过去几个月来，TechInsights的拆解团队一直在寻找海力士(Hynix)的高频宽记忆体(HBM)，最近终于取得了这款据称可克服DDR4/DDR5型SDRAM频宽限制的记忆体。
海力士的高频宽记忆体(HBM)很新，而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制，甚至达到某种程度的DDR5型记忆体频宽。该技术堆叠了四个DRAM晶片以及一个逻辑晶片，一片一片地堆叠起来，并利用矽穿孔(TSV)与微凸块接合实现晶片至晶片间连接。
图1：HBM模组横截面示意图
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海力士 存储器
过去几个月来，TechInsights的拆解团队一直在寻找海力士(Hynix)的高频宽记忆体(HBM)，最近终于取得了这款据称可克服DDR4/DDR5型SDRAM频宽限制的记忆体。
海力士的高频宽记忆体(HBM)很新，而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制，甚至达到某种程度的DDR5型记忆体频宽。该技术堆叠了四个DRAM晶片以及一个逻辑晶片，一片一片地堆叠起来，并利用矽穿孔(TSV)与微凸块接合实现晶片至晶片间连接。
图1显示四个DRAM晶片与一个逻辑晶片堆叠并固定至中介层晶片。该中介
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海力士 存储器
1. DMA访问存储器的性能
EDMA3架构支持很多功能，可以实现高效的并行数据传输。本节讨论影响它性能的很多因素，如存储器类型，地址偏移等。
1.1 DMA传输的额外开销
一般的传输时延被定义为EDMA被触发到真正的数据传输开始的时间。由于数据传输开始的时间无法用简单的方法测量，所以我们用最小数据单元的传输完成时间来代表DMA传输的时延或额外开销。根据不同源/目的地址的组合，这个值会有所不同。表4列出了在1GHz C6678 EVM(64-bit 1333MTS DDR)上测得的从
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TMS320C6678，存储器
摘要
TMS320C6678 有8 个C66x核，典型速度是1GHz，每个核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM和512KB LL2 SRAM;所有 DSP核共享4MB SL2 SRAM。一个64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM接口可以支持8GB外部扩展存储器。
存储器访问性能对DSP上运行的软件是非常关键的。在C6678 DSP上，所有的主模块，包括多个DSP核和多个DMA都可以访问所有的存储器。
每个DSP核每个时钟周期都可以执行最多128 b
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TMS320C6678 存储器
导读：数字系统中可对二进制数据进行存储的是存储器，FIFO、RAM等位于集成电路中可完成存储功能的是存储器，TF条、内存条等存储设备也是存储器。存储器已广泛存在于我们的生活中且为我们的生活提供诸多便利，接下来我们就一起来了解一下其工作原理到底是什么样子的吧～
一、存储器原理- -简介
存储器，英文名称为Memory，顾名思义，是一种用于存储信息的仪器，常用于计算机中的数据储存，计算机工作所需的所有数据都被存储在存储器中，包含原始数据、计算过程中所产生数据、计算所需程序、计算最终结果数据等等。存
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存储器 存储器原理
固态硬碟(SSD)走向高速规格、低成本设计趋势成形。快闪记忆体、SSD控制晶片、模组和系统厂商正有志一同发展低成本、高容量的三层式储存(TLC)和3D NAND技术，同时也积极推动SSD由现有SATA、PCIe AHCI转向更高速PCIe NVMe介面的新设计，期透过降低成本和提高储存效能的双重手段，刺激SSD市场渗透率。
SanDisk资深副总裁兼技术长Kevin Conley提到，4G LTE连线功能结合SSD后，将能为各种消费性电子提供顺畅的网路互连，更加贴近物联网理想。
SanDi
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SSD 存储器
大陆扶植半导体产业开始执行上路，近7成资金将挹注在IC制造/设备领域。法新社大陆设立大基金扶植半导体产业开始执行上路，半导体业者透露，分5年总计人民币6，000亿元资金有近7成将挹注在IC制造/设备领域，重点扶植项目包括逻辑芯片、DRAM及NAND Flash芯片等，其中，逻辑芯片将以中芯国际为首，至于存储器领域将先从DRAM芯片切入，长期目标是大陆内需50%半导体芯片全数自制。
半导体业者指出，大陆国家IC产业投资基金，每年提拨人民币1，200亿元投入自建半导体产业链，初期规划5年、共人民币6
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存储器 DRAM
DRAM双雄南亚科(2408)与华亚科5月营收均较4月呈现个位数衰退。目前DRAM产业正处于淡季效应递延状态，产品价格持续下滑，也影响业者业绩。
南亚科5月合并营收为37.98亿元，月减2.9%，年减8.6%;前五月合并营收为197.39亿元，年增1%。华亚科5月合并营收暂估数为55.12亿元，月减5.5%，年减26.3%;前五月合并营收暂估数为297.97亿元，年减14.1%。
