之所以如此,因为9月的销售额可能预示IC产业在今年的最后一个季度,包括明年的态势有众多的不确定性。
Hutcheson说,人们常说从9月可看全年。而今年的9月已真的转弱,而
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Intel IC 存储器
存储器介绍
什么是存储器
存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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