因PC市况不振，连带使PC DRAM价格也因需求疲软而下跌，今年上半预计会维持跌势，也影响到业者营运表现。但业
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DRAM 存储器
引言：
FRAM存储器可为可穿戴电子产品带来低功耗、小尺寸、高耐用性与低成本。
正文：
铁电RAM(FRAM)存储器广泛应用于工业控制系统、工业自动化、关键任务空间应用、高可靠军事以及各种汽车应用。使FRAM适用于这些应用的特征也使之成了可穿戴应用的可行技术，因为FRAM技术与生俱来的附加属性包括低功耗与高耐用性。
电子可穿戴设计的一个主要注意事项是在提升可靠性的同时降低总体功耗。设计人员必须在增加功能的同时降低系统功耗，以便延长电池使用寿命。与此同时，嵌入式软件的大小和复杂性
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FRAM 存储器
Trendforce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，全球行动式记忆体总营收在2015年首季达到35.76亿美元，季衰退不到1%，占 DRAM 总产值的29.8%，并且有持续扩大趋势。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第一季主要受惠于三星(Samsung)来自23nm产出增加，行动式记忆体整体出货与上季增加8.2%，加上行动式记忆体平均销售单价与其他产品别相对抗跌，全球行动式记忆体整体营收规模持续扩大。
吴雅婷表示，2015上半年行动式记忆体价格呈现稳定小跌的
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存储器 DRAM
Trendforce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，今(2015)年第一季全球行动式记忆体总营收为35.76亿美元(详如下图)，季减0.9%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，上半年行动式记忆体价格呈现稳定小跌，但随着LPDDR4导入市场后，预计能衍生出更多商机，而搭载3GB LPDDR4的三星Galaxy S6出货也比预期中更佳，加上iPhone新机将搭载2GB的预期心态下，即便价格趋势向下但跌幅也非常有限。
目前行动式记忆体占整体DRAM供应已接近4成，随
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存储器 LPDDR4
三星半导体部门资深副总裁Jeeho Baek周四表示，今年在记忆体类半导体投资规模将比照去年，估计最高将达100亿美元之谱。Baek指出，DRAM与NAND记忆体产出比重规划为7比3，但会视市场需求作弹性调整。
由于看好未来需求，三星对记忆体项目的投资一点都不手软，其位在南韩华城，也是三星目前记忆体晶片的主要生产基地，年底还有一座新厂将准备投产。
另外，三星日前也宣布加码在南韩平泽(Pyeongtaek)盖新厂区，总投资规模来到25.6兆韩圜。新工厂预计下个月动工，主要也是生产DRAM记忆
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三星 存储器
1 最初的技术
光敏材料可根据有光照与否来更改其阻抗或导电性。早期的黑白视频系统(如上世纪50年代RCA的光导摄像管摄像系统)采用真空管，以通过光敏硒板进行图像传感。
电子束将扫描硒板，产生与光量直接相关的电流，并在确切的时间射向硒板，进而由光栅扫描的显像管产生初步的电子视频信号，便于进行长距离传输。CRT电视再以反序接收信号，通过电子束扫描荧光屏重现图像的对应光等级。
数十年来，视频的用途一直仅限于单色传感与实时显示图像。传感器前的颜色过滤器会将模拟级别设置为组成色度，来创建颜色传
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光敏 传感器 CCD 机器视觉 存储器
摘要：本文介绍了AT89C51ED2 在汽车行驶记录仪中的实现。该记录仪采用大容量闪速存储器FM1808 作为存储载体，利用定时器中断方式来实现秒间隔的数据采集与存储，利用串行口中断方式实现与微机的数据通信，通过USB HOST 和IC 卡实现对车辆记录数据的快速下载和出行任务的灵活设置。
关键词：汽车行驶记录仪;AT89C51ED2;闪速存储器
随着社会的发展，汽车越来越普及，随着汽车拥有量的增加，发生交通事故的概率也随之增加，发生事故后用传统的方法进行分析、判断、维修有一定的困难。这样
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AT89C51ED2 存储器
存储器和微控制器是半导体产业基石。从产值角度看,存储器和微处理器是半导体产业的两大件,分别占半导体产品产值的22%和19%,发展半导体产业,存储器和微处理器是绕不开的课题。本篇详细分析了存储器发展的历史脉络,从历史的角度分析存储器产业发展的特点,获取对当前中国存储器产业发展的启示。
存储器发展至今已经高度垄断。历史上行业经历了两次区域转移和三个历史阶段。第一次区域转移发生在80 年代,从美国转移到日本。第二次转移发生在90 年代, 由日本转移到韩国。三个历史阶段:美国起步期、日韩台的成长期、当前
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存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